本申請(qǐng)屬于顯示，尤其涉及一種發(fā)光基板、顯示裝置以及制備方法。

背景技術(shù)：

1、隨著人們對(duì)高畫質(zhì)顯示器的追求，傳統(tǒng)顯示器的側(cè)入式背光mdl(發(fā)光基板)無(wú)法滿足高h(yuǎn)dr(高動(dòng)態(tài)光照渲染)對(duì)比度等高畫質(zhì)要求，能夠?qū)崿F(xiàn)高畫質(zhì)的direct-mdl(直顯發(fā)光基板)又存在厚度和重量較大等一些列問(wèn)題。mini?led(微型發(fā)光二極管)發(fā)光基板可以很好的兼顧輕薄化和高畫質(zhì)高動(dòng)態(tài)顯示的需求。

2、在相關(guān)mini?led直顯產(chǎn)品中，由于發(fā)光基板的差異性導(dǎo)致貼膜后發(fā)光基板的黑度不能保持一致，需要花費(fèi)大量人力和時(shí)間進(jìn)行測(cè)試、分類管控，存在生產(chǎn)效率低、品控難度大、生產(chǎn)成本高等缺陷。若對(duì)基板進(jìn)行預(yù)處理，在基板上形成底黑層以使發(fā)光基板的黑度保持一致。但是在相關(guān)技術(shù)中，形成的底黑層或不能滿足黑度要求、或?qū)Πl(fā)光基板的光效影響較大，或形成底黑層的效率偏低，不能很好地滿足發(fā)光基板對(duì)墨色和光效的要求。

3、需要說(shuō)明的是，在上述背景技術(shù)部分公開的信息僅用于加強(qiáng)對(duì)本公開的背景的理解，因此可以包括不構(gòu)成對(duì)本領(lǐng)域普通技術(shù)人員已知的現(xiàn)有技術(shù)的信息。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本申請(qǐng)旨在至少能夠在一定程度上解決發(fā)光基板上的底黑層不能兼顧黑色和亮度的技術(shù)問(wèn)題。為此，本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N發(fā)光基板、顯示裝置以及制備方法。

2、本申請(qǐng)實(shí)施例提供的一種發(fā)光基板，所述發(fā)光基板包括：

3、基底；

4、多個(gè)像素單元，多個(gè)所述像素單元陣列排布地設(shè)置在所述基底上；

5、多個(gè)圍壩，多個(gè)所述圍壩分別圍設(shè)在每個(gè)所述像素單元的周邊，所述圍壩將所述基底分隔為多個(gè)設(shè)有所述像素單元的像素區(qū)和位于所述像素區(qū)周邊的底黑區(qū)；以及，

6、底黑層，所述底黑層設(shè)置在所述底黑區(qū)上。

7、在一些實(shí)施方式中，所述圍壩在所述基底上環(huán)繞所述像素單元形成封閉環(huán)；

8、所述底黑層與所述圍壩接觸設(shè)置。

9、在一些實(shí)施方式中，所述圍壩包括至少一個(gè)目標(biāo)圍壩，所述底黑層與所述目標(biāo)圍壩連續(xù)接觸并環(huán)繞設(shè)置。

10、在一些實(shí)施方式中，所述圍壩相對(duì)所述基底的高度比所述像素單元相對(duì)所述基底的高度小5μm～15μm。

11、在一些實(shí)施方式中，所述底黑層相對(duì)所述基底的高度在10μm～60μm范圍內(nèi)，所述底黑層相對(duì)所述基底的高度比所述圍壩相對(duì)所述基底的高度小5μm以上。

12、在一些實(shí)施方式中，每個(gè)所述像素區(qū)的面積小于等于3.125×104μm2。

13、在一些實(shí)施方式中，所述像素區(qū)的總面積與所述基底的總面積比小于等于0.02％。

14、在一些實(shí)施方式中，所述像素單元包括兩個(gè)子像素單元，所述發(fā)光基板包括間隔圍壩，所述間隔圍壩位于所述子像素單元之間。

15、在一些實(shí)施方式中，所述圍壩的顏色包括黑色、白色、灰色中的至少一種；

16、所述圍壩垂直于所述基底的截面形狀包括矩形和梯形中的至少一種。

17、在一些實(shí)施方式中，所述圍壩包括層疊設(shè)置的第一圍壩層和第二圍壩層，所述第一圍壩層位于所述第二圍壩層和基底之間；

18、其中，所述第一圍壩層的顏色為白色；所述第二圍壩層的顏色為黑色或灰色。

19、在一些實(shí)施方式中，所述圍壩的材料包括基質(zhì)和位于所述基質(zhì)中的染色劑。

20、在一些實(shí)施方式中，所述基質(zhì)包括硅膠、環(huán)氧樹脂、丙烯酸類樹脂、聚酰亞胺樹脂、聚乙烯類樹脂、氟樹脂、硅氧烷聚合物類樹脂、縮丁醛樹脂、苯乙烯-馬來(lái)酸共聚物、氯化聚丙烯、聚氨酯類樹脂、酚醛樹脂、聚酯樹脂、醇酸樹脂、苯乙烯樹脂、聚酰胺樹脂、橡膠類樹脂、環(huán)化橡膠、聚丁二烯、苯并胍胺樹脂、三聚氰胺樹脂、脲醛樹脂中的至少一種；所述染色劑包括炭黑、錳鐵黑、氧化鐵黑、銅鉻黑、鐵鉻黑、鐵黑、鈷黑、硫化銻、苯胺黑中的至少一種；或，所述染色劑包括二氧化鈦、氧化鋅、硫化鋅、復(fù)合鈦白、鋅鋇白、鉛白、銻白、堿性硫酸鉛中的至少一種。

21、在一些實(shí)施方式中，所述染色劑在所述圍壩的材料中的質(zhì)量含量為1.0％～5.0％。

22、在一些實(shí)施方式中，所述發(fā)光基板還包括：

23、黑膜，所述黑膜位于所述像素單元遠(yuǎn)離所述基底的一側(cè)；

24、所述黑膜完全覆蓋所述像素區(qū)，并且覆蓋至少部分所述底黑區(qū)。

25、本申請(qǐng)實(shí)施例還提供了一種顯示裝置，所述顯示裝置包括上述的發(fā)光基板，所述發(fā)光基板為顯示基板；

26、其中，所述像素單元包括多個(gè)子像素單元，所述子像素單元包括led發(fā)光芯片，所述led發(fā)光芯片為mini-led芯片和micro-led芯片中的至少一種。

27、本申請(qǐng)實(shí)施例提出了一種上述發(fā)光基板的制備方法，所述制備方法包括以下步驟：

28、提供基底；

29、在所述基底上形成陣列排布的像素單元；

30、在所述基底上形成圍壩；

31、在所述基底上形成底黑層。

32、在一些實(shí)施方式中，所述圍壩通過(guò)三維打印技術(shù)形成在所述基底上；所述底黑層通過(guò)三維打印技術(shù)或噴墨打印技術(shù)形成在所述底黑區(qū)上。

33、在一些實(shí)施方式中，所述圍壩的材料的粘度為200000cps～500000cps。

34、本申請(qǐng)實(shí)施例至少具有如下有益效果：

35、上述發(fā)光基板，在像素單元的周邊設(shè)置有圍壩，通過(guò)圍壩阻擋底黑層與像素單元接觸，避免底黑層與像素單元接觸以吸收像素單元發(fā)出的光，能夠提高發(fā)光基板的整體光效；同時(shí)，通過(guò)設(shè)置圍壩可以適當(dāng)提高底黑層相對(duì)于基底的高度，能夠確保發(fā)光基板的黑度保持一致，且具有相對(duì)較高的黑度，提高發(fā)光基板的顯示效果，滿足輕薄化和高畫質(zhì)高動(dòng)態(tài)顯示的需求。

技術(shù)特征：

1.一種發(fā)光基板，其特征在于，所述發(fā)光基板包括：

2.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光基板，其特征在于，所述圍壩在所述基底上環(huán)繞所述像素單元形成封閉環(huán)；

3.如權(quán)利要求2所述的發(fā)光基板，其特征在于，所述圍壩包括至少一個(gè)目標(biāo)圍壩，所述底黑層與所述目標(biāo)圍壩連續(xù)接觸并環(huán)繞設(shè)置。

4.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光基板，其特征在于，所述圍壩相對(duì)所述基底的高度比所述像素單元相對(duì)所述基底的高度小5μm～15μm。

5.如權(quán)利要求4所述的發(fā)光基板，其特征在于，所述底黑層相對(duì)所述基底的高度在10μm～60μm范圍內(nèi)，所述底黑層相對(duì)所述基底的高度比所述圍壩相對(duì)所述基底的高度小5μm以上。

6.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光基板，其特征在于，每個(gè)所述像素區(qū)的面積小于等于3.125×104μm2。

7.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光基板，其特征在于，所述像素區(qū)的總面積與所述基底的總面積比小于等于0.02％。

8.如權(quán)利要求1至7任意一項(xiàng)所述的發(fā)光基板，其特征在于，所述像素單元包括兩個(gè)子像素單元，所述發(fā)光基板包括間隔圍壩，所述間隔圍壩位于所述子像素單元之間。

9.如權(quán)利要求1至7任意一項(xiàng)所述的發(fā)光基板，其特征在于，所述圍壩的顏色包括黑色、白色、灰色中的至少一種；

10.如權(quán)利要求1至7任意一項(xiàng)所述的發(fā)光基板，其特征在于，所述圍壩包括層疊設(shè)置的第一圍壩層和第二圍壩層，所述第一圍壩層位于所述第二圍壩層和基底之間；

11.如權(quán)利要求1至7任意一項(xiàng)所述的發(fā)光基板，其特征在于，所述圍壩的材料包括基質(zhì)和位于所述基質(zhì)中的染色劑。

12.如權(quán)利要求11所述的發(fā)光基板，其特征在于，所述基質(zhì)包括硅膠、環(huán)氧樹脂、丙烯酸類樹脂、聚酰亞胺樹脂、聚乙烯類樹脂、氟樹脂、硅氧烷聚合物類樹脂、縮丁醛樹脂、苯乙烯-馬來(lái)酸共聚物、氯化聚丙烯、聚氨酯類樹脂、酚醛樹脂、聚酯樹脂、醇酸樹脂、苯乙烯樹脂、聚酰胺樹脂、橡膠類樹脂、環(huán)化橡膠、聚丁二烯、苯并胍胺樹脂、三聚氰胺樹脂、脲醛樹脂中的至少一種；所述染色劑包括炭黑、錳鐵黑、氧化鐵黑、銅鉻黑、鐵鉻黑、鐵黑、鈷黑、硫化銻、苯胺黑中的至少一種，或，所述染色劑包括二氧化鈦、氧化鋅、硫化鋅、復(fù)合鈦白、鋅鋇白、鉛白、銻白、堿性硫酸鉛中的至少一種。

13.如權(quán)利要求11所述的發(fā)光基板，其特征在于，所述染色劑在所述圍壩的材料中的質(zhì)量含量為1.0％～5.0％。

14.如權(quán)利要求1至7任意一項(xiàng)所述的發(fā)光基板，其特征在于，所述發(fā)光基板還包括：

15.一種顯示裝置，其特征在于，所述顯示裝置包括如權(quán)利要求1至14任意一項(xiàng)所述的發(fā)光基板，所述發(fā)光基板為顯示基板；

16.一種如權(quán)利要求1至14任意一項(xiàng)所述的發(fā)光基板的制備方法，其特征在于，所述制備方法包括以下步驟：

17.如權(quán)利要求16所述的制備方法，其特征在于，所述圍壩通過(guò)三維打印技術(shù)形成在所述基底上；所述底黑層通過(guò)三維打印技術(shù)或噴墨打印技術(shù)形成在所述底黑區(qū)上。

18.如權(quán)利要求16所述的制備方法，其特征在于，所述圍壩的材料的粘度為200000cps～500000cps。

技術(shù)總結(jié)
本申請(qǐng)公開了一種發(fā)光基板、顯示裝置以及制備方法，所述發(fā)光基板包括：基底；多個(gè)所述像素單元陣列排布地設(shè)置在所述基底上；多個(gè)所述圍壩分別圍設(shè)在每個(gè)所述像素單元的周邊，所述圍壩將所述基底分隔為多個(gè)設(shè)有所述像素單元的像素區(qū)和位于所述像素區(qū)周邊的底黑區(qū)；所述底黑層設(shè)置在所述底黑區(qū)上。上述發(fā)光基板，在像素單元的周邊設(shè)置有圍壩，通過(guò)圍壩阻擋底黑層與像素單元接觸，避免底黑層與像素單元接觸以吸收像素單元發(fā)出的光，能夠提高發(fā)光基板的整體光效；同時(shí)，通過(guò)設(shè)置圍壩可以適當(dāng)提高底黑層相對(duì)于基底的高度，能夠確保發(fā)光基板的黑度保持一致，且具有相對(duì)較高的黑度，提高發(fā)光基板的顯示效果，滿足輕薄化和高畫質(zhì)高動(dòng)態(tài)顯示的需求。

技術(shù)研發(fā)人員：孫文佳,王瑤瑤,馬若玉,楊澤洲,李姣,管君,金亮亮,趙樂(lè),李月橋,陳振彰,劉小舟,錢學(xué)海
受保護(hù)的技術(shù)使用者：京東方晶芯科技有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/1/2