本申請是申請日為2013年12月24日、申請?zhí)枮?01310722113.8、發(fā)明名稱為“安裝部件和光耦合器”的發(fā)明專利申請的分案申請。

相關(guān)申請的交叉引用

本申請是基于2013年9月12日提交的日本專利申請no.2013-189400提出的，并且要求其優(yōu)先權(quán)，該申請的全部內(nèi)容通過引用包含在本文中。

本發(fā)明總的來說涉及安裝部件和光耦合器。

背景技術(shù)：

光耦合器(包括光控繼電器)可以利用光發(fā)射元件將輸入電信號轉(zhuǎn)換成光信號，利用光接收元件接收光信號，然后輸出電信號。因此，光耦合器可以在輸入側(cè)和輸出側(cè)彼此絕緣的狀態(tài)下傳輸電信號。

在工業(yè)設(shè)備、辦公設(shè)備和家用電器設(shè)備中，諸如dc電壓系統(tǒng)、ac電源系統(tǒng)、電話線系統(tǒng)和控制系統(tǒng)等不同的電源系統(tǒng)布置在一個設(shè)備中。然而，如果不同的電源系統(tǒng)被直接連接，則可能出現(xiàn)操作故障。

如果使用光耦合器，在不同的電源之間提供絕緣，因此可以抑制操作故障。

例如，包括用于ac負載的光耦合器的大量光耦合器用在變頻空調(diào)等中。在lsi試驗器中進行信號切換的情況下，使用非常大量的光耦合器。在這種情況下，鑒于減小安裝到基板上的面積的必要性，急切需要小型化。即使利用小尺寸，也需要保持高防潮性和可靠性。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明的實施例提供了具有高防潮性和可靠性的光耦合器。

總的來說，根據(jù)一個實施例，安裝部件包括：絕緣基板、第一晶片墊單元、第一端子和第二端子。絕緣基板具有矩形的第一表面、位于所述第一表面的相反側(cè)的第二表面、第一側(cè)面、位于所述第一側(cè)面的相反側(cè)的第二側(cè)面、第三側(cè)面和位于所述第三側(cè)面的相反側(cè)的第四側(cè)面。通孔設(shè)置成從所述第一表面延伸到所述第二表面。第一晶片墊單元設(shè)置在所述第一表面上。第一端子具有覆蓋所述第一側(cè)面、所述第一表面和所述第二表面的導(dǎo)電區(qū)域。第二端子具有導(dǎo)電區(qū)域，所述導(dǎo)電區(qū)域覆蓋所述第二側(cè)面和所述第二表面，經(jīng)由設(shè)置在所述通孔中或者所述通孔的側(cè)壁上的導(dǎo)電材料與所述第一晶片墊單元相連，并且與所述第一端子絕緣。從上面看時，所述第一晶片墊單元、所述第一端子和所述第二端子在所述絕緣基板的第一表面上彼此分開。

附圖說明

圖1a是根據(jù)第一實施例的安裝部件的示意性平面圖，圖1b是沿線a-a截取的示意性剖視圖；

圖2a是使用根據(jù)第一實施例的安裝部件的光耦合器的示意性平面圖，圖2b是沿線a-a截取的示意性剖視圖；

圖3a是根據(jù)第二實施例的安裝部件的示意性平面圖，圖3b是沿線a-a截取的示意性剖視圖，圖3c是變型例沿線a-a截取的示意性剖視圖；

圖4a是使用根據(jù)第二實施例的安裝部件的光耦合器的示意性平面圖，圖4b是沿線a-a截取的示意性剖視圖；

圖5a是使用根據(jù)第三實施例的安裝部件的光耦合器的示意性透視圖，圖5b是沿線a-a截取的示意性剖視圖，圖5c是密封之前的示意性透視圖；

圖6a至圖6h是示出根據(jù)比較例的對置型光耦合器的制造方法的示意圖；

圖7a是在第三實施例的安裝部件的變型例切割之前的示意性平面圖，圖7b是沿線b-b截取的示意性剖視圖；

圖8是圖5所示的光耦合器的構(gòu)造圖；以及

圖9是使用根據(jù)第二實施例的變型例的安裝部件的光耦合器的示意性透視圖。

具體實施方式

下文中，參考附圖描述本發(fā)明的實施例。

圖1a是根據(jù)第一實施例的安裝部件的示意性平面圖，圖1b是沿線a-a截取的示意性剖視圖。

安裝部件包括絕緣基板10、第一晶片墊單元40、第一端子20和第二端子30。

絕緣基板10具有矩形的第一表面10a、位于第一表面10a的相反側(cè)的第二表面10b、第一側(cè)面10c、位于第一側(cè)面10c的相反側(cè)的第二側(cè)面10d、第三側(cè)面10e和位于第三側(cè)面10e的相反側(cè)的第四側(cè)面10f；并且設(shè)置有從第一表面10a延伸到第二表面10b的通孔10g。絕緣基板10可以由玻璃纖維等制成，并且可以具有0.1至0.5mm等的厚度。

絕緣基板10的第一側(cè)面10c和第二側(cè)面10d可以設(shè)置有槽口10h。槽口10h的內(nèi)壁可以設(shè)置有導(dǎo)電材料。

第一端子20具有例如兩個導(dǎo)電區(qū)域21和22。在每個導(dǎo)電區(qū)域21和22中，設(shè)置在第一表面10a上的導(dǎo)電區(qū)域和設(shè)置在第二表面10b上的導(dǎo)電區(qū)域經(jīng)由第一側(cè)面10c的導(dǎo)電區(qū)域相連。當(dāng)利用焊接帶等將第一側(cè)面10c的導(dǎo)電區(qū)域和諸如電路板等互連單元結(jié)合時，容易檢查焊接材料的結(jié)合狀態(tài)。如圖1所示，在第一側(cè)面10c上設(shè)置槽口10h，并且在槽口10h的表面上設(shè)置導(dǎo)電區(qū)域也是可以的。

類似地，第二端子30具有例如兩個導(dǎo)電區(qū)域31和32。在每個導(dǎo)電區(qū)域31和32中，設(shè)置在第一表面10a上的導(dǎo)電區(qū)域和設(shè)置在第二表面10b上的導(dǎo)電區(qū)域經(jīng)由設(shè)置在槽口10h上的導(dǎo)電區(qū)域相連。

第一晶片墊單元40設(shè)置在第一表面10a上。第二端子30經(jīng)由導(dǎo)電材料與第一晶片墊單元40相連。導(dǎo)電材料包括設(shè)置在通孔10g中的膏層或鍍層或者設(shè)置在通孔10g的側(cè)壁上的導(dǎo)電金屬化區(qū)域。第二端子30與第一端子20絕緣。

第一晶片墊單元40、第一端子20和第二端子30的導(dǎo)電區(qū)域可以由設(shè)置在絕緣基板10的第一表面10a上的cu箔、層疊在cu箔上的ni、au等的鍍層等制成。從上面看時，第一晶片墊單元40、第一端子20和第二端子30在絕緣基板10的第一表面10a上彼此分開。

圖2a是使用根據(jù)第一實施例的安裝部件的光耦合器的示意性平面圖，圖2b是沿線a-a截取的示意性剖視圖。

光耦合器包括圖1的安裝部件5、光接收元件50、光發(fā)射元件60和密封樹脂層90。光接收元件50結(jié)合到第一晶片墊單元40上，并且光接收元件50的上表面具有光接收面。光發(fā)射元件60從其背面向光接收元件50的上表面發(fā)射光。結(jié)合層52具有透光性和絕緣性，并且將光發(fā)射元件60結(jié)合到光接收元件50的上表面上。結(jié)合層52可以由含有聚酰亞胺樹脂、環(huán)氧樹脂、硅樹脂等的絕緣膠等制成，并且密封樹脂層90可以由環(huán)氧樹脂、硅樹脂等制成。

光發(fā)射元件60的陽極和陰極分別經(jīng)由結(jié)合導(dǎo)線等與第一端子21和22相連。設(shè)置在光接收元件50的第一表面上的一個電極經(jīng)由結(jié)合導(dǎo)線等與第二端子32相連。光接收元件50的另一個電極(例如，設(shè)置在背面上)結(jié)合到第一晶片墊單元40上，并且經(jīng)由通孔10g與第二端子31相連。

密封樹脂層90覆蓋光接收元件50、光發(fā)射元件60和絕緣基板10的第一表面10a，并且保護光發(fā)射元件60、光接收元件50、結(jié)合導(dǎo)線等。從上面看時，第一晶片墊單元40、第一端子20和第二端子30在絕緣基板10的第一表面10a上彼此分開。因此，密封樹脂層90牢固地附著到絕緣基板10的第一表面10a上，并且可以保持高防潮性和可靠性。

圖3a是根據(jù)第二實施例的安裝部件的示意性平面圖，圖3b是沿線a-a截取的示意性剖視圖，以及圖3c是變型例沿線a-a截取的示意性剖視圖。

安裝部件5包括絕緣基板10、第一端子20和第二端子30。

絕緣基板10具有矩形的第一表面10a、位于第一表面10a的相反側(cè)的第二表面10b、第一側(cè)面10c、位于第一側(cè)面10c的相反側(cè)的第二側(cè)面10d、第三側(cè)面10e和位于第三側(cè)面10e的相反側(cè)的第四側(cè)面10f。

槽口10h可以設(shè)置在絕緣基板10的第一側(cè)面10c和第二側(cè)面10d上。槽口10h的側(cè)面可以設(shè)置導(dǎo)電區(qū)域。

第一端子20具有兩個導(dǎo)電區(qū)域21和22。在每個導(dǎo)電區(qū)域21和22中，設(shè)置在第一表面10a上的導(dǎo)電區(qū)域和設(shè)置在第二表面10b上的導(dǎo)電區(qū)域經(jīng)由設(shè)置在槽口10h上的導(dǎo)電區(qū)域相連。

第二端子30具有兩個導(dǎo)電區(qū)域31和32。在每個導(dǎo)電區(qū)域31和32中，設(shè)置在第一表面10a上的導(dǎo)電區(qū)域和設(shè)置在第二表面10b上的導(dǎo)電區(qū)域經(jīng)由設(shè)置在槽口10h上的導(dǎo)電區(qū)域相連。第二端子30和第一端子20相絕緣。

在圖3b中，第一端子20和第二端子30均具有第一導(dǎo)電區(qū)域aa和第二導(dǎo)電區(qū)域bb，第一導(dǎo)電區(qū)域aa包括含有au或ag的表面保護層，第二導(dǎo)電區(qū)域bb具有由cu等制成的與第一導(dǎo)電區(qū)域aa的表面保護層不同的表面。從上面看時，第一端子20和第二端子30在絕緣基板10的第一表面10a上彼此分開。

cu形成主電流路徑。第一導(dǎo)電區(qū)域aa含有cu和設(shè)置在cu上的au或ag，并且設(shè)置成可靠地形成半導(dǎo)體元件和導(dǎo)線的結(jié)合。

然而，在第一導(dǎo)電區(qū)域aa，au或ag具有不足以附著到密封樹脂層90上的附著性，并且具有不足的防潮性和可靠性。因此，在cu形成之后，用掩膜等覆蓋將要形成第二導(dǎo)電區(qū)域bb的區(qū)域，以便不在該區(qū)域形成au或ag。采用這種方式，可以提高密封樹脂層90和第二端子31的具有由cu制成的表面層的第二導(dǎo)電區(qū)域bb之間的附著性。

作為選擇，如圖3c所示，第一端子20和第二端子30分別設(shè)置有含有位于cu上的au、ag等的表面保護層23和33，并且掩膜等設(shè)置在第一端子20和第二端子30的第一導(dǎo)電區(qū)域aa上，以形成第二導(dǎo)電區(qū)域。第二導(dǎo)電區(qū)域cc構(gòu)造成在其表面中含有與密封樹脂層90的附著性優(yōu)良的cu、ni、pd等，或者構(gòu)造成在其表面中包括大約至少幾納米的氧化膜等。與第一導(dǎo)電區(qū)域aa的表面相比，第二導(dǎo)電區(qū)域cc的表面的氧化物的厚度優(yōu)選地設(shè)定得較厚。

圖4a是使用根據(jù)第二實施例的安裝部件的光耦合器的示意性平面圖，以及圖4b是沿線a-a截取的示意性剖視圖。

光耦合器包括圖3所示的安裝部件5、結(jié)合到第二端子31上并在上表面具有光接收面的光接收元件50、向光接收面發(fā)射光的光發(fā)射元件60、具有透光性和絕緣性并且將光發(fā)射元件60結(jié)合到光接收元件50的上表面上的結(jié)合層52、以及密封樹脂層90。

光發(fā)射元件60的陽極和陰極分別經(jīng)由結(jié)合導(dǎo)線等與第一端子21和22的第一導(dǎo)電區(qū)域aa相連。設(shè)置在光接收元件50的第一表面上的一個電極經(jīng)由結(jié)合導(dǎo)線等與第二端子32的第一導(dǎo)電區(qū)域aa相連。光接收元件50的另一個電極設(shè)置在其下表面上，并且結(jié)合到第二端子31上。

密封樹脂層90覆蓋光接收元件50、光發(fā)射元件60、絕緣基板10的第一表面10a、以及在第一端子20和第二端子30的每一個上的每一個第一導(dǎo)電區(qū)域aa和第二導(dǎo)電區(qū)域bb，并且保護內(nèi)部。因此，密封樹脂層90牢固地附著到安裝部件5上，并且可以保持高防潮性和可靠性。

圖5a是使用根據(jù)第三實施例的安裝部件的光耦合器的示意性透視圖，圖5b是沿線a-a截取的示意性剖視圖，以及圖5c是密封之前的示意性透視圖。

安裝部件5還包括設(shè)置在第一表面10a的位于第二端子30和第一晶片墊單元40之間的區(qū)域上的第二晶片墊單元41。

在根據(jù)第三實施例的安裝部件5中，從上面看時，第一晶片墊單元40、第二晶片墊單元41、第一端子20和第二端子30在絕緣基板10的第一表面10a上彼此分開。

光耦合器包括安裝部件5、結(jié)合到第二晶片墊單元41上的mosfet(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)70、結(jié)合到第一晶片墊單元40上并在上表面具有光接收面的光接收元件50、向光接收面發(fā)射光的光發(fā)射元件60、具有透光性和絕緣性并且將光發(fā)射元件60結(jié)合到光接收元件50的上表面上的結(jié)合層52、以及密封樹脂層90。上表面具有光接收面的光接收元件50和向光接收面發(fā)射光的光發(fā)射元件60可以覆蓋有透明硅樹脂89(由虛線示出)等。

mosfet70的數(shù)量可以是一個，但是在該圖中，包括以共源極方式相連的兩個元件。當(dāng)假定每個mosfet70的芯片背面是漏極時，第二端子31和32形成mosfet的漏極。

密封樹脂層90覆蓋光接收元件50、光發(fā)射元件60、絕緣基板10的第一表面10a、導(dǎo)電區(qū)域21、22、31和32、以及mosfet70，并且保護內(nèi)部。在光接收元件50和光發(fā)射元件60覆蓋有透明硅樹脂89等的情況下，當(dāng)安裝部件5構(gòu)造成使得mosfet70的安裝座的外邊緣與密封樹脂層90的外邊緣之間的距離dd為40μm或類似值并且光接收元件50的安裝座的外邊緣與密封樹脂層90的外邊緣之間的距離ee為70μm或類似值時，密封樹脂層90牢固地附著到絕緣基板10的第一表面10a上，并且可以保持高防潮性和可靠性。

[表1]

表1示出了總泄露試驗關(guān)于密封樹脂層的外邊緣與安裝座的外邊緣之間的距離的失效率。

如表1所示，光接收元件50的安裝座的外邊緣與密封樹脂層90的外邊緣之間的距離ee需要設(shè)定為大于mosfet70的安裝座的外邊緣與密封樹脂層90的外邊緣之間的距離dd。此外，當(dāng)距離dd為最小值時，距離ee優(yōu)選地比距離dd長至少15μm。作為選擇，當(dāng)距離ee為最小值時，距離dd優(yōu)選地比(距離ee-15μm)大。結(jié)果，即使在高溫和高濕的環(huán)境下，mosfet70、光發(fā)射元件60、光接收元件50以及將這些元件相連的結(jié)合導(dǎo)線也可以保持長期高可靠性。

光耦合器包括安裝部件5、結(jié)合到第二晶片墊單元41上的mosfet70、結(jié)合到第一晶片墊單元40上并在上表面具有光接收面的光接收元件50、向光接收面發(fā)射光的光發(fā)射元件60、以及第一端子20和第二端子30，并且設(shè)計為具有最小的構(gòu)造面積。作為實例，安裝部件5的面積可以為大約3.6mm²。此時，可以使mosfet70為0.28mm²，并且可以使光接收元件50為0.58mm²或類似值；同時可以使每個元件與安裝部件5的面積比為大約32％，并且可以使第一晶片墊單元40和第二晶片墊單元41與安裝部件5的面積比為61％。因此，與傳統(tǒng)尺寸相比，該尺寸可以顯著地減小。另外，可以確保第一表面10a與密封樹脂層90之間的附著面積為39％，并且即使在高溫和高濕的環(huán)境下也可以保持長期高可靠性。在小于該附著面積的情況下，由于從密封樹脂層90等的外邊緣剝落導(dǎo)致不能保持長期可靠性。

在圖5b所示的沿線a-a截取的示意性剖視圖中，可以使由安裝部件5、結(jié)合到第二晶片墊單元41上的mosfet70、結(jié)合到第一晶片墊單元40上并在上表面具有光接收面的光接收元件50、向光接收面發(fā)射光的光發(fā)射元件60以及將光發(fā)射元件60的電極與第一端子20結(jié)合的結(jié)合導(dǎo)線bw1和bw2構(gòu)成的豎直高度為大約0.94mm；并且即使假定誤差最大為0.11mm，高度也為1.05mm。因此，結(jié)合導(dǎo)線bw1和bw2的上表面不從密封樹脂層90突出，并且可以進行設(shè)計使得安裝部件5和密封樹脂層90的總厚度為1.3mm，該值是可以保持長期可靠性的最小值。能夠使包括透明硅樹脂89的結(jié)合導(dǎo)線bw1和bw2與密封樹脂層90的外邊緣之間的距離ff為0.11mm，并且當(dāng)距離ff在直到1.16mm的范圍內(nèi)時可以類似地獲得可靠性。利用從上表面看時至少類似于密封樹脂層90的外邊緣與光接收元件50之間的距離ee的標(biāo)準(zhǔn)金屬模具可以使距離ff為70μm?？梢允褂酶呔_的金屬模具來獲得大約30μm。如圖5c所示，利用電鍍等形成的內(nèi)壁導(dǎo)電區(qū)域(31m、32m等)可以設(shè)置在設(shè)置于絕緣基板10的側(cè)面上的槽口的內(nèi)壁面上，并且可以與導(dǎo)電區(qū)域21、22、31和32中的每一個相連。

圖6a至圖6h是示出根據(jù)比較例的對置型光耦合器的制造方法的示意圖。也就是說，圖6a是光發(fā)射側(cè)引線框的示意性部分側(cè)視圖，圖6b是圖6a的示意性部分平面圖，圖6c是光接收側(cè)引線框的示意性部分側(cè)視圖，圖6d是圖6a的示意性部分平面圖，圖6e是兩個引線框?qū)χ玫氖疽庑詡?cè)視圖，圖6f是用透明樹脂覆蓋芯片的結(jié)構(gòu)的示意性剖視圖，圖6g是利用光屏蔽樹脂模制透明樹脂和引線框的結(jié)構(gòu)的示意性剖視圖，以及圖6h是引線切割之后的示意性剖視圖。

如圖6a和圖6b所示，光發(fā)射元件111結(jié)合到光發(fā)射側(cè)引線框100。圖6a是沿線c-c截取的示意性部分剖視圖。如圖6c和圖6d所示，光接收元件121和兩個mosfet131和132結(jié)合到光接收側(cè)引線框200。圖6c是沿線d-d截取的示意性部分剖視圖。

光發(fā)射側(cè)引線框100和光接收側(cè)引線框200如圖6e所示被彼此對置。用透明樹脂160覆蓋光發(fā)射元件111、光接收元件121以及兩個mosfet131和132。透明樹脂160的形狀由表面張力等確定，并且形成光傳播路徑。

如圖6g所示，利用光屏蔽樹脂170密封透明樹脂160、光發(fā)射側(cè)引線框100和光接收側(cè)引線框200。如圖6h所示，光發(fā)射側(cè)引線框100和光接收側(cè)引線框200被切割和利用成形進行處理；從而形成光耦合器。

在比較例中，必要的是，引線框與光屏蔽樹脂170的端面之間的厚度以及透明樹脂160與光屏蔽樹脂170的端面之間的厚度設(shè)定為例如0.5mm或以上，以抑制由熱應(yīng)力引起的光屏蔽樹脂170出現(xiàn)裂縫。因此，使光耦合器小型化和薄型化是困難的。此外，在比較例的結(jié)構(gòu)中，所獲得的裝置的數(shù)量小于利用第一實施例的安裝部件的基板結(jié)構(gòu)的數(shù)量，并且難以提高批量生產(chǎn)率。

圖7a是在第三實施例的安裝部件的變型例切割之前的示意性平面圖，圖7b是沿線b-b截取的示意性剖視圖。

在絕緣基板10的變型例中，設(shè)置有用于將第二晶片墊單元41和第二端子30相連的通孔10g、用于第一端子20和第二端子30的槽口10h的通孔，以及分離溝部94。在執(zhí)行光發(fā)射元件和光接收元件的結(jié)合和導(dǎo)線結(jié)合之后，設(shè)置密封樹脂層90。在這種情況下，密封樹脂層90被放入分離溝部94中，然后固化。

在圖7b中，假定mosfet70結(jié)合到第二晶片墊單元41上。在分離處理之后，第三側(cè)面10e和第四側(cè)面10f由放入分離溝部94中的密封樹脂層90覆蓋。因此，可以進一步增強與絕緣基板10的附著性；這樣，與不設(shè)置分離溝部94的情形相比，mosfet70的外邊緣與密封樹脂層90的外邊緣之間的距離gg可以更短。分離溝部94可以是細長的通孔、細長的凹部等等。

圖8是圖5所示的光耦合器的構(gòu)造圖。

光接收元件50還可以包括控制電路50a?？刂齐娐?0a與光電二極管陣列50b的第一電極和第二電極相連。通過這種構(gòu)造，可以向以共源極連接的方式相連的每個mosfet70的柵極供應(yīng)電壓。

mosfet70可以是例如n通道的增強型。mosfet70與光電二極管陣列50b的第二電極相連。每個柵極與第一電極相連，并且每個漏極d用作輸出端子。

當(dāng)光信號打開時，兩個mosfet70都變成打開，并且經(jīng)由第二端子(輸出端子)30與包括電源和負載的外部電路相連。另一方面，當(dāng)光信號關(guān)閉時，兩個mosfet70都變成關(guān)閉，并且與外部電路斷開。在共源極連接的情況下，可以實現(xiàn)線性輸出，并且模擬信號與ac信號的轉(zhuǎn)換變得容易。

圖9是使用根據(jù)第二實施例的變型例的安裝部件的光耦合器的示意性透視圖。

安裝部件5還包括設(shè)置在第一表面10a的位于第一端子20和第二端子30之間的區(qū)域上的第二晶片墊單元41。

從上面看時，第二晶片墊單元41、第一端子20和第二端子30在絕緣基板10的第一表面10a上彼此分開。mosfet70與選擇性地設(shè)置在第二端子30的兩個導(dǎo)電區(qū)域31和32中的第一導(dǎo)電區(qū)域aa相連。

該光耦合器包括安裝部件5、結(jié)合到第二端子31和32上的mosfet70、結(jié)合到晶片墊單元40上并在上表面具有光接收面的光接收元件50、向光接收面發(fā)射光的光發(fā)射元件60、具有透光性和絕緣性并且將光發(fā)射元件60結(jié)合到光接收元件50的上表面上的結(jié)合層52、以及密封樹脂層90。

mosfet70的數(shù)量可以是一個，但是在圖8和圖9中，包括以共源極連接的兩個元件。當(dāng)假定每個mosfet70的芯片背面是漏極時，第二端子31和32形成mosfet的漏極。

密封樹脂層90覆蓋光接收元件50、光發(fā)射元件60、絕緣基板10的第一表面10a、以及第二端子30的第二導(dǎo)電區(qū)域bb，并且保護內(nèi)部。即使在高溫和高濕的環(huán)境下，mosfet70、光發(fā)射元件60、和光接收元件50也可以保持長期高可靠性。

圖5和圖9所示的光耦合器容易小型化和薄型化，并且實現(xiàn)大的批量生產(chǎn)。另外，增強了密封樹脂層90與安裝部件5之間的附著性，并且能夠改善防潮性。因此，即使在高溫和高濕的環(huán)境下也可以保持高可靠性。

這些光耦合器可以廣泛用在工業(yè)設(shè)備、辦公設(shè)備、家用電器設(shè)備等中。因此，在包括不同光源的裝置中，可以保持操作正常和穩(wěn)定。

雖然已經(jīng)描述了一些實施例，但是這些實施例僅僅作為實例提出，并不用于限定本發(fā)明的范圍。當(dāng)然，本文描述的新穎性實施例可以以多種其它形式來實現(xiàn)；此外，可以對本文描述的實施例的形式進行各種省略、替換和修改，而不偏離本發(fā)明的主旨。所附權(quán)利要求及其等同物用來覆蓋落入本發(fā)明范圍和主旨內(nèi)的這些形式或修改。