技術(shù)編號：40611701
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明的例示的實(shí)施方式涉及蝕刻方法和等離子體處理裝置。背景技術(shù)、在電子器件的制造中，為了在膜形成凹部，有時對膜進(jìn)行等離子體蝕刻。為了形成這樣的凹部，在蝕刻對象膜上形成掩模。作為掩模，已知有抗蝕劑掩模?？刮g劑掩模在蝕刻對象膜的等離子體蝕刻中消耗。因此，一直使用硬掩模。作為硬掩模，如專利文獻(xiàn)所記載，已知有從硅化鎢(wsi)形成的硬掩模。、現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)、專利文獻(xiàn)、專利文獻(xiàn)：日本特開-號公報技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路、發(fā)明要解決的技術(shù)問題、本發(fā)明提供一邊抑制形狀異常一邊對膜進(jìn)行蝕刻...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。