本發(fā)明的例示的實(shí)施方式涉及蝕刻方法和等離子體處理裝置。

背景技術(shù)：

1、在電子器件的制造中，為了在膜形成凹部，有時(shí)對(duì)膜進(jìn)行等離子體蝕刻。為了形成這樣的凹部，在蝕刻對(duì)象膜上形成掩模。作為掩模，已知有抗蝕劑掩模?？刮g劑掩模在蝕刻對(duì)象膜的等離子體蝕刻中消耗。因此，一直使用硬掩模。作為硬掩模，如專利文獻(xiàn)1所記載，已知有從硅化鎢(wsi)形成的硬掩模。

2、現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)

3、專利文獻(xiàn)

4、專利文獻(xiàn)1：日本特開2007-294836號(hào)公報(bào)

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、發(fā)明要解決的技術(shù)問題

2、本發(fā)明提供一邊抑制形狀異常一邊對(duì)膜進(jìn)行蝕刻的技術(shù)。

3、用于解決技術(shù)問題的技術(shù)方案

4、在一個(gè)例示的實(shí)施方式中，蝕刻方法包括：(a)提供基片的步驟，其中，上述基片包括第一膜和上述第一膜上的具有開口的第二膜，上述第一膜包含金屬元素和非金屬元素；和(b)經(jīng)由上述開口對(duì)上述第一膜進(jìn)行蝕刻的步驟，上述(b)包括：(i)通過供給高頻電功率的脈沖，利用從包含含鹵素氣體的第一處理氣體生成的第一等離子體，經(jīng)由上述開口對(duì)上述第一膜進(jìn)行蝕刻的步驟；(ii)利用從第二處理氣體生成的第二等離子體，對(duì)通過上述(i)形成的凹部的側(cè)壁進(jìn)行改性的步驟；和(iii)反復(fù)進(jìn)行上述(i)和上述(ii)的步驟。

5、發(fā)明效果

6、根據(jù)一個(gè)例示的實(shí)施方式，提供一邊抑制形狀異常一邊對(duì)膜進(jìn)行蝕刻的技術(shù)。

技術(shù)特征：

1.一種蝕刻方法，其特征在于，包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的蝕刻方法，其特征在于：

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的蝕刻方法，其特征在于：

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的蝕刻方法，其特征在于：

5.一種蝕刻方法，其特征在于，包括：

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的蝕刻方法，其特征在于：

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的蝕刻方法，其特征在于：

8.根據(jù)權(quán)利要求5～7中任一項(xiàng)所述的蝕刻方法，其特征在于：

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的蝕刻方法，其特征在于：

10.根據(jù)權(quán)利要求5～7中任一項(xiàng)所述的蝕刻方法，其特征在于：

11.根據(jù)權(quán)利要求5～7中任一項(xiàng)所述的蝕刻方法，其特征在于：

12.根據(jù)權(quán)利要求5～7中任一項(xiàng)所述的蝕刻方法，其特征在于：

13.根據(jù)權(quán)利要求5～7中任一項(xiàng)所述的蝕刻方法，其特征在于：

14.根據(jù)權(quán)利要求5～7中任一項(xiàng)所述的蝕刻方法，其特征在于：

15.根據(jù)權(quán)利要求5～7中任一項(xiàng)所述的蝕刻方法，其特征在于：

16.根據(jù)權(quán)利要求1～7中任一項(xiàng)所述的蝕刻方法，其特征在于：

17.根據(jù)權(quán)利要求1～7中任一項(xiàng)所述的蝕刻方法，其特征在于：

18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的蝕刻方法，其特征在于：

19.根據(jù)權(quán)利要求1～7中任一項(xiàng)所述的蝕刻方法，其特征在于：

20.根據(jù)權(quán)利要求1～7中任一項(xiàng)所述的蝕刻方法，其特征在于：

21.根據(jù)權(quán)利要求1～7中任一項(xiàng)所述的蝕刻方法，其特征在于：

22.根據(jù)權(quán)利要求1～7中任一項(xiàng)所述的蝕刻方法，其特征在于：

23.根據(jù)權(quán)利要求1～7中任一項(xiàng)所述的蝕刻方法，其特征在于：

24.根據(jù)權(quán)利要求1～7中任一項(xiàng)所述的蝕刻方法，其特征在于：

25.根據(jù)權(quán)利要求1～7中任一項(xiàng)所述的蝕刻方法，其特征在于：

26.一種等離子體處理裝置，其特征在于，包括：

27.一種等離子體處理裝置，其特征在于，包括：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明的蝕刻方法包括：(a)提供基片的步驟，其中，基片包括第一膜和第一膜上的具有開口的第二膜，第一膜包含金屬元素和非金屬元素；和(b)經(jīng)由開口對(duì)第一膜進(jìn)行蝕刻的步驟。(b)包括：(i)通過供給高頻電功率的脈沖，利用從包含含鹵素氣體的第一處理氣體生成的第一等離子體，經(jīng)由開口對(duì)第一膜進(jìn)行蝕刻的步驟；(ii)利用從第二處理氣體生成的第二等離子體，對(duì)通過(i)形成的凹部的側(cè)壁進(jìn)行改性的步驟；(iii)反復(fù)進(jìn)行(i)和(ii)的步驟。

技術(shù)研發(fā)人員：熊倉翔,木村壯一郎,世小弓,小田島暢洋,真崎祐次,岳本昇,小林真
受保護(hù)的技術(shù)使用者：東京毅力科創(chuàng)株式會(huì)社
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/1/6