本實(shí)用新型涉及一種RENA濕法刻蝕裝置，屬于太陽(yáng)能電池技術(shù)領(lǐng)域。

背景技術(shù)：

常規(guī)的化石燃料日益消耗殆盡，在現(xiàn)有的可持續(xù)能源中，太陽(yáng)能無(wú)疑是一種最清潔、最普遍和最有潛力的替代能源。太陽(yáng)能發(fā)電裝置又稱為太陽(yáng)能電池或光伏電池，可以將太陽(yáng)能直接轉(zhuǎn)換成電能，其發(fā)電原理是基于半導(dǎo)體PN結(jié)的光生伏特效應(yīng)。其中，晶體硅太陽(yáng)能電池由于豐富的硅儲(chǔ)量得到了廣泛應(yīng)用。

現(xiàn)有的晶體硅太陽(yáng)能電池的制備工藝如下：清洗制絨→擴(kuò)散→刻蝕/去PSG→PECVD→絲網(wǎng)印刷→燒結(jié)→測(cè)試分檔→分選→包裝。其中，刻蝕/去PSG是其中的一個(gè)重要環(huán)節(jié)，其目的是去掉硅片背面和硅片四周的PN結(jié)，使正面和背面絕緣。目前，“RENA in-line”式結(jié)構(gòu)的設(shè)備是一種常用的濕法刻蝕設(shè)備（又稱RENA濕法刻蝕裝置），其原理是：在HF/HNO₃體系中，利用表面張力和毛吸力的作用去除邊緣和背面的PN結(jié)，而不會(huì)影響太陽(yáng)能電池的工藝結(jié)構(gòu)。

現(xiàn)有的RENA濕法刻蝕裝置包括：刻蝕槽、水噴淋槽、堿槽、水噴淋槽、去PSG槽、水噴淋槽和吹干裝置；其中，刻蝕槽包括槽體和蓋板。

然而，實(shí)際應(yīng)用中發(fā)現(xiàn)，在利用RENA濕法刻蝕裝置進(jìn)行生產(chǎn)的過(guò)程中，存在如下問(wèn)題：RENA濕法刻蝕裝置的刻蝕槽的蓋板常出現(xiàn)水汽凝結(jié)的現(xiàn)象，凝結(jié)的液滴會(huì)滴落在正在流通的硅片上，在硅片上發(fā)生腐蝕反應(yīng)，導(dǎo)致硅片的外觀不良甚至PN結(jié)被破壞，使得硅片返工，目前實(shí)際返工率可達(dá)0.7%~0.8%左右，造成了產(chǎn)量下降和成本浪費(fèi)。

因此，改進(jìn)現(xiàn)有的RENA濕法刻蝕裝置，以防止產(chǎn)生刻蝕槽蓋板處的水汽凝結(jié)現(xiàn)象，降低返工率，顯然具有積極的現(xiàn)實(shí)意義。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本實(shí)用新型的發(fā)明目的是提供一種RENA濕法刻蝕裝置。

為達(dá)到上述發(fā)明目的，本實(shí)用新型采用的技術(shù)方案是：一種RENA濕法刻蝕裝置，包括刻蝕槽，所述刻蝕槽包括槽體和蓋板，所述蓋板的上方設(shè)有至少2個(gè)加熱燈，且加熱燈的輻射區(qū)域?qū)?yīng)于整個(gè)蓋板區(qū)域。

上文中，所述加熱燈的作用是用來(lái)給其下方的蓋板加熱，在加熱燈對(duì)刻蝕槽蓋板的加熱下，酸霧不會(huì)在蓋板下方形成，可避免酸液滴的形成，且能夠提高液面和蓋板之間的水汽的溫度，以減少水汽和蓋板之間的溫差，從而防止水汽在蓋板處冷凝而出現(xiàn)滴液現(xiàn)象，從而減少硅片返工，提升刻蝕良率。然而，現(xiàn)有技術(shù)中的加熱燈存在輻射不均勻的情況，尤其是蓋板邊緣往往得不到加熱，因此存在極大的瑕疵。針對(duì)這個(gè)新問(wèn)題，本實(shí)用新型對(duì)加熱燈的位置進(jìn)行了布置，并配合加熱燈的形狀進(jìn)行綜合調(diào)整，使加熱燈的輻射區(qū)域?qū)?yīng)于整個(gè)蓋板區(qū)域，最終解決了輻射不均勻的問(wèn)題。

優(yōu)選的，所述刻蝕槽包括4個(gè)蓋板，所述加熱燈的輻射區(qū)域?qū)?yīng)于刻蝕槽后部的3個(gè)蓋板區(qū)域。

優(yōu)選的，所述加熱燈和其下方的蓋板之間的高度為40~60cm。

上述技術(shù)方案中，所述加熱燈通過(guò)安裝桿吊設(shè)于所述蓋板的上方。

優(yōu)選的，所述加熱燈相對(duì)于安裝桿具有上下運(yùn)動(dòng)的自由度。即安裝桿為可伸縮結(jié)構(gòu)，或者，安裝桿為螺栓，而加熱燈通過(guò)螺母安裝于螺栓上，此時(shí)，加熱燈可以相對(duì)于安裝桿實(shí)現(xiàn)上下運(yùn)動(dòng)。

優(yōu)選的，所述加熱燈為長(zhǎng)條形的加熱燈。

上述技術(shù)方案中，所述加熱燈包括加熱燈管和不銹鋼燈罩，所述不銹鋼燈罩向下出光的角度為100~150度。

優(yōu)選的，所述蓋板的上方設(shè)有3個(gè)長(zhǎng)條形的加熱燈，且其中1個(gè)加熱燈豎直設(shè)置，另外2個(gè)加熱燈水平設(shè)置。

與之相應(yīng)的另一種技術(shù)方案，所述蓋板的上方設(shè)有3個(gè)長(zhǎng)條形的加熱燈，且3個(gè)加熱燈均豎直設(shè)置，均布于蓋板的上方。

優(yōu)選的，所述加熱燈的長(zhǎng)度為800~1000mm，寬度為120~140mm。所述加熱燈的功率為400~1000W。電壓為220V。

由于上述技術(shù)方案運(yùn)用，本實(shí)用新型與現(xiàn)有技術(shù)相比具有下列優(yōu)點(diǎn)：

1、本實(shí)用新型能夠提高液面和蓋板之間的水汽的溫度，以減少水汽和蓋板之間的溫差，從而防止水汽在蓋板處冷凝而出現(xiàn)滴液現(xiàn)象，從而減少硅片返工，提升刻蝕良率，實(shí)驗(yàn)證明：采用本實(shí)用新型的裝置之后，可以大大減少滴液對(duì)硅片的返工，目前可降至0.17%左右，取得了顯著的效果，顯然具有積極的現(xiàn)實(shí)意義；

2、本實(shí)用新型的設(shè)備結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，與現(xiàn)有工業(yè)化生產(chǎn)工藝兼容性較好，可以快速移植到工業(yè)化生產(chǎn)中，適于推廣應(yīng)用。

附圖說(shuō)明

圖1是本實(shí)用新型實(shí)施例一中刻蝕槽的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖2是本實(shí)用新型實(shí)施例一中刻蝕槽和加熱燈的俯視圖。

圖3是本實(shí)用新型實(shí)施例一中加熱燈的結(jié)構(gòu)示意圖。

其中：1、槽體；2、蓋板；3、加熱燈；4、加熱燈管；5、不銹鋼燈罩；6、安裝桿。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)一步描述。

實(shí)施例一：

參見圖1~3所示，一種RENA濕法刻蝕裝置，包括刻蝕槽，所述刻蝕槽包括槽體1和蓋板2，所述刻蝕槽包括4個(gè)蓋板，所述蓋板的上方設(shè)有3個(gè)加熱燈3，所述加熱燈的輻射區(qū)域?qū)?yīng)于刻蝕槽后部的3個(gè)蓋板的整個(gè)區(qū)域。

所述刻蝕槽上還設(shè)有抽風(fēng)盒和抽風(fēng)管；參見圖1所示，其左側(cè)為上料位。

所述蓋板的上方設(shè)有3個(gè)長(zhǎng)條形的加熱燈。其中1個(gè)加熱燈豎直設(shè)置，另外2個(gè)加熱燈水平設(shè)置。參見圖2所示，左側(cè)的加熱燈豎直設(shè)置，其左側(cè)距離蓋板邊緣的尺寸為60cm，其頂部和尾部距離蓋板邊緣的尺寸均為30~40cm。另外2個(gè)加熱燈水平設(shè)置，其左側(cè)邊緣與豎直設(shè)置的加熱燈之間的距離為30cm，其頂部和尾部距離蓋板邊緣的尺寸均為30~40cm。

所述加熱燈通過(guò)安裝桿6吊設(shè)于所述蓋板的上方。

所述加熱燈為長(zhǎng)條形的加熱燈。所述加熱燈的功率為500W，電壓為220V。所述加熱燈的長(zhǎng)度為900mm，寬度為130mm。所述加熱燈包括加熱燈管4和不銹鋼燈罩5。

實(shí)施例二：

一種RENA濕法刻蝕裝置，包括刻蝕槽，所述刻蝕槽包括槽體和蓋板，所述刻蝕槽包括4個(gè)蓋板，所述蓋板的上方均布有3個(gè)加熱燈3，所述加熱燈的輻射區(qū)域?qū)?yīng)于刻蝕槽后部的3個(gè)蓋板的整個(gè)區(qū)域。

所述加熱燈通過(guò)安裝桿吊設(shè)于所述蓋板的上方。安裝桿為可伸縮結(jié)構(gòu)，所述加熱燈相對(duì)于安裝桿具有上下運(yùn)動(dòng)的自由度。所述加熱燈和其下方的蓋板之間的高度為40~60cm。

所述加熱燈為長(zhǎng)條形的加熱燈。所述加熱燈包括加熱燈管和不銹鋼燈罩。所述不銹鋼燈罩向下出光的角度為100~150度。

所述蓋板的上方設(shè)有3個(gè)長(zhǎng)條形的加熱燈，且3個(gè)加熱燈均豎直設(shè)置，均布于蓋板的上方。

對(duì)所公開的實(shí)施例的上述說(shuō)明，使本領(lǐng)域?qū)I(yè)技術(shù)人員能夠?qū)崿F(xiàn)或使用本實(shí)用新型。對(duì)這些實(shí)施例的多種修改對(duì)本領(lǐng)域的專業(yè)技術(shù)人員來(lái)說(shuō)將是顯而易見的，本文中所定義的一般原理可以在不脫離本實(shí)用新型的精神或范圍的情況下，在其它實(shí)施例中實(shí)現(xiàn)。因此，本實(shí)用新型將不會(huì)被限制于本文所示的這些實(shí)施例，而是要符合與本文所公開的原理和新穎特點(diǎn)相一致的最寬的范圍。