技術(shù)總結(jié)
本實(shí)用新型公開了一種RENA濕法刻蝕裝置，包括刻蝕槽，所述刻蝕槽包括槽體和蓋板，所述蓋板的上方設(shè)有至少2個加熱燈，且加熱燈的輻射區(qū)域?qū)?yīng)于整個蓋板區(qū)域。本實(shí)用新型能夠防止水汽在蓋板處冷凝而出現(xiàn)滴液現(xiàn)象，從而減少硅片返工，提升刻蝕良率，實(shí)驗(yàn)證明：采用本實(shí)用新型的裝置之后，可以大大減少滴液對硅片的返工，目前可降至0.17%左右。

技術(shù)研發(fā)人員：周華軍;謝賢清
受保護(hù)的技術(shù)使用者：蘇州阿特斯陽光電力科技有限公司
文檔號碼：201720135407
技術(shù)研發(fā)日：2017.02.15
技術(shù)公布日：2017.08.29