本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種修補(bǔ)顯示裝置中金屬層短路的方法。

背景技術(shù)：

顯示裝置，例如液晶顯示裝置，以其顯示品質(zhì)高、價格低廉、攜帶方便等優(yōu)點，成為移動通訊設(shè)備、pc、tv等的顯示裝置。請參見圖1和圖2，目前顯示裝置在陣列基板上逐層形成第一金屬層120、介電層130、第二金屬層140，第一金屬層120例如包括掃描線、薄膜晶體管的柵極；第二金屬層140例如包括數(shù)據(jù)線、薄膜晶體管的源極和漏極。在制程中，如果介電層130中存在導(dǎo)電顆粒異物(particle，圖1和圖2中以導(dǎo)電顆粒異物為例進(jìn)行說明)或者小孔(移除掉顆粒異物會產(chǎn)生小孔，第二金屬層的金屬材料流到小孔中)，導(dǎo)致第一金屬層120和第二金屬層140短路，從而造成此種液晶顯示裝置報廢，提高了成本。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明實施例所要解決的技術(shù)問題在于，提供一種修補(bǔ)顯示裝置中金屬層短路的方法?？筛纳骑@示裝置的短路。

為了解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明實施例提供了一種修補(bǔ)顯示裝置中金屬層短路的方法，包括：

在陣列基板上形成第一金屬層；

在所述第一金屬層上形成介電層；

在所述介電層上沉積形成初始金屬層；

在所述初始金屬層上形成光阻層；

曝光、顯影移除部分所述光阻層；

獲得所述第一金屬層與所述初始金屬層短路的瑕疵點的信息；

移除所述瑕疵點上的所述光阻層；

蝕刻所述初始金屬層以形成第二金屬層。

在本發(fā)明一實施例中，所述介電層包括絕緣層，或者，所述介電層包括絕緣層和半導(dǎo)體層。

在本發(fā)明一實施例中，移除瑕疵點上的光阻層是通過激光打掉。

在本發(fā)明一實施例中，所述激光從所述光阻層遠(yuǎn)離所述陣列基板一側(cè)射出。

在本發(fā)明一實施例中，所述蝕刻初始金屬層以形成第二金屬層的步驟具體包括：

蝕刻所述瑕疵點處的所述初始金屬層；

蝕刻除所述瑕疵點處之外且未被所述光阻層遮住的所述初始金屬層以形成第二金屬層。

在本發(fā)明一實施例中，所述瑕疵點處存在導(dǎo)電顆粒異物；或者所述瑕疵點處存在初始金屬層，所述初始金屬層與所述第一金屬層電連接，所述初始金屬層與所述第二金屬層斷開。

在本發(fā)明一實施例中，所述第一金屬層包括掃描線、薄膜晶體管的柵極和/或與掃描線同層的金屬走線，所述第二金屬層包括數(shù)據(jù)線、薄膜晶體管的源極、薄膜晶體管的漏極和/或與數(shù)據(jù)線同層的金屬走線。

在本發(fā)明一實施例中，所述顯示裝置包括柵極驅(qū)動器，所述柵極驅(qū)動器位于陣列基板上，所述瑕疵點位于柵極驅(qū)動器所在的區(qū)域。

在本發(fā)明一實施例中，所述光阻為正光阻。

在本發(fā)明一實施例中，所述方法還包括：

在第二金屬層上形成鈍化層；

在鈍化層上形成像素電極層。

實施本發(fā)明實施例，具有如下有益效果：

由于修補(bǔ)顯示裝置中金屬線路短路的方法包括：獲得第一金屬層與初始金屬層短路的瑕疵點的信息，移除瑕疵點上的光阻層，蝕刻初始金屬層以形成第二金屬層。從而，第一金屬層和第二金屬層之間的短路已經(jīng)進(jìn)行了修補(bǔ)，從而此種顯示裝置還可以繼續(xù)使用，從而降低了成本。

附圖說明

為了更清楚地說明本發(fā)明實施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

圖1是現(xiàn)有技術(shù)第一金屬層和第二金屬層短路的示意圖；

圖2是現(xiàn)有技術(shù)第一金屬層和第二金屬層短路的剖視圖；

圖3是本發(fā)明一實施例修補(bǔ)顯示裝置中金屬層短路方法的流程圖；

圖4是對應(yīng)圖3中s104步驟的剖視圖；

圖5是對應(yīng)圖3中s105步驟的剖視圖；

圖6是對應(yīng)圖3中s107步驟的剖視圖；

圖7是對應(yīng)圖3中s108步驟的剖視圖；

圖8是本發(fā)明一實施例第一金屬層和第二金屬層修補(bǔ)后的示意圖；

圖示標(biāo)號：

110、210-陣列基板；120、220-第一金屬層；130、230-介電層；131、231-柵極絕緣層；132、232-半導(dǎo)體層；140、240-第二金屬層(初始金屬層)；180、280-顆粒異物。

具體實施方式

下面將結(jié)合本發(fā)明實施例中的附圖，對本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發(fā)明一部分實施例，而不是全部的實施例?；诒景l(fā)明中的實施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。

本申請說明書、權(quán)利要求書和附圖中出現(xiàn)的術(shù)語“包括”和“具有”以及它們?nèi)魏巫冃?，意圖在于覆蓋不排他的包含。例如包含了一系列步驟或單元的過程、方法、系統(tǒng)、產(chǎn)品或設(shè)備沒有限定于已列出的步驟或單元，而是可選地還包括沒有列出的步驟或單元，或可選地還包括對于這些過程、方法、產(chǎn)品或設(shè)備固有的其它步驟或單元。此外，術(shù)語“第一”、“第二”和“第三”等是用于區(qū)別不同的對象，而并非用于描述特定的順序。

本發(fā)明實施例提供一種修補(bǔ)顯示裝置中金屬層短路的方法，請參見圖3-圖8，包括：

s101:在陣列基板210上形成第一金屬層220；

在本實施例中，所述陣列基板210可以為玻璃基板，也可以為其他材料的基板，例如柔性基板、塑料基板等。在本實施例中，所述第一金屬層220包括掃描線、薄膜晶體管的柵極和/或與掃描線同層的金屬走線等。但本發(fā)明不限于此，在本發(fā)明的其他實施例中，所述第一金屬層包括數(shù)據(jù)線和/或與數(shù)據(jù)線同層的金屬走線等。

s102:在第一金屬層220上形成介電層230；

在本實施例中，所述介電層230包括柵極絕緣層231、半導(dǎo)體層232，但本發(fā)明不限于此，在本發(fā)明的其他實施例中，所述介電層還可以只包括柵極絕緣層231或者其他絕緣層。在本實施例中，由于制程的原因，所述絕緣層中可能存在導(dǎo)電顆粒異物280(particle，圖示中以顆粒異物為例進(jìn)行說明)或者小孔(顆粒異物280去掉后產(chǎn)生小孔或者其他原因產(chǎn)生小孔)，這些位置就是后面提到的瑕疵點的位置。

s103：在介電層230上沉積初始金屬層240；

在本實施例中，在介電層230上沉積初始金屬層240，所述初始金屬層240為一整層，所述初始金屬層240的材料例如為鉬、鋁或者合金材料。如果介電層230上存在顆粒異物280，顆粒異物280可能導(dǎo)電，從而導(dǎo)致第一金屬層220和初始金屬層240短路；如果介電層230上存在小孔，則沉積初始金屬層240時，初始金屬層240會對小孔進(jìn)行填充，從而導(dǎo)致初始金屬層240與第一金屬層220短路，該些短路的地方即為瑕疵點的位置。

s104：在初始金屬層240上形成光阻層；

請參見圖4，為了對初始金屬層240進(jìn)行圖案化，本實施例中在初始金屬層240上形成光阻層，所述光阻層為正光阻。所述光阻層在初始金屬層240上形成一整層。當(dāng)所述瑕疵點存在顆粒異物280時，所述光阻層在瑕疵點的位置會輕微往上拱起來，當(dāng)所述瑕疵點是存在小孔時，所述光阻層在瑕疵點的位置會輕微向下沉。

s105:曝光、顯影移除部分光阻層；

在本實施例中，請參見圖5，通過在光阻層上方設(shè)置光罩(mask)，對光阻層進(jìn)行曝光，其后進(jìn)行顯影，從而移除部分光阻層以對光阻層圖案化，方便后續(xù)對初始金屬層240的圖案化。

s106：獲得第一金屬層220與初始金屬層240短路的瑕疵點的信息；

為了修補(bǔ)第一金屬層220和初始金屬層240短路，需要獲得第一金屬層220與初始金屬層240短路的瑕疵點的信息，該信息為瑕疵點的位置信息。該瑕疵點的信息可以通過檢測機(jī)臺自動檢測獲得，也可以通過人工識別獲得。

s107：移除瑕疵點上的光阻層；

請參見圖6，由于有些瑕疵點上還存在光阻層，為了防止最終的顯示裝置中兩層金屬層的短路，在本實施例中，移除瑕疵點上的光阻層可以通過激光打掉，激光打掉光阻層比較精準(zhǔn)，范圍也比較集中，效果較好，而且成本也較低。在本實施例中，所述激光從光阻遠(yuǎn)離陣列基板210一側(cè)射出，也即從圖示中的上側(cè)射出。在本實施例中，通過激光打掉瑕疵點上光阻層可以通過機(jī)器自動打掉，也可以通過人工手動打掉。

s108：蝕刻初始金屬層240以形成第二金屬層240；

請參見圖7和圖8，在本實施例中，蝕刻初始金屬層240以形成第二金屬層240，所述第二金屬層240包括數(shù)據(jù)線、薄膜晶體管的源極、薄膜晶體管的漏極和/或與數(shù)據(jù)線同層的金屬走線等。在本發(fā)明的其他實施例中，所述第二金屬層包括像素電極層和/或與像素電極層同層的金屬走線等。在本實施例中，由于瑕疵點上的光阻層被移除，從而瑕疵點處的初始金屬層240被蝕刻掉或者與初始金屬層240的其他部分?jǐn)嚅_，也即與第二金屬層240斷開，從而第一金屬層220上的電信號不會經(jīng)由瑕疵點傳到第二金屬層240上，第二金屬層240上的電信號也不會經(jīng)由瑕疵點傳到第一金屬層220上，從而修補(bǔ)了第一金屬層220和第二金屬層240的短路，從而此種顯示裝置還可以正常使用，降低了生產(chǎn)成本。在本實施例中，初始金屬層240的蝕刻可以一次制程進(jìn)行蝕刻也可以分兩次制程進(jìn)行蝕刻，一次制程進(jìn)行蝕刻時，瑕疵點的初始金屬層240和未被光阻遮擋的初始金屬層240可以同一制程中進(jìn)行蝕刻；兩次制程進(jìn)行蝕刻時，未被光阻遮擋的初始金屬層240(瑕疵點處的光阻還未打掉)首先進(jìn)行蝕刻，其后，將瑕疵點處的光阻移除掉，然后對瑕疵點處的初始金屬層240進(jìn)行蝕刻。進(jìn)而，在本實施例中，蝕刻初始金屬層240的步驟具體包括：

蝕刻瑕疵點處的初始金屬層240；

在本實施例中，通過蝕刻瑕疵點處的初始金屬層240，從而可以修補(bǔ)第一金屬層220和后續(xù)形成的第二金屬層240的短路。

蝕刻除瑕疵點處之外且未被光阻遮住的初始金屬層240以形成第二金屬層240。

在本實施例中，通過蝕刻除瑕疵點處之外且未被光阻遮住的初始金屬層240以圖案化初始金屬層240，以形成第二金屬層240。

在本實施例中，由于修補(bǔ)顯示裝置中金屬線路短路的方法包括：獲得第一金屬層220與初始金屬層240短路的瑕疵點的信息，移除瑕疵點上的光阻層，蝕刻初始金屬層240以形成第二金屬層240。從而，第一金屬層220和第二金屬層240之間的短路已經(jīng)進(jìn)行了修補(bǔ)，從而此種顯示裝置還可以繼續(xù)使用，從而降低了成本。

目前液晶顯示裝置驅(qū)動技術(shù)逐漸趨向于采用goa技術(shù)，goa技術(shù)能簡化顯示裝置的制作工序，省去掃描線方向的接合(bonding)工藝，可提升產(chǎn)能、降低產(chǎn)品成本，同時可以提升顯示面板的集成度使之更適合制作窄邊框或無邊框顯示產(chǎn)品，滿足現(xiàn)代人們的視覺追求。goa技術(shù)，即gatedriveronarray技術(shù)，也就是將柵極驅(qū)動器制作在陣列基板210上，在本實施例中，所述瑕疵點位于柵極驅(qū)動器所在的區(qū)域。

在本實施例中，所述方法還包括：在第二金屬層240上形成鈍化層；其后，還包括：在鈍化層上形成像素電極層。

另外，在本實施例中，上述步驟s101-s109的步驟不限于與上述順序，例如，s106、s107可以位于s105的前面。

需要說明的是，本說明書中的各個實施例均采用遞進(jìn)的方式描述，每個實施例重點說明的都是與其它實施例的不同之處，各個實施例之間相同相似的部分互相參見即可。對于裝置實施例而言，由于其與方法實施例基本相似，所以描述的比較簡單，相關(guān)之處參見方法實施例的部分說明即可。

通過上述實施例的描述，本發(fā)明具有以下優(yōu)點：

由于修補(bǔ)顯示裝置中金屬線路短路的方法包括：獲得第一金屬層與初始金屬層短路的瑕疵點的信息，移除瑕疵點上的光阻層，蝕刻初始金屬層以形成第二金屬層。從而，第一金屬層和第二金屬層之間的短路已經(jīng)進(jìn)行了修補(bǔ)，從而此種顯示裝置還可以繼續(xù)使用，從而降低了成本。

以上所揭露的僅為本發(fā)明較佳實施例而已，當(dāng)然不能以此來限定本發(fā)明之權(quán)利范圍，因此依本發(fā)明權(quán)利要求所作的等同變化，仍屬本發(fā)明所涵蓋的范圍。