本申請(qǐng)涉及晶圓清洗領(lǐng)域，特別是涉及晶圓清洗裝置。

背景技術(shù)：

1、現(xiàn)有的晶圓清洗設(shè)備包括單片spm(硫酸和雙氧水的混合溶液)清洗設(shè)備和槽式spm清洗設(shè)備。單片spm清洗設(shè)備由于硫酸和雙氧水混合稀釋后再次回收使用不能滿足大部分工藝，耗硫酸量會(huì)遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于槽式設(shè)備，單片spm清洗設(shè)備對(duì)spm消耗量大，槽式spm清洗設(shè)備對(duì)spm消耗量少。在去顆粒方面，槽式spm清洗設(shè)備相比單片spm清洗設(shè)備差，且小顆粒新增較多。通常而言，槽式spm清洗設(shè)備適用于去除60nm以上顆粒的需求，單片spm清洗設(shè)備適用去除40nm以下顆粒的需求。

2、槽式與單片清洗相結(jié)合的清洗設(shè)備，在確保40nm以下顆粒去除能力的同時(shí)，相比單片spm清洗設(shè)備更能節(jié)省spm溶液。但是隨著工藝需求推進(jìn)到去除26nm以下顆粒時(shí)，目前的槽式或槽式與單片spm清洗設(shè)備已經(jīng)無(wú)法更進(jìn)一步的節(jié)省spm溶液。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本申請(qǐng)實(shí)施例提供了一種晶圓清洗裝置，能進(jìn)一步節(jié)省硫酸。

2、根據(jù)本申請(qǐng)實(shí)施例提供的晶圓清洗裝置，包括：

3、第一清洗槽，用于存儲(chǔ)spm溶液，且用于對(duì)晶圓進(jìn)行第一次清洗；

4、第二清洗槽，用于存儲(chǔ)spm溶液，且用于對(duì)晶圓進(jìn)行第二次清洗；

5、存儲(chǔ)槽，用于存儲(chǔ)所述第二清洗槽對(duì)晶圓進(jìn)行第二次清洗之后第二清洗槽排放的spm溶液；

6、第一加熱器，用于對(duì)所述存儲(chǔ)槽中的spm溶液加熱至預(yù)設(shè)溫度區(qū)間；

7、控制器，用于在所述第一清洗槽進(jìn)行spm溶液置換的情況下，控制所述存儲(chǔ)槽將經(jīng)過(guò)所述第一加熱器加熱至所述預(yù)設(shè)溫度區(qū)間的spm溶液輸送至所述第一清洗槽中。

8、在其中的一些實(shí)施例中，所述晶圓清洗裝置還包括濃度檢測(cè)器，用于在所述第一清洗槽進(jìn)行spm溶液置換的情況下，檢測(cè)所述存儲(chǔ)槽中的spm溶液濃度且發(fā)送至所述控制器；所述控制器用于將所述存儲(chǔ)槽中的spm溶液濃度與一預(yù)設(shè)濃度進(jìn)行比較，并在所述存儲(chǔ)槽中的spm溶液濃度不小于所述預(yù)設(shè)濃度的情況下，控制所述存儲(chǔ)槽將經(jīng)過(guò)所述第一加熱器加熱至所述預(yù)設(shè)溫度區(qū)間的spm溶液輸送至所述第一清洗槽中。

9、在其中的一些實(shí)施例中，所述控制器在檢測(cè)到所述存儲(chǔ)槽中的spm溶液濃度小于所述預(yù)設(shè)濃度的情況下，控制所述存儲(chǔ)槽將存儲(chǔ)槽中的spm溶液排放掉。

10、在其中的一些實(shí)施例中，所述晶圓清洗裝置還包括第一連通管路，所述第一清洗槽包括第一內(nèi)槽和第一外槽，所述第一內(nèi)槽用于存儲(chǔ)spm溶液，所述第一外槽用于存儲(chǔ)所述第一內(nèi)槽中溢出的spm溶液；其中，所述第一連通管路連通所述第一內(nèi)槽和所述第一外槽。

11、在其中的一些實(shí)施例中，所述第一連通管路上設(shè)置有第一緩沖槽和第二加熱器，所述第一緩沖槽與所述第一外槽連通，所述第一緩沖槽還與所述第一內(nèi)槽連通，在所述第一緩沖槽與所述第一內(nèi)槽之間的第一連通管路上設(shè)置所述第二加熱器。

12、在其中的一些實(shí)施例中，在所述第一連通管路上還設(shè)置有第一過(guò)濾器，所述第一過(guò)濾器設(shè)置在所述第一緩沖槽和所述第二加熱器之間。

13、在其中的一些實(shí)施例中，所述晶圓清洗裝置還包括第二連通管路，所述第二清洗槽包括第二內(nèi)槽和第二外槽，所述第二內(nèi)槽用于存儲(chǔ)spm溶液，所述第二外槽用于存儲(chǔ)從所述第二內(nèi)槽中溢出的spm溶液；其中，所述第二連通管路連通所述第二內(nèi)槽和所述第二外槽。

14、在其中的一些實(shí)施例中，所述第二連通管路上設(shè)置有第二緩沖槽和第三加熱器，所述第二緩沖槽與所述第二外槽連通，所述第二緩沖槽還與所述第二內(nèi)槽連通，在所述第二緩沖槽與所述第二內(nèi)槽之間的第二連通管路上設(shè)置所述第三加熱器。

15、在其中的一些實(shí)施例中，在所述第二連通管路上還設(shè)置有第二過(guò)濾器，所述第二過(guò)濾器設(shè)置在所述第二緩沖槽和所述第三加熱器之間。

16、在其中的一些實(shí)施例中，進(jìn)一步包括至少一個(gè)過(guò)濾器，設(shè)置在所述第一加熱器與所述存儲(chǔ)槽之間。

17、綜上所述，本申請(qǐng)實(shí)施例提供的晶圓清洗裝置通過(guò)采用存儲(chǔ)槽對(duì)第二清洗槽排放的spm溶液進(jìn)行存儲(chǔ)，以及在第一清洗槽進(jìn)行spm溶液置換的情況下，通過(guò)控制器控制存儲(chǔ)槽將經(jīng)過(guò)第一加熱器加熱至預(yù)設(shè)溫度區(qū)間的spm溶液輸送至第一清洗槽中的方式，解決了槽式或槽式與單片spm清洗設(shè)備已經(jīng)無(wú)法更進(jìn)一步的節(jié)省spm溶液的問(wèn)題，實(shí)現(xiàn)了spm溶液的再次利用，進(jìn)一步的節(jié)省了spm溶液。

18、本申請(qǐng)的一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例的細(xì)節(jié)在以下附圖和描述中提出，以使本申請(qǐng)的其他特征、目的和優(yōu)點(diǎn)更加簡(jiǎn)明易懂。

技術(shù)特征：

1.一種晶圓清洗裝置，其特征在于，包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓清洗裝置，其特征在于，所述晶圓清洗裝置還包括濃度檢測(cè)器，用于在所述第一清洗槽進(jìn)行spm溶液置換的情況下，檢測(cè)所述存儲(chǔ)槽中的spm溶液濃度且發(fā)送至所述控制器；所述控制器用于將所述存儲(chǔ)槽中的spm溶液濃度與一預(yù)設(shè)濃度進(jìn)行比較，并在所述存儲(chǔ)槽中的spm溶液濃度不小于所述預(yù)設(shè)濃度的情況下，控制所述存儲(chǔ)槽將經(jīng)過(guò)所述第一加熱器加熱至所述預(yù)設(shè)溫度區(qū)間的spm溶液輸送至所述第一清洗槽中。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的晶圓清洗裝置，其特征在于，所述控制器在檢測(cè)到所述存儲(chǔ)槽中的spm溶液濃度小于所述預(yù)設(shè)濃度的情況下，控制所述存儲(chǔ)槽將存儲(chǔ)槽中的spm溶液排放掉。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓清洗裝置，其特征在于，所述晶圓清洗裝置還包括第一連通管路，所述第一清洗槽包括第一內(nèi)槽和第一外槽，所述第一內(nèi)槽用于存儲(chǔ)spm溶液，所述第一外槽用于存儲(chǔ)所述第一內(nèi)槽中溢出的spm溶液；其中，所述第一連通管路連通所述第一內(nèi)槽和所述第一外槽。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的晶圓清洗裝置，其特征在于，所述第一連通管路上設(shè)置有第一緩沖槽和第二加熱器，所述第一緩沖槽與所述第一外槽連通，所述第一緩沖槽還與所述第一內(nèi)槽連通，在所述第一緩沖槽與所述第一內(nèi)槽之間的第一連通管路上設(shè)置所述第二加熱器。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的晶圓清洗裝置，其特征在于，所述第一連通管路上還設(shè)置有第一過(guò)濾器，所述第一過(guò)濾器設(shè)置在所述第一緩沖槽和所述第二加熱器之間。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓清洗裝置，其特征在于，所述晶圓清洗裝置還包括第二連通管路，所述第二清洗槽包括第二內(nèi)槽和第二外槽，所述第二內(nèi)槽用于存儲(chǔ)spm溶液，所述第二外槽用于存儲(chǔ)所述第二內(nèi)槽中溢出的spm溶液；其中，所述第二連通管路連通所述第二內(nèi)槽和所述第二外槽。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的晶圓清洗裝置，其特征在于，所述第二連通管路上設(shè)置有第二緩沖槽和第三加熱器，所述第二緩沖槽與所述第二外槽連通，所述第二緩沖槽還與所述第二內(nèi)槽連通，在所述第二緩沖槽與所述第二內(nèi)槽之間的第二連通管路上設(shè)置所述第三加熱器。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的晶圓清洗裝置，其特征在于，所述第二連通管路上還設(shè)置有第二過(guò)濾器，所述第二過(guò)濾器設(shè)置在所述第二緩沖槽和所述第三加熱器之間。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓清洗裝置，其特征在于，進(jìn)一步包括至少一個(gè)過(guò)濾器，設(shè)置在所述第一加熱器與所述存儲(chǔ)槽之間。

技術(shù)總結(jié)
本申請(qǐng)涉及一種晶圓清洗裝置。該晶圓清洗裝置包括第一清洗槽、第二清洗槽、存儲(chǔ)槽、第一加熱器和控制器，并通過(guò)存儲(chǔ)槽對(duì)第二清洗槽排放的SPM溶液進(jìn)行存儲(chǔ)，以及在第一清洗槽進(jìn)行SPM溶液置換的情況下，通過(guò)控制器控制存儲(chǔ)槽將經(jīng)過(guò)第一加熱器加熱至預(yù)設(shè)溫度區(qū)間的SPM溶液輸送至第一清洗槽中的方式，解決了槽式或槽式與單片SPM清洗設(shè)備已經(jīng)無(wú)法更進(jìn)一步的節(jié)省SPM溶液的問(wèn)題，實(shí)現(xiàn)了SPM溶液的再次利用，進(jìn)一步的節(jié)省了SPM溶液。

技術(shù)研發(fā)人員：徐融,王俊
受保護(hù)的技術(shù)使用者：盛美半導(dǎo)體設(shè)備(上海)股份有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/1/2