本實(shí)用新型涉及電容器制造領(lǐng)域，還可面向復(fù)雜環(huán)境工控機(jī)，工業(yè)傳感元件，航空航天，電子雷達(dá)等領(lǐng)域，具體涉及一種高溫高頻聚酰亞胺薄膜電容器。

背景技術(shù)：

薄膜電容器是電子設(shè)備的基礎(chǔ)元件，在旁路、濾波、采樣保持、振蕩、定時(shí)延遲、耦合、隔直等電路中，有著非常廣泛的應(yīng)用。同時(shí)，電子設(shè)備的精度、可靠性在很大程度上取決于薄膜電容器的質(zhì)量。目前的電子設(shè)備中使用較為廣泛的薄膜電容器是陶瓷芯片電容器，但它存在溫度系數(shù)大，損耗高等不足；同時(shí)隨著工業(yè)電子，航空航天事業(yè)的進(jìn)一步發(fā)展，對(duì)片式薄膜電容器的溫度系數(shù)，環(huán)境適應(yīng)性，使用溫度，工藝成本等方面提出了更高的要求。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

實(shí)用新型目的：本實(shí)用新型提供了一種高溫高頻聚酰亞胺片式薄膜電容器，該片式薄膜電容器有效解決了電子設(shè)備中電容器溫度系數(shù)低，使用溫度低等問(wèn)題。

技術(shù)方案：一種高溫高頻聚酰亞胺片式薄膜電容器，包括基板、粘附層、下電極層、下電極阻擋層、聚酰亞胺功能層、上電極阻擋層及上電極層，其中，所述基板一側(cè)為拋光面，在該拋光面上設(shè)有粘附層，所述下電極層設(shè)置在粘附層上；所述下電極阻擋層設(shè)置在下電極層上；所述聚酰亞胺功能層設(shè)置在下電極阻擋層上；所述聚上電極阻擋層設(shè)置在聚酰亞胺功能層上；所述上電極層設(shè)置在上電極阻擋層上。

具體地，所述基板為單面拋光，粗糙度要求0.05～0.1，厚度為250～550μm。

具體地，所述基板材料為三氧化二鋁陶瓷。

具體地，所述粘附層、下電極阻擋層和上電極阻擋層為鈦鎢合金。

更具體地，所述鈦鎢合金采用濺射鍍膜的方式實(shí)現(xiàn)，鈦鎢合金厚度150～200nm。

具體地，所述下電極層和上電極層的材料為金。

具體地，所述下電極層和上電極層的厚度為2-4μm。

具體地，所述聚酰亞胺功能層即是電容器的功能層，也是光刻的光敏材料。

有益效果：與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn)在于：本實(shí)用新型的高溫高頻聚酰亞胺片式薄膜電容器具有耐高溫，工作溫度可達(dá)200℃，采用陶瓷做基體，聚酰亞胺薄膜做電容功能層，高頻特性好，溫度系數(shù)小、制造成本低廉，可重復(fù)性好，適于批量生產(chǎn)；聚酰亞胺薄膜優(yōu)異的電性能、熱性能和機(jī)械性能，聚酰亞胺片式薄膜電容器可以在嚴(yán)酷的環(huán)境條件下使用。

附圖說(shuō)明

圖1是本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2是本實(shí)用新型的俯視圖。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施方式，進(jìn)一步闡明本實(shí)用新型。

如圖1-2所示，一種高溫高頻聚酰亞胺片式薄膜電容器，包括基板1、粘附層2、下電極層3、下電極阻擋層4、聚酰亞胺功能層5、上電極阻擋層6和上電極層7，所述基板1的拋光面上設(shè)置粘附層2；所述下電極層3設(shè)置在粘附層2上；所述下電極阻擋層4設(shè)置在下電極層3上；所述聚酰亞胺功能層5設(shè)置在阻擋層上；所述聚上電極阻擋層設(shè)置在聚酰亞胺功能層5上；所述上電極層7設(shè)置在上電極阻擋層6上，粘附層2、下電極阻擋層4和上電極阻擋層6為鈦鎢合金，該鈦鎢合金采用濺射鍍膜的方式實(shí)現(xiàn)，鈦鎢合金厚度150～200nm，下電極層3和上電極層7的材料為金，下電極層3和上電極層7的厚度為2-4μm。

上述基板1為單面拋光，粗糙度要求0.05～0.1，厚度為250～550μm，基板1材料包括但不限于三氧化二鋁陶瓷。

上述聚酰亞胺功能層5即是電容器的功能層，也是光刻的光敏材料。