本申請(qǐng)是申請(qǐng)日為2015年07月22日、申請(qǐng)?zhí)枮?01510434904.x、題為“集成電路、基于集成電路的半導(dǎo)體裝置和標(biāo)準(zhǔn)單元庫(kù)”的專(zhuān)利申請(qǐng)的分案申請(qǐng)。

發(fā)明構(gòu)思的示例實(shí)施例涉及一種包括至少一個(gè)單元的集成電路(ic)、一種基于所述ic的半導(dǎo)體裝置和/或一種存儲(chǔ)與所述至少一個(gè)單元有關(guān)的信息的標(biāo)準(zhǔn)單元庫(kù)。

背景技術(shù)：

隨著晶體管的尺寸減小和半導(dǎo)體制造技術(shù)進(jìn)一步發(fā)展，可將更多的晶體管集成在半導(dǎo)體裝置中。例如，在各種應(yīng)用中使用芯片上系統(tǒng)(soc)，芯片上系統(tǒng)(soc)是指將計(jì)算機(jī)或其他電子系統(tǒng)的所有組件集成到單個(gè)芯片中的集成電路(ic)。對(duì)應(yīng)用的性能需求的增加會(huì)需要包括更多組件的半導(dǎo)體裝置。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的至少一個(gè)示例實(shí)施例，集成電路(ic)可包括至少一個(gè)單元，所述至少一個(gè)單元包括：多條導(dǎo)線(xiàn)，沿第一方向延伸并且沿垂直于第一方向的第二方向彼此平行地設(shè)置；第一接觸件，分別設(shè)置在所述多條導(dǎo)線(xiàn)中的至少一條導(dǎo)線(xiàn)的兩側(cè)處；以及第二接觸件，設(shè)置在所述至少一條導(dǎo)線(xiàn)和第一接觸件上并且通過(guò)電連接到所述至少一條導(dǎo)線(xiàn)和第一接觸件而形成單個(gè)節(jié)點(diǎn)。

根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的其他示例實(shí)施例，半導(dǎo)體裝置可包括：基板，包括具有不同導(dǎo)電類(lèi)型的第一有源區(qū)和第二有源區(qū)；多條導(dǎo)線(xiàn)，沿第一方向延伸并且沿垂直于第一方向的第二方向彼此平行地設(shè)置；第一接觸件，分別設(shè)置在所述多條導(dǎo)線(xiàn)中的至少一條導(dǎo)線(xiàn)的兩側(cè)處；以及第二接觸件，設(shè)置在所述至少一條導(dǎo)線(xiàn)和位于第一有源區(qū)和第二有源區(qū)中的至少一個(gè)中的第一接觸件上，并且通過(guò)電連接到所述至少一條導(dǎo)線(xiàn)和第一接觸件而形成單個(gè)節(jié)點(diǎn)。

根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的其他示例實(shí)施例，存儲(chǔ)在非暫時(shí)性計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)中的標(biāo)準(zhǔn)單元庫(kù)可包括與多個(gè)標(biāo)準(zhǔn)單元有關(guān)的信息。所述多個(gè)標(biāo)準(zhǔn)單元中的至少一個(gè)包括：第一有源區(qū)和第二有源區(qū)，具有不同的導(dǎo)電類(lèi)型；多個(gè)鰭，在第一有源區(qū)和第二有源區(qū)中彼此平行地設(shè)置；多條導(dǎo)線(xiàn)，沿第一方向延伸并且沿與第一方向垂直的第二方向彼此平行地設(shè)置，在所述多個(gè)鰭上方；第一接觸件，分別設(shè)置在所述多條導(dǎo)線(xiàn)中的至少一條導(dǎo)線(xiàn)的兩側(cè)處；以及第二接觸件，通過(guò)電連接到所述至少一條導(dǎo)線(xiàn)和在第一有源區(qū)和第二有源區(qū)中的至少一個(gè)中的第一接觸件而形成單個(gè)節(jié)點(diǎn)。

根據(jù)其他示例實(shí)施例，半導(dǎo)體裝置可包括：基板，具有第一導(dǎo)電類(lèi)型的第一有源區(qū)和具有與第一導(dǎo)電類(lèi)型不同的第二導(dǎo)電類(lèi)型的第二有源區(qū)；多個(gè)柵電極，沿第一方向延伸，從而所述多個(gè)柵電極沿第二方向彼此平行，第二方向與第一方向垂直；第一接觸件，在所述多個(gè)柵電極的被跳過(guò)的柵電極的兩側(cè)中的相應(yīng)的一側(cè)處，被跳過(guò)的柵電極是所述多個(gè)柵電極中的電極連接到第一接觸件的柵電極；以及第二接觸件，電連接到被跳過(guò)的柵電極和在第一有源區(qū)中的第一接觸件，從而第二接觸件、所述至少一條導(dǎo)線(xiàn)和第一接觸件在第一有源區(qū)中形成單個(gè)節(jié)點(diǎn)。

半導(dǎo)體裝置可包括至少一個(gè)非對(duì)稱(chēng)柵極的集成電路(ic)，與在第一有源區(qū)中相比，非對(duì)稱(chēng)柵極的ic在第二有源區(qū)中包括更多數(shù)量的晶體管。

晶體管可為鰭式晶體管。

半導(dǎo)體裝置還可包括在沿第一方向延伸的所述多個(gè)柵電極下方的沿第二方向延伸的多個(gè)鰭，從而所述多個(gè)鰭和所述多個(gè)柵電極與鰭式晶體管對(duì)應(yīng)。

附圖說(shuō)明

通過(guò)下面結(jié)合附圖的詳細(xì)描述，將更清楚地理解發(fā)明構(gòu)思的示例實(shí)施例，在附圖中：

圖1是示出根據(jù)示例實(shí)施例的集成電路(ic)的一部分的布局；

圖2是示出根據(jù)另一示例實(shí)施例的ic的一部分的布局；

圖3是示出沿圖1的線(xiàn)iii-iii'切割的具有圖1的布局的半導(dǎo)體裝置的示例的剖視圖；

圖4是示出與圖1的示例實(shí)施例基本上相同的ic的一部分的布局；

圖5是示出根據(jù)另一示例實(shí)施例的ic的一部分的布局；

圖6是示出具有圖5的布局的半導(dǎo)體裝置的示例的剖視圖；

圖7是示出根據(jù)另一示例實(shí)施例的ic的一部分的布局；

圖8是示出沿圖7的線(xiàn)viii-viii'切割的具有圖5的布局的半導(dǎo)體裝置的示例的剖視圖；

圖9是示出與圖5的示例實(shí)施例基本上相同的ic的一部分的布局；

圖10是示出根據(jù)另一示例實(shí)施例的ic的布局；

圖11是示出與圖10的示例實(shí)施例基本上相同的ic的布局；

圖12是示出具有圖10的布局的半導(dǎo)體裝置的示例的透視圖；

圖13是示出沿圖12的線(xiàn)xii-xii'切割的半導(dǎo)體裝置的剖視圖；

圖14是示出具有圖10的布局的半導(dǎo)體裝置的另一示例的透視圖；

圖15是示出沿圖14的線(xiàn)xiv-xiv'切割的半導(dǎo)體裝置的剖視圖；

圖16是示出沿圖10的線(xiàn)xvi-xvi'切割的具有圖10的布局的半導(dǎo)體裝置的剖視圖；

圖17是示出根據(jù)另一示例實(shí)施例的ic的布局；

圖18是示出與圖17的示例實(shí)施例基本上相同的ic的一部分的布局；

圖19是示出圖17的ic的電路圖；

圖20是詳細(xì)示出圖19的第三節(jié)點(diǎn)區(qū)的電路圖；

圖21是示出根據(jù)另一示例實(shí)施例的ic的布局；

圖22是示出與圖21的示例實(shí)施例基本上相同的ic的一部分的布局；

圖23是示出根據(jù)示例實(shí)施例的存儲(chǔ)介質(zhì)的框圖；

圖24是示出根據(jù)示例實(shí)施例的包括ic的存儲(chǔ)卡的框圖；以及

圖25是示出根據(jù)示例實(shí)施例的包括ic的計(jì)算系統(tǒng)的框圖。

具體實(shí)施方式

現(xiàn)在將對(duì)示例實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)參考，示例實(shí)施例的一些示例示出在附圖中，其中，同樣的附圖標(biāo)記始終表示同樣的元件。提供這些示例實(shí)施例使得本公開(kāi)將是徹底的和完整的，并且將向本領(lǐng)域普通技術(shù)人員充分地傳達(dá)本發(fā)明構(gòu)思。因?yàn)榘l(fā)明構(gòu)思允許各種變化和許多的示例實(shí)施例，所以將在附圖中示出并且在書(shū)面描述中詳細(xì)地描述具體示例實(shí)施例。然而，這不意圖將發(fā)明構(gòu)思限制為實(shí)踐的具體模式，并且將理解的是，不脫離精神和技術(shù)范圍的所有改變、等同物和替代物包含在發(fā)明構(gòu)思中。為了便于解釋?zhuān)煽浯蟾綀D中的組件的尺寸。如在這里使用的，術(shù)語(yǔ)“和/或”包括一個(gè)或更多個(gè)相關(guān)所列項(xiàng)的任何組合和所有組合。當(dāng)諸如“……中的至少一個(gè)”的表述在一系列元件(要素)之后時(shí)，修飾整個(gè)系列的元件(要素)，而不修飾所述列的單個(gè)元件(要素)。

在本說(shuō)明書(shū)中使用的術(shù)語(yǔ)僅用于描述具體示例實(shí)施例，并且不意圖限制發(fā)明構(gòu)思。以單數(shù)使用的表述包含復(fù)數(shù)的表述，除非其在上下文中具有明顯不同的意思。在本說(shuō)明書(shū)中，將理解的是，諸如“包括”、“具有”和“包含”的術(shù)語(yǔ)意圖指示存在說(shuō)明書(shū)中公開(kāi)的特征、數(shù)量、步驟、動(dòng)作、組件、部件或它們的組合，并且不意圖排除可存在或可添加一個(gè)或更多個(gè)其他特征、數(shù)量、步驟、動(dòng)作、組件、部件或它們的組合的可能性。

盡管可使用如“第一”、“第二”等的此種術(shù)語(yǔ)來(lái)描述各種組件，但這些組件不必局限于上面的術(shù)語(yǔ)。上面的術(shù)語(yǔ)僅用于將一個(gè)組件與另一組件區(qū)分開(kāi)。例如，在發(fā)明構(gòu)思的范圍內(nèi)，第一組件可被稱(chēng)為第二組件，反之亦然。

除非另有定義，否則在描述中使用的所有術(shù)語(yǔ)(包括技術(shù)術(shù)語(yǔ)和科學(xué)術(shù)語(yǔ))具有與發(fā)明構(gòu)思的示例實(shí)施例所屬領(lǐng)域的普通技術(shù)人員所通常理解的意思相同的意思。還將理解的是，除非在說(shuō)明書(shū)中明確定義，否則術(shù)語(yǔ)(諸如在通用詞典中定義的術(shù)語(yǔ))應(yīng)被解釋為具有與在相關(guān)技術(shù)的上下文中的它們的意思一致的意思，并且不應(yīng)被解釋為具有理想或過(guò)度形式化的意思。

圖1是示出根據(jù)示例實(shí)施例的集成電路(ic)100a的一部分的布局。

參照?qǐng)D1，ic100a可包括由用粗線(xiàn)指示的單元邊界限定的至少一個(gè)單元。所述單元可包括第一導(dǎo)線(xiàn)140a至第三導(dǎo)線(xiàn)140c、第一接觸件150a和150b以及第二接觸件160a。盡管未示出，但可在單元的上部處另外設(shè)置例如金屬線(xiàn)的多條導(dǎo)線(xiàn)。

根據(jù)一些示例實(shí)施例，單元可為標(biāo)準(zhǔn)單元。根據(jù)設(shè)計(jì)標(biāo)準(zhǔn)單元布局的方法，諸如or門(mén)或and門(mén)的重復(fù)使用的器件可預(yù)先被設(shè)計(jì)為標(biāo)準(zhǔn)單元并且存儲(chǔ)在計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中，在布局設(shè)計(jì)過(guò)程期間，標(biāo)準(zhǔn)單元被設(shè)置在必要的位置處并且用線(xiàn)連接。因此，可以以相對(duì)短的時(shí)間來(lái)設(shè)計(jì)布局。

第一導(dǎo)線(xiàn)140a至第三導(dǎo)線(xiàn)140c可沿第一方向(例如，y方向)延伸。另外，第一導(dǎo)線(xiàn)140a至第三導(dǎo)線(xiàn)140c可沿基本上垂直于第一方向的第二方向(例如，x方向)彼此平行地設(shè)置。第一導(dǎo)線(xiàn)140a至第三導(dǎo)線(xiàn)140c可由具有導(dǎo)電性的材料例如多晶硅、金屬和金屬合金形成。

根據(jù)示例實(shí)施例，第一導(dǎo)線(xiàn)140a至第三導(dǎo)線(xiàn)140c可與柵電極對(duì)應(yīng)。然而，示例實(shí)施例不限于此，例如，第一導(dǎo)線(xiàn)140a至第三導(dǎo)線(xiàn)140c可為導(dǎo)電軌跡。另外，雖然圖1示出了單元包括第一導(dǎo)線(xiàn)140a至第三導(dǎo)線(xiàn)140c，但示例實(shí)施例不限于此。例如，單元可包括沿第一方向延伸并且沿第二方向彼此平行的四條或更多條導(dǎo)線(xiàn)。

第一接觸件150a和150b可沿第一方向延伸。另外，第一接觸件150a和150b可沿與第一方向基本上垂直的第二方向彼此平行地設(shè)置。第一接觸件150a和150b可由具有導(dǎo)電性的材料例如多晶硅、金屬和金屬合金形成。因此，第一接觸件150a和150b可將電源電壓或地電壓提供到第一導(dǎo)線(xiàn)140a至第三導(dǎo)線(xiàn)140c之間的下區(qū)域。

根據(jù)一些示例實(shí)施例，第一接觸件150a和150b可分別設(shè)置在第二導(dǎo)線(xiàn)140b的兩側(cè)處。具體地，第一接觸件150a和150b可包括設(shè)置在第二導(dǎo)線(xiàn)140b的左側(cè)處的第一左接觸件150a和設(shè)置在第二導(dǎo)線(xiàn)140b的右側(cè)處的第一右接觸件150b。換句話(huà)說(shuō)，第一左接觸件150a可設(shè)置在第一導(dǎo)線(xiàn)140a與第二導(dǎo)線(xiàn)140b之間，第一右接觸件150b可設(shè)置在第二導(dǎo)線(xiàn)140b與第三導(dǎo)線(xiàn)140c之間。

根據(jù)一些示例實(shí)施例，第一左接觸件150a的沿第二方向的長(zhǎng)度(即，寬度w1a)可小于第一導(dǎo)線(xiàn)140a與第二導(dǎo)線(xiàn)140b之間的間隔s1。同樣，第一右接觸件150b的沿第二方向的長(zhǎng)度(即，寬度w1b)可小于第二導(dǎo)線(xiàn)140b與第三導(dǎo)線(xiàn)140c之間的間隔s1。根據(jù)示例實(shí)施例，第一左接觸件150a的寬度w1a與第一右接觸件150b的寬度w1b可基本上相同。然而，示例實(shí)施例不限于此。例如，根據(jù)另一示例實(shí)施例，第一左接觸件150a的寬度w1a可與第一右接觸件150b的寬度w1b不同。

第二接觸件160a可設(shè)置在第二導(dǎo)線(xiàn)140b以及第一接觸件150a和150b上，并且可通過(guò)電連接到第二導(dǎo)線(xiàn)140b以及第一接觸件150a和150b來(lái)形成單個(gè)節(jié)點(diǎn)。另外，第二接觸件160a可沿第二方向延伸，因此，第二接觸件160a可沿與第二導(dǎo)線(xiàn)140b以及第一接觸件150a和150b水平地交叉的方向延伸。第二接觸件160a可由具有導(dǎo)電性的材料例如多晶硅、金屬和金屬合金形成。因此，第二接觸件160a可將例如相同的電源電壓或相同的地電壓提供到第二導(dǎo)線(xiàn)140b以及第一接觸件150a和150b。

根據(jù)一些示例實(shí)施例，第二接觸件160a的沿第二方向的長(zhǎng)度(即，w1c)可大于第一左接觸件150a與第一右接觸件150b之間的距離d1a并且小于第一導(dǎo)線(xiàn)140a與第三導(dǎo)線(xiàn)140c之間的距離d1b。因此，第二接觸件160a可電連接到第二導(dǎo)線(xiàn)140b、第一左接觸件150a和第一右接觸件150b，而不連接到第一導(dǎo)線(xiàn)140a和第三導(dǎo)線(xiàn)140c。

根據(jù)一些示例實(shí)施例，第一左接觸件150a的沿第一方向的長(zhǎng)度(即，高度h1a)可與第一右接觸件150b的沿第一方向的長(zhǎng)度(即，高度h1b)相同。因此，第一左接觸件150a、第一右接觸件150b和第二接觸件160a可形成h形跨接線(xiàn)(jumper)?？缃泳€(xiàn)是用于連接ic100a中的兩個(gè)點(diǎn)或兩個(gè)端子的具有相對(duì)短的長(zhǎng)度的導(dǎo)線(xiàn)。

如上所述，根據(jù)一些示例實(shí)施例，可通過(guò)使第二導(dǎo)線(xiàn)140b、第一接觸件150a和150b以及第二接觸件160a電連接來(lái)形成單個(gè)節(jié)點(diǎn)。因此，在基于在圖1中示出的布局制造的ic100a中，第二導(dǎo)線(xiàn)140b可被跳過(guò)或屏蔽。因此，根據(jù)一些示例實(shí)施例的h形跨接線(xiàn)可被稱(chēng)為跳躍裝置。

根據(jù)一些示例實(shí)施例，可通過(guò)使第二導(dǎo)線(xiàn)140b、第一接觸件150a和150b以及第二接觸件160a電連接來(lái)設(shè)計(jì)第二導(dǎo)線(xiàn)140b被跳過(guò)的單元。因此，第一接觸件150a和150b以及第二接觸件160a可與第二導(dǎo)線(xiàn)140b分離開(kāi)以減小(或，可選地，消除)當(dāng)形成跨接線(xiàn)時(shí)發(fā)生電短路的可能性。

與標(biāo)準(zhǔn)單元的上述布局有關(guān)的信息可存儲(chǔ)在標(biāo)準(zhǔn)單元庫(kù)中。具體地，標(biāo)準(zhǔn)單元庫(kù)可包括與多個(gè)標(biāo)準(zhǔn)單元有關(guān)的信息，并且存儲(chǔ)在計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)(例如，非暫時(shí)性計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì))中。與包括在標(biāo)準(zhǔn)單元庫(kù)中的信息對(duì)應(yīng)的標(biāo)準(zhǔn)單元是指具有滿(mǎn)足標(biāo)準(zhǔn)的尺寸的ic的單元。例如，標(biāo)準(zhǔn)單元的布局的高度(例如，沿圖1的y方向的長(zhǎng)度)可以是固定的，而標(biāo)準(zhǔn)單元的寬度(例如，沿圖1的x方向的長(zhǎng)度)可根據(jù)標(biāo)準(zhǔn)單元來(lái)改變。標(biāo)準(zhǔn)單元可包括用于處理輸入信號(hào)的輸入鰭(inputfin)和用于輸出輸出信號(hào)的輸出鰭(outputfin)。

ic可為多個(gè)標(biāo)準(zhǔn)單元。ic設(shè)計(jì)工具可對(duì)ic進(jìn)行設(shè)計(jì)，即，通過(guò)使用包括與多個(gè)標(biāo)準(zhǔn)單元有關(guān)的信息的標(biāo)準(zhǔn)單元庫(kù)來(lái)完成ic的布局。ic設(shè)計(jì)工具可在包括在標(biāo)準(zhǔn)單元中的引腳(pin)(即，輸入引腳和輸出引腳)上設(shè)置通路，從而引腳與位于在半導(dǎo)體制造工藝中形成標(biāo)準(zhǔn)單元的引腳之后所形成的層上的圖案連接。即，通過(guò)在標(biāo)準(zhǔn)單元的引腳中設(shè)置通路，可傳輸標(biāo)準(zhǔn)單元的輸入信號(hào)和輸出信號(hào)。

圖2是示出根據(jù)其他示例實(shí)施例的ic100b的一部分的布局。

參照?qǐng)D2，ic100b可包括第一導(dǎo)線(xiàn)140a至第三導(dǎo)線(xiàn)140c、第一左接觸件150a、第一右接觸件150b'以及第二接觸件160a。ic100b是在圖1中示出的ic100a的修改的示例實(shí)施例。因此，圖1的描述中的至少一些描述也可應(yīng)用于ic100b，因此，將不再重復(fù)已經(jīng)參照?qǐng)D1描述的特征和元件。

根據(jù)一些示例實(shí)施例，第一左接觸件150a的沿第一方向的長(zhǎng)度(即，高度h1a)可與第一右接觸件150b'的長(zhǎng)度(即，高度h1b')不同。因此，第一左接觸件150a、第一右接觸件150b'和第二接觸件160a可形成l形跨接線(xiàn)。

根據(jù)一些示例實(shí)施例，第一右接觸件150b'的高度h1b'可大于第一左接觸件150a的高度h1a。根據(jù)其他示例實(shí)施例，第一左接觸件150a的高度h1a可大于第一右接觸件150b'的高度h1b'。第一左接觸件150a的高度h1a和第一右接觸件150b'的高度h1b'可在各種示例實(shí)施例中變化。

圖3是示出沿圖1的線(xiàn)iii-iii'切割的具有圖1的布局的半導(dǎo)體裝置100a的示例的剖視圖。

參照?qǐng)D3，半導(dǎo)體裝置100a可包括基板110、第二導(dǎo)線(xiàn)140b、第一接觸件150a和150b以及第二接觸件160a。雖然未示出，但是提供例如電源電壓或地電壓的電壓端子可另外地設(shè)置在第二接觸件160a上。

基板110可以是包括從例如硅、絕緣體上硅(soi)、藍(lán)寶石上硅、鍺、硅鍺、砷化鎵中選擇的任何一種的半導(dǎo)體基板。例如，基板110可以是p型基板。另外，雖然未示出，但是基板110可具有用雜質(zhì)摻雜的有源區(qū)。

第二導(dǎo)線(xiàn)140b可設(shè)置在基板110上。根據(jù)一些示例實(shí)施例，第二導(dǎo)線(xiàn)140b可用作柵電極。在這種情況下，柵極絕緣層可另外地設(shè)置在第一導(dǎo)線(xiàn)140b與基板110的有源區(qū)之間。

第一接觸件150a和150b可設(shè)置在基板110上。因此，第一接觸件150a和150b可在基板110的有源區(qū)中提供例如電源電壓或地電壓。根據(jù)一些示例實(shí)施例，第一接觸件150a和150b可分別設(shè)置在第二導(dǎo)線(xiàn)140b的兩側(cè)處。根據(jù)一些示例實(shí)施例，第一接觸件150a和150b的上部可與第二導(dǎo)線(xiàn)140b的上部處在同一水平面上。

第二接觸件160a可設(shè)置在第二導(dǎo)線(xiàn)140b以及第一接觸件150a和150b上，并通過(guò)電連接到第二導(dǎo)線(xiàn)140b以及第一接觸件150a和150b而形成單個(gè)節(jié)點(diǎn)。

圖4是示出與圖1的示例實(shí)施例基本上相同的ic100a'的一部分的布局。

參照?qǐng)D4，ic100a'可包括第一導(dǎo)線(xiàn)140a和第三導(dǎo)線(xiàn)140c以及第一接觸件150a和150b。第一接觸件150a和150b可連接到設(shè)置在上部處的單條金屬線(xiàn)。根據(jù)其他示例實(shí)施例，ic100a'可僅包括第一接觸件150a和150b中的一個(gè)。

在圖1中示出的布局中的第一接觸件150a和150b以及第二接觸件160a形成h形跨接線(xiàn)。因此，當(dāng)實(shí)際上制造ic100a時(shí)，ic100a可與對(duì)應(yīng)于在圖4中示出的布局的ic100a'基本上相同。換句話(huà)說(shuō)，由于在圖1中示出的布局中的h形跨接線(xiàn)，因此可跳過(guò)第二導(dǎo)線(xiàn)140b。

同樣，在圖2中示出的布局中的第一接觸件150a和150b'以及第二接觸件160a可形成l形跨接線(xiàn)。因此，當(dāng)實(shí)際上制造ic100b時(shí)，ic100b可與對(duì)應(yīng)于在圖4中示出的布局的ic100a'基本上相同。換句話(huà)說(shuō)，由于在圖2中示出的布局中的l形跨接線(xiàn)，因此可跳過(guò)第二導(dǎo)線(xiàn)140b。

圖5是示出根據(jù)其他示例實(shí)施例的ic100c的一部分的布局。

參照?qǐng)D5，ic100c可包括通過(guò)用粗線(xiàn)指示的單元邊界限定的至少一個(gè)單元。所述單元可包括第一導(dǎo)線(xiàn)140e至第四導(dǎo)線(xiàn)140h、第一接觸件150c和150d以及第二接觸件160b。

第一導(dǎo)線(xiàn)140e至第四導(dǎo)線(xiàn)140h可沿第一方向(例如，y方向)延伸。另外，第一導(dǎo)線(xiàn)140e至第四導(dǎo)線(xiàn)140h可沿與第一方向基本上垂直的第二方向(例如，x方向)彼此平行地設(shè)置。第一導(dǎo)線(xiàn)140e至第四導(dǎo)線(xiàn)140h可由具有導(dǎo)電性的材料例如多晶硅、金屬和/或金屬合金形成。

根據(jù)一些示例實(shí)施例，第一導(dǎo)線(xiàn)140e至第四導(dǎo)線(xiàn)140h可與柵電極對(duì)應(yīng)。然而，示例實(shí)施例不限于此。例如，第一導(dǎo)線(xiàn)140e至第四導(dǎo)線(xiàn)140h可為導(dǎo)電軌跡。另外，雖然圖5示出了的是ic100c包括第一導(dǎo)線(xiàn)140e至第四導(dǎo)線(xiàn)140h，但是示例實(shí)施例不限于此，例如，ic100c可包括沿第一方向延伸并且沿第二方向彼此平行的五條或更多條導(dǎo)線(xiàn)。

第一接觸件150c和150d可沿第一方向延伸。另外，第一接觸件150c和150d可沿與第一方向基本上垂直的第二方向彼此平行地設(shè)置。第一接觸件150c和150d可由具有導(dǎo)電性的材料例如多晶硅、金屬和/或金屬合金形成。因此，第一接觸件150c和150d可將電源電壓或地電壓提供到第一導(dǎo)線(xiàn)140e至第四導(dǎo)線(xiàn)140h之間的下區(qū)域。

根據(jù)一些示例實(shí)施例，第一接觸件150c和150d可包括設(shè)置在第二導(dǎo)線(xiàn)140f的左側(cè)處的第一左接觸件150c和設(shè)置在第三導(dǎo)線(xiàn)140g的右側(cè)處的第一右接觸件150d。換句話(huà)說(shuō)，第一左接觸件150c可設(shè)置在第一導(dǎo)線(xiàn)140e與第二導(dǎo)線(xiàn)140f之間，第一右接觸件150d可設(shè)置在第三導(dǎo)線(xiàn)140g與第四導(dǎo)線(xiàn)140h之間。

根據(jù)一些示例實(shí)施例，第一左接觸件150c的沿第二方向的長(zhǎng)度(即，寬度w2a)可小于第一導(dǎo)線(xiàn)140e與第二導(dǎo)線(xiàn)140f之間的間隔s2。同樣，第一右接觸件150d的沿第二方向的長(zhǎng)度(即，寬度w2b)可小于第三導(dǎo)線(xiàn)140g與第四導(dǎo)線(xiàn)140h之間的間隔s2。根據(jù)一些示例實(shí)施例，第一左接觸件150c的寬度w2a可與第一右接觸件150d的寬度w2b基本上相同。然而，示例實(shí)施例不限于此。例如，根據(jù)其他示例實(shí)施例，第一左接觸件150c的寬度w2a可與第一右接觸件150d的寬度w2b不同。

第二接觸件160b可設(shè)置在第二導(dǎo)線(xiàn)140f和第三導(dǎo)線(xiàn)140g以及第一接觸件150c和150d上，并且通過(guò)電連接到第二導(dǎo)線(xiàn)140f和第三導(dǎo)線(xiàn)140g以及第一接觸件150c和150d而形成單個(gè)節(jié)點(diǎn)。另外，第二接觸件160b可沿第二方向延伸，因此，第二接觸件160b可沿與第二導(dǎo)線(xiàn)140f和第三導(dǎo)線(xiàn)140g以及第一接觸件150c和150d水平地交叉的方向設(shè)置。第二接觸件160b可由具有導(dǎo)電性的材料例如多晶硅、金屬和/或金屬合金形成。因此，第二接觸件160b可將例如相同的電源電壓或相同的地電壓提供到第二導(dǎo)線(xiàn)140f和第三導(dǎo)線(xiàn)140g以及第一接觸件150c和150d。

根據(jù)一些示例實(shí)施例，第二接觸件160b的沿第二方向的長(zhǎng)度(即，寬度w2c)可大于第一左接觸件150c與第一右接觸件150d之間的距離d2a并且小于第一導(dǎo)線(xiàn)140e與第四導(dǎo)線(xiàn)140h之間的距離d2b。因此，第二接觸件160b可電連接到第二導(dǎo)線(xiàn)140f和第三導(dǎo)線(xiàn)140g、第一左接觸件150c以及第一右接觸件150d，而不連接到第一導(dǎo)線(xiàn)140e和第四導(dǎo)線(xiàn)140h。

根據(jù)一些示例實(shí)施例，第一左接觸件150c的沿第一方向的長(zhǎng)度(即，高度h2a)可與第一右接觸件150c的沿第一方向的長(zhǎng)度(即，高度h2b)基本上相同。因此，第一左接觸件150c、第一右接觸件150d以及第二接觸件160b可形成h形跨接線(xiàn)。跨接線(xiàn)是用于連接ic100c中的兩點(diǎn)或兩個(gè)端子的具有相對(duì)短的長(zhǎng)度的導(dǎo)線(xiàn)。

雖然未示出，但根據(jù)其他示例實(shí)施例，第一左接觸件150c的沿第一方向的長(zhǎng)度(即，高度h2a)可與第一右接觸件150d的沿第一方向的長(zhǎng)度(即，高度h2b)不同。因此，第一左接觸件150c、第一右接觸件150d和第二接觸件160b可形成l形跨接線(xiàn)。

如上所述，根據(jù)一些示例實(shí)施例，可通過(guò)使第二導(dǎo)線(xiàn)140f和第三導(dǎo)線(xiàn)140g、第一接觸件150c和150d以及第二接觸件160b電短路來(lái)形成單個(gè)節(jié)點(diǎn)。因此，在基于圖5中示出的布局而制造的ic100c中，可跳過(guò)第二導(dǎo)線(xiàn)140f和第三導(dǎo)線(xiàn)140g。因此，根據(jù)一些示例實(shí)施例的h形跨接線(xiàn)可稱(chēng)為跳過(guò)裝置。

圖6是示出具有圖5的布局的半導(dǎo)體裝置100c的示例的剖視圖。

參照?qǐng)D6，半導(dǎo)體裝置100c可包括基板110、第二導(dǎo)線(xiàn)140f和第三導(dǎo)線(xiàn)140g、第一接觸件150c和150d以及第二接觸件160b。雖然未示出，但提供例如電源電壓或地電壓的電壓端子可另外地設(shè)置在第二接觸件160b上。

基板110可以是包括從例如硅、soi、藍(lán)寶石上硅、鍺、硅鍺以及砷化鎵中選擇的任何一種的半導(dǎo)體基板。例如，基板110可以是p型基板。另外，雖然未示出，但基板110可具有用雜質(zhì)摻雜的有源區(qū)。

第二導(dǎo)線(xiàn)140f和第三導(dǎo)線(xiàn)140g可設(shè)置在基板110上。根據(jù)一些示例實(shí)施例，第二導(dǎo)線(xiàn)140f和第三導(dǎo)線(xiàn)140g可用作柵電極。在這種情況下，柵極絕緣層可另外地設(shè)置在第二導(dǎo)線(xiàn)140f和第三導(dǎo)線(xiàn)140g與基板110的有源區(qū)之間。

第一接觸件150c和150d可設(shè)置在基板110上。因此，第一接觸件150c和150d可在基板110的有源區(qū)中提供例如電源電壓或地電壓。根據(jù)一些示例實(shí)施例，第一接觸件150c和150d可分別設(shè)置在第二導(dǎo)線(xiàn)140f的左側(cè)和第三導(dǎo)線(xiàn)140g的右側(cè)處。根據(jù)一些示例實(shí)施例，第一接觸件150c和150d的上部可與第二導(dǎo)線(xiàn)140f和第三導(dǎo)線(xiàn)140g的上部處在同一水平面上。

第二接觸件160b可設(shè)置在第二導(dǎo)線(xiàn)140f和第三導(dǎo)線(xiàn)140g以及第一接觸件150c和150d上，并且電連接到第二導(dǎo)線(xiàn)140f和第三導(dǎo)線(xiàn)140g以及第一接觸件150c和150d。因此，第二導(dǎo)線(xiàn)140f和第三導(dǎo)線(xiàn)140g、第一接觸件150c和150d以及第二接觸件160b可形成單個(gè)節(jié)點(diǎn)。

圖7是示出根據(jù)其他示例實(shí)施例的ic100d的一部分的布局。

參照?qǐng)D7，ic100d可包括通過(guò)用粗線(xiàn)指示的單元邊界限定的至少一個(gè)單元。所述單元可包括第一導(dǎo)線(xiàn)140e至第四導(dǎo)線(xiàn)140h、第一左接觸件150c、第一右接觸件150d、第一中心接觸件150e以及第二接觸件160c。ic100d是在圖5中示出的ic100c的修改的示例實(shí)施例，因此，圖5的描述中的至少一些描述也可應(yīng)用于ic100d。因此，將不再重復(fù)已經(jīng)參照?qǐng)D5描述的特征和元件。

與圖5的ic100c不同，根據(jù)一些示例實(shí)施例的ic100d還可包括第一中心接觸件150e。第一中心接觸件150e可設(shè)置在第二導(dǎo)線(xiàn)140f和第三導(dǎo)線(xiàn)140g之間。根據(jù)一些示例實(shí)施例，第二接觸件160c可電連接到第二導(dǎo)線(xiàn)140f和第三導(dǎo)線(xiàn)140g以及第一左接觸件150c、第一右接觸件150d和第一中心接觸件150e，因此形成單個(gè)節(jié)點(diǎn)。

圖8是示出沿圖7的線(xiàn)viii-viii'切割的具有圖5的布局的半導(dǎo)體裝置100d的示例的剖視圖。

參照?qǐng)D8，半導(dǎo)體裝置100d可包括基板110、第二導(dǎo)線(xiàn)140f和第三導(dǎo)線(xiàn)140g、第一左接觸件150c、第一右接觸件150d和第一中心接觸件150e以及第二接觸件160c。半導(dǎo)體裝置100d是圖6的半導(dǎo)體裝置100c的修改的實(shí)施例，因此，圖6的描述也可應(yīng)用于半導(dǎo)體裝置100d。因此，將不再重復(fù)已經(jīng)參照?qǐng)D6描述的特征和元件。

第一左接觸件150c、第一右接觸件150d和第一中心接觸件150e可分別設(shè)置在基板110上。因此，第一左接觸件150c、第一右接觸件150d和第一中心接觸件150e可將例如電源電壓或地電壓提供到基板110的有源區(qū)。根據(jù)一些示例實(shí)施例，第一中心接觸件150e可設(shè)置在第二導(dǎo)線(xiàn)140f與第三導(dǎo)線(xiàn)140g之間。根據(jù)一些示例實(shí)施例，第一左接觸件150c、第一右接觸件150d和第一中心接觸件150e的上部可分別與第二導(dǎo)線(xiàn)140f和第三導(dǎo)線(xiàn)140g的上部處在基本上相同的水平面上。

第二接觸件160c可設(shè)置在第二導(dǎo)線(xiàn)140f和第三導(dǎo)線(xiàn)140g以及第一左接觸件150c、第一右接觸件150d和第一中心接觸件150e上并且電連接到第二導(dǎo)線(xiàn)140f和第三導(dǎo)線(xiàn)140g以及第一左接觸件150c、第一右接觸件150d和第一中心接觸件150e。因此，第二導(dǎo)線(xiàn)140f和第三導(dǎo)線(xiàn)140g、第一左接觸件150c、第一右接觸件150d和第一中心接觸件150e以及第二接觸件160b可形成單個(gè)節(jié)點(diǎn)。

圖9是示出與圖5的示例實(shí)施例基本上相同的ic100c'的一部分的布局。

參照?qǐng)D9，ic100c'可包括第一導(dǎo)線(xiàn)140e和第四導(dǎo)線(xiàn)140h以及第一接觸件150c和150d。第一接觸件150c和150d可連接到設(shè)置在第一接觸件150c和150d上方的同一金屬線(xiàn)。根據(jù)其他示例實(shí)施例，ic100c'可僅包括第一接觸件150c和150d中的一個(gè)。

包括在圖5中示出的布局中的第一接觸件150c和150d以及第二接觸件160b可形成h形跨接線(xiàn)。因此，當(dāng)實(shí)際上制造ic100c時(shí)，ic100c可與對(duì)應(yīng)于圖9中示出的布局的ic100c'基本上相同。換句話(huà)說(shuō)，由于在圖5中示出的布局中的h形跨接線(xiàn)，因此可跳過(guò)第二導(dǎo)線(xiàn)140f和第三導(dǎo)線(xiàn)140g。

同樣，在圖7中示出的布局中的第一左接觸件150c、第一右接觸件150d和第一中心接觸件150e以及第二接觸件160c可形成跨接線(xiàn)。因此，當(dāng)實(shí)際上制造ic100d時(shí)，ic100d可與對(duì)應(yīng)于圖9中示出的布局的ic100c'基本上相同。換句話(huà)說(shuō)，由于在圖7中示出的布局中的跨接線(xiàn)，因此可跳過(guò)第二導(dǎo)線(xiàn)140f和第三導(dǎo)線(xiàn)140g。

圖10是示出根據(jù)其他示例實(shí)施例的ic200的布局。

參照?qǐng)D10，ic200可包括通過(guò)用粗線(xiàn)繪制的單元邊界限定的至少一個(gè)單元。具體地，圖10示出ic200中的標(biāo)準(zhǔn)單元的示例。標(biāo)準(zhǔn)單元包括但不限于第一有源區(qū)220a和第二有源區(qū)220b、多個(gè)鰭、多條導(dǎo)線(xiàn)、第一接觸件250a至250d、第二接觸件260以及切割區(qū)270。

根據(jù)一些示例實(shí)施例，多個(gè)鰭可包括第一鰭230a至第六鰭230f，多條導(dǎo)線(xiàn)可包括第一導(dǎo)線(xiàn)240a至第三導(dǎo)線(xiàn)240c。然而，示例實(shí)施例不限于此。例如，根據(jù)其他示例實(shí)施例，多個(gè)鰭和多條導(dǎo)線(xiàn)可分別包括各種數(shù)量的鰭和導(dǎo)線(xiàn)。

第一有源區(qū)220a可為設(shè)置有第一鰭230a至第三鰭230c的位置，例如，n型金屬氧化物半導(dǎo)體(nmos)限定層。例如，第一有源區(qū)220a可為在p型基板中的任意區(qū)域。第二有源區(qū)220b可為設(shè)置有第四鰭230d至第六鰭230f的位置，例如，p型mos(pmos)限定層。例如，第二有源區(qū)220b可為n阱區(qū)。雖然未示出，但裝置分離區(qū)可設(shè)置在第一有源區(qū)220a與第二有源區(qū)220b之間。

第一鰭230a至第六鰭230f可沿第一方向(例如，y方向)彼此平行地設(shè)置并且沿與第一方向基本上垂直的第二方向(例如，x方向)延伸。根據(jù)一些示例實(shí)施例，第一鰭230a至第六鰭230f可為有源鰭。由這樣的鰭形成的鰭式晶體管的溝道寬度可與有源鰭的數(shù)量成比例地增大，因此，在鰭式晶體管中流動(dòng)的電流的量可增大。雖然未示出，但ic200可另外包括設(shè)置在裝置分離區(qū)上的虛設(shè)鰭。

根據(jù)一些示例實(shí)施例，在ic200的布局中，第一鰭230a至第六鰭230f可沿第一方向具有相同的相應(yīng)的長(zhǎng)度(即，相應(yīng)的寬度)。第一鰭230a至第六鰭230f的相應(yīng)的寬度為在圖10的布局上二維地示出的寬度。由于圖10是2d布局，所以未示出第一鰭230a至第六鰭230f的相應(yīng)的高度。

第一導(dǎo)線(xiàn)240a至第三導(dǎo)線(xiàn)240c可沿第一方向(例如，y方向)延伸。另外，第一導(dǎo)線(xiàn)24a至第三導(dǎo)線(xiàn)240c可沿與第一方向基本上垂直的第二方向(例如，x方向)彼此平行地設(shè)置。第一導(dǎo)線(xiàn)240a至第三導(dǎo)線(xiàn)240c可由具有導(dǎo)電性的材料例如多晶硅、金屬和/或金屬合金形成。根據(jù)一些示例實(shí)施例，第一導(dǎo)線(xiàn)240a至第三導(dǎo)線(xiàn)240c可與柵電極對(duì)應(yīng)。

第一接觸件250a至250d可沿第一方向(例如，y方向)延伸。另外，第一接觸件250a至250d可沿與第一方向基本上垂直的第二方向(例如，x方向)彼此平行地設(shè)置。第一接觸件250a至250d可由具有導(dǎo)電性的材料例如多晶硅、金屬和/或金屬合金形成。

根據(jù)一些示例實(shí)施例，第一接觸件250a至250d可包括在第一有源區(qū)220a上的第一下接觸件250a和250b以及在第二有源區(qū)220b上的第一上接觸件250c和250d。第一下接觸件250a和250b可為連接到第一有源區(qū)220a的接觸件，例如，源極接觸件和漏極接觸件。因此，第一下接觸件250a和250b可將例如電源電壓或地電壓提供到第一有源區(qū)220a。第一上接觸件250c和250d可為連接到第二有源區(qū)220b的接觸件，例如，源極接觸件和漏極接觸件。因此，第一上接觸件250c和250d可將例如電源電壓或地電壓提供到第二有源區(qū)220b。

根據(jù)一些示例實(shí)施例，第一下接觸件250a和250b可分別設(shè)置在第二導(dǎo)線(xiàn)240b的兩側(cè)處。具體地，第一下接觸件250a和250b可包括設(shè)置在第二導(dǎo)線(xiàn)240b的左側(cè)處的第一下左接觸件250a以及設(shè)置在第二導(dǎo)線(xiàn)240b的右側(cè)處的第一下右接觸件250b。換句話(huà)說(shuō)，第一下左接觸件250a可設(shè)置在第一導(dǎo)線(xiàn)240a與第二導(dǎo)線(xiàn)240b之間，第一下右接觸件250b可設(shè)置在第二導(dǎo)線(xiàn)240b與第三導(dǎo)線(xiàn)240c之間。

第二接觸件260可設(shè)置在第二導(dǎo)線(xiàn)240b以及第一下接觸件250a和250b上，并通過(guò)電連接到第二導(dǎo)線(xiàn)240b以及第一下接觸件250a和250b而形成單個(gè)節(jié)點(diǎn)。另外，第二接觸件260可沿第二方向延伸，因此，第二接觸件260可沿與第二導(dǎo)線(xiàn)240b以及第一下接觸件250a和250b水平地交叉的方向設(shè)置。第二接觸件260可由具有導(dǎo)電性的材料例如多晶硅、金屬和/或金屬合金形成。因此，第二接觸件260可將例如相同的電源電壓或相同的地電壓提供到第二導(dǎo)線(xiàn)240b以及第一下接觸件250a和250b。

根據(jù)一些示例實(shí)施例，設(shè)置在第一有源區(qū)220a上的第一導(dǎo)線(xiàn)240a至第三導(dǎo)線(xiàn)240c、第一下接觸件250a和250b以及第二接觸件260可與在圖1中示出的ic100a基本上相同。因此，圖1的描述也可應(yīng)用于ic200，將不再重復(fù)已經(jīng)參照?qǐng)D1描述的特征和元件。

如上所述，根據(jù)一些示例實(shí)施例，通過(guò)使在第一有源區(qū)220a上的第二導(dǎo)線(xiàn)240b、第一下接觸件250a和250b以及第二接觸件260電短路來(lái)形成單個(gè)節(jié)點(diǎn)。因此，在基于圖10中示出的布局制造的ic200中，第二導(dǎo)線(xiàn)240b可在第一有源區(qū)220a中被跳過(guò)但在第二有源區(qū)220b中不被跳過(guò)。因此，ic200可包括兩個(gè)晶體管(例如兩個(gè)nmos鰭式晶體管)在第一有源區(qū)220a中且三個(gè)晶體管(例如三個(gè)pmos鰭式晶體管)在第二有源區(qū)220b中的非對(duì)稱(chēng)柵極。

雖然圖10示出第二接觸件260設(shè)置在第一有源區(qū)220a上的示例實(shí)施例，但示例實(shí)施例不限于此。例如，根據(jù)其他示例實(shí)施例，第二接觸件260可設(shè)置在第一有源區(qū)220a和第二有源區(qū)220b兩者上。在這種情況下，相同數(shù)量的晶體管可設(shè)置在第一有源區(qū)220a與第二有源區(qū)220b上。根據(jù)其他示例實(shí)施例，第二接觸件260可僅設(shè)置在第二有源區(qū)220b上。在這種情況下，與在第二有源區(qū)220b上相比，可在第一有源區(qū)220a上設(shè)置更多晶體管。

圖11是示出與圖10的示例實(shí)施例基本上相同的ic200'的布局。

參照?qǐng)D11，ic200'可包括第一導(dǎo)線(xiàn)240a至第三導(dǎo)線(xiàn)240c以及第一接觸件250a至250d。設(shè)置在第一有源區(qū)220a上的第一下接觸件250a和250b可連接到在第一下接觸件250a和250b上方的同一金屬線(xiàn)。根據(jù)其他示例實(shí)施例，ic200'可僅包括第一下接觸件250a和250b中的一個(gè)。

包括在圖10中示出的布局中的第一下接觸件250a和250b以及第二接觸件260可形成h形跨接線(xiàn)。因此，當(dāng)實(shí)際上制造ic200時(shí)，ic200可與對(duì)應(yīng)于圖11中示出的布局的ic200'基本上相同。換句話(huà)說(shuō)，由于在圖10中示出的布局中的h形跨接線(xiàn)，因此可跳過(guò)在第一有源區(qū)220a中的第二導(dǎo)線(xiàn)240b。因此，如圖11所示，第二導(dǎo)線(xiàn)240b可在第一有源區(qū)220a中被跳過(guò)，因此，ic200和ic200'可包括在第一有源區(qū)220a中的兩個(gè)nmos鰭式晶體管和在第二有源區(qū)220b中的三個(gè)pmos鰭式晶體管。

圖12是示出具有圖10的布局的半導(dǎo)體裝置200a的示例的透視圖。圖13是示出沿圖12的線(xiàn)xii-xii'切割的半導(dǎo)體裝置200a的剖視圖。

參照?qǐng)D12和圖13，半導(dǎo)體裝置200a可為塊體型(bulktype)鰭式晶體管。半導(dǎo)體裝置200a可包括基板210、第一絕緣層233、第二絕緣層236、第一鰭230a至第三鰭230c以及第一導(dǎo)線(xiàn)(在下文中稱(chēng)為“柵電極”)240a。

基板210可為包括從例如硅、soi、藍(lán)寶石上硅、鍺、硅鍺、砷化鎵中選擇的任何一種的半導(dǎo)體基板?；?10可以是p型基板并可用作第一有源區(qū)220a。

第一鰭230a至第三鰭230c可設(shè)置為使得它們連接到基板210。根據(jù)一些示例實(shí)施例，第一鰭230a至第三鰭230c可為通過(guò)用n+或p+雜質(zhì)摻雜從基板210垂直地突出的部分而形成的有源區(qū)。

第一絕緣層233和第二絕緣層236可包括從例如氧化物、氮化物和/或氮氧化物中選擇的絕緣材料。第一絕緣層233可設(shè)置在第一鰭230a至第三鰭230c上。第一絕緣層233可通過(guò)被設(shè)置在第一鰭230a至第三鰭230c與柵電極240a之間而用作柵極絕緣層。第二絕緣層236可在第一鰭230a至第三鰭230c之間的空間處形成為特定高度。第二絕緣層236可通過(guò)被設(shè)置在第一鰭230a至第三鰭230c之間而用作裝置分離層。

柵電極240a可設(shè)置在第一絕緣層233和第二絕緣層236上。因此，柵電極240a可圍繞第一鰭230a至第三鰭230c、第一絕緣層233以及第二絕緣層236。換句話(huà)說(shuō)，第一鰭230a至第三鰭230c可位于柵電極240a的內(nèi)部。柵電極240a可包括諸如鎢(w)或鉭(ta)的金屬材料、金屬材料的氮化物、金屬材料的硅化物和/或摻雜的多晶硅并且可使用沉積工藝來(lái)形成。

圖14是示出具有圖10的布局的半導(dǎo)體裝置200b的另一示例的透視圖。圖15是示出沿圖14的線(xiàn)xiv-xiv'切割的半導(dǎo)體裝置200b的剖視圖。

參照?qǐng)D14和圖15，半導(dǎo)體裝置200b可為soi型鰭式晶體管。半導(dǎo)體裝置200b可包括基板210'、第一絕緣層215、第二絕緣層233'、第一鰭230a'至第三鰭230c'以及第一導(dǎo)線(xiàn)(在下文中稱(chēng)為“柵電極”)240a'。半導(dǎo)體裝置200b是在圖12和圖13中示出的半導(dǎo)體裝置200a的修改的示例實(shí)施例。因此，將主要地描述半導(dǎo)體裝置200b的與半導(dǎo)體裝置200a不同的特征和元件，將不再重復(fù)已經(jīng)參照?qǐng)D12和圖13描述的特征和元件。

第一絕緣層215可設(shè)置在基板210'上。第二絕緣層233'可通過(guò)被設(shè)置在第一鰭230a'至第三鰭230c'與柵電極240a'之間而用作柵極絕緣層。第一鰭230a'至第三鰭230c'可包括半導(dǎo)體材料，例如硅和/或摻雜的硅。

柵電極240a'可設(shè)置在第二絕緣層233'上。因此，柵電極240a'可圍繞第一鰭230a'至第三鰭230c'以及第二絕緣層233'。換句話(huà)說(shuō)，第一鰭230a'至第三鰭230c'可位于柵電極240a'的內(nèi)部。

圖16是示出沿圖10的線(xiàn)xvi-xvi'切割的具有圖10的布局的半導(dǎo)體裝置200a的剖視圖。

參照?qǐng)D16，半導(dǎo)體裝置200a可包括第二鰭230b、第二導(dǎo)線(xiàn)240b、第一下接觸件250a和250b以及第二接觸件260。雖然未示出，但提供例如電源電壓或地電壓的電壓端子可另外地設(shè)置在第二接觸件260上。

第二導(dǎo)線(xiàn)240b可設(shè)置在第二鰭230b上。根據(jù)一些示例實(shí)施例，第二導(dǎo)線(xiàn)240b可用作柵電極，柵極絕緣層可另外地設(shè)置在第二導(dǎo)線(xiàn)240b與第二鰭230b之間。

第一下接觸件250a和250b可設(shè)置在第二鰭230b上。因此，第一下接觸件250a和250b可將例如電源電壓或地電壓提供到第二鰭230b。根據(jù)一些示例實(shí)施例，第一下接觸件250a和250b可分別設(shè)置在第二導(dǎo)線(xiàn)240b的兩側(cè)處。根據(jù)一些示例實(shí)施例，第一下接觸件250a和250b的上部可與第二導(dǎo)線(xiàn)240b的上部處在相同的水平面上。

第二接觸件260可設(shè)置在第二導(dǎo)線(xiàn)240b以及第一下接觸件250a和250b上并且電連接到第二導(dǎo)線(xiàn)240b以及第一下接觸件250a和250b。因此，第二導(dǎo)線(xiàn)240b、第一下接觸件250a和250b以及第二接觸件260可形成單個(gè)節(jié)點(diǎn)。

圖17是示出根據(jù)其他示例實(shí)施例的ic300的布局。

參照?qǐng)D17，ic300可包括通過(guò)用粗線(xiàn)繪制的單元邊界限定的至少一個(gè)單元。具體地，圖17示出ic300中的標(biāo)準(zhǔn)單元的示例。標(biāo)準(zhǔn)單元可包括第一有源區(qū)220a和第二有源區(qū)220b、第一鰭230a至第六鰭230f、第一導(dǎo)線(xiàn)240a至第三導(dǎo)線(xiàn)240c、第一接觸件250a至250d、第二接觸件260、切割區(qū)270以及第三接觸件380a至380c。ic300是在圖10中示出的ic200的修改的示例實(shí)施例。因此，圖10的描述也可應(yīng)用于ic300，因此，將不再重復(fù)已經(jīng)參照?qǐng)D10描述的特征和元件。

與圖10的ic200相比，根據(jù)一些示例實(shí)施例的ic300可另外包括第三接觸件380a至380c。第三接觸件中的第一個(gè)接觸件380a可設(shè)置在第一導(dǎo)線(xiàn)240a上并電連接到第一導(dǎo)線(xiàn)240a。第三接觸件中的第三個(gè)接觸件380c可設(shè)置在第三導(dǎo)線(xiàn)240c上并電連接到第三導(dǎo)線(xiàn)240c。

第三接觸件380c中的第二個(gè)接觸件380b可設(shè)置在第二導(dǎo)線(xiàn)240b上并電連接到第二導(dǎo)線(xiàn)240b。由于切割區(qū)270在第二導(dǎo)線(xiàn)240b的中間，所以第三接觸件380b僅電連接到在第二有源區(qū)220b上的第二導(dǎo)線(xiàn)240b，而不連接到第一有源區(qū)220a的第二導(dǎo)線(xiàn)240b。

根據(jù)一些示例實(shí)施例，可通過(guò)使在第一有源區(qū)220a上的第二導(dǎo)線(xiàn)240b、第一下接觸件250a和250b以及第二接觸件260電短路來(lái)形成單個(gè)節(jié)點(diǎn)。因此，在基于圖17中示出的布局制造的ic300中，第二導(dǎo)線(xiàn)240b可在第一有源區(qū)220a中被跳過(guò)而在第二有源區(qū)220b中不被跳過(guò)，從而ic300具有非對(duì)稱(chēng)晶體管。因此，ic300可包括在第一有源區(qū)220a中的兩個(gè)晶體管(例如兩個(gè)nmos鰭式晶體管)和在第二有源區(qū)220b中的三個(gè)晶體管(例如三個(gè)pmos鰭式晶體管)。

雖然圖17示出了第二接觸件260設(shè)置在第一有源區(qū)220a上的示例實(shí)施例，但示例實(shí)施例不限于此。例如，根據(jù)其他示例實(shí)施例，第二接觸件260可設(shè)置在第一有源區(qū)220a和第二有源區(qū)220b兩者上。在這種情況下，相同數(shù)量的晶體管可設(shè)置在第一有源區(qū)220a和第二有源區(qū)220b上。根據(jù)其他示例實(shí)施例，第二接觸件260可僅設(shè)置在第二有源區(qū)220b上。在這種情況下，與在第二有源區(qū)220b上相比，可在第一有源區(qū)220a上設(shè)置更多晶體管。

圖18是示出與圖17的示例實(shí)施例基本上相同的ic300的一部分的布局。

參照?qǐng)D18，ic300'可包括第一導(dǎo)線(xiàn)240a至第三導(dǎo)線(xiàn)240c、第一接觸件250a至250d以及第三接觸件380a至380c。在第一有源區(qū)220a上的第一下接觸件250a和250b可連接到在第一下接觸件250a和250b上方的同一金屬線(xiàn)。根據(jù)其他示例實(shí)施例，ic300'可僅包括第一下接觸件250a和250b中的一個(gè)。

包括在圖17中示出的布局中的第一下接觸件250a和250b以及第二接觸件260可形成h形跨接線(xiàn)。因此，當(dāng)實(shí)際上制造ic300時(shí)，ic300可與對(duì)應(yīng)于圖18中示出的布局的ic300'基本上相同。換句話(huà)說(shuō)，如圖18中所示，由于在圖17中示出的布局中的h形跨接線(xiàn)，在第一有源區(qū)220a中的第二導(dǎo)線(xiàn)240b可被跳過(guò)。因此，ic300和ic300'可包括在第一有源區(qū)220a中的兩個(gè)nmos鰭式晶體管以及在第二有源區(qū)220b中的三個(gè)pmos鰭式晶體管。

圖19是示出圖17的ic300的電路圖。

參照?qǐng)D17和圖19，ic300可包括第一pmos鰭式晶體管pm1至第三pmos鰭式晶體管pm3以及第一nmos鰭式晶體管nm1和第二nmos鰭式晶體管nm2。第一pmos鰭式晶體管pm1至第三pmos鰭式晶體管pm3可形成在第二有源區(qū)220b上，第一nmos鰭式晶體管nm1和第二nmos鰭式晶體管nm2可形成在第一有源區(qū)220a上。

第一pmos鰭式晶體管pm1和第一nmos鰭式晶體管nm1的相應(yīng)的柵極均連接到可與第三接觸件380a中的第一個(gè)接觸件380a對(duì)應(yīng)的節(jié)點(diǎn)a。另外，第二pmos鰭式晶體管pm2的柵極可連接到可與第三接觸件380b中的第二個(gè)接觸件380b對(duì)應(yīng)的節(jié)點(diǎn)b。另外，第三pmos鰭式晶體管pm3和第二nmos鰭式晶體管nm2的相應(yīng)的柵極可均連接到可與第三接觸件380b中的第三個(gè)接觸件380c對(duì)應(yīng)的節(jié)點(diǎn)c。

具體地，在一些示例實(shí)施例中，第一pmos鰭式晶體管pm1的柵極可連接到第三接觸件380a中的第一個(gè)接觸件380a，第一pmos鰭式晶體管pm1的漏極可連接第一節(jié)點(diǎn)區(qū)na1，第一節(jié)點(diǎn)區(qū)na1可與第一左上接觸件250c對(duì)應(yīng)。第二pmos鰭式晶體管pm2的柵極可連接到第三接觸件380a中的第二個(gè)接觸件380a，第二pmos鰭式晶體管pm2的漏極可連接到第二節(jié)點(diǎn)區(qū)na2，第二節(jié)點(diǎn)區(qū)na2可與第一右上接觸件250d對(duì)應(yīng)。第三pmos鰭式晶體管pm3的柵極可連接到第三接觸件380c中的第三個(gè)接觸件380c。

第一nmos鰭式晶體管nm1的柵極可連接到第三接觸件380a中的第一個(gè)接觸件380a，第二nmos鰭式晶體管nm2的柵極可連接到第三接觸件380c中的第三個(gè)接觸件380c。第一nmos鰭式晶體管nm1和第二nmos鰭式晶體管nm2可連接到可與通過(guò)圖17的第一下接觸件250a和250b以及第二接觸件260形成的跨接線(xiàn)對(duì)應(yīng)的第三節(jié)點(diǎn)區(qū)na3。

圖20是詳細(xì)示出圖19的第三節(jié)點(diǎn)區(qū)na3的電路圖。

參照?qǐng)D17、圖19和圖20，可通過(guò)連接在第二鰭230b與第一下左接觸件250a之間的第一節(jié)點(diǎn)nd1、在第二鰭230b與第一下右接觸件250b之間的第二節(jié)點(diǎn)nd2以及在第二接觸件260與第二導(dǎo)線(xiàn)240b之間的第三節(jié)點(diǎn)nd3來(lái)形成單個(gè)節(jié)點(diǎn)區(qū)(即，第三節(jié)點(diǎn)區(qū)na3)。

圖21是示出根據(jù)其他示例實(shí)施例的ic400的布局。

參照?qǐng)D21，ic400可包括通過(guò)用粗線(xiàn)繪制的單元邊界限定的至少一個(gè)單元。具體地，圖21示出ic400中的標(biāo)準(zhǔn)單元的示例。標(biāo)準(zhǔn)單元可包括第一鰭430a至第十鰭430j、多個(gè)柵電極440b、440c和440d、多個(gè)虛設(shè)柵電極440a和440e、多個(gè)源極接觸件450a和漏極接觸件450b、第二接觸件460、切割區(qū)470、兩個(gè)輸入端子480、兩個(gè)輸入接觸件485以及輸出端子490。

根據(jù)示例實(shí)施例，第一鰭430a、第五鰭430e、第六鰭430f和第十鰭430j可為虛設(shè)鰭，第二鰭430b至第四鰭430d以及第七鰭430g至第九鰭430i可為有源鰭。具體地，第二鰭430b至第四鰭430d可設(shè)置在第一有源區(qū)420a中，第七鰭430g至第九鰭430i可設(shè)置在第二有源區(qū)420b中。第一鰭430a可設(shè)置在第一裝置分離區(qū)425a中，第五鰭430e和第六鰭430f可設(shè)置在第二裝置分離區(qū)425b中，第十鰭430j可設(shè)置在第三裝置分離區(qū)425c中。

首先，可通過(guò)執(zhí)行單個(gè)制造工藝而在半導(dǎo)體基板(未示出)上預(yù)先形成第一鰭430a至第十鰭430j。第二，可形成多個(gè)源極接觸件450a和漏極接觸件450b以及包括多個(gè)柵電極440b、440c和440d和多個(gè)虛設(shè)柵電極440a和440e的柵電極。第三，可在柵電極440c和多個(gè)源極接觸件450a和漏極接觸件450b上形成第二接觸件460。第四，可形成兩個(gè)輸入端子480和輸出端子490。

第一區(qū)r1與圖1中示出的布局相似，因此，上面參照?qǐng)D1至圖9描述的示例實(shí)施例可應(yīng)用于第一區(qū)r1。第二區(qū)r2與圖10中示出的布局相似，因此，上面參照?qǐng)D10至圖20描述的示例實(shí)施例可應(yīng)用于第二區(qū)r2。根據(jù)一些示例實(shí)施例，第二鰭430b至第四鰭430d可形成nmos晶體管，第七鰭430g至第九鰭430i可形成pmos晶體管。

雖然圖21示出了第二接觸件460設(shè)置在第一有源區(qū)420a上的示例實(shí)施例，但示例實(shí)施例不限于此。例如，根據(jù)其他示例實(shí)施例，第二接觸件460可設(shè)置在第一有源區(qū)420a和第二有源區(qū)420b兩者上。在這種情況下，相同數(shù)量的晶體管可設(shè)置在第一有源區(qū)420a和第二有源區(qū)420b上。根據(jù)其他示例實(shí)施例，第二接觸件460可僅設(shè)置在第二有源區(qū)420b上。在這種情況下，與在第二有源區(qū)220b上相比，可在第一有源區(qū)220a上設(shè)置更多個(gè)晶體管。

圖22是示出與圖21的示例實(shí)施例基本上相同的ic的一部分的布局。

參照?qǐng)D22，ic400'可包括第一鰭430a至第十鰭430j、多個(gè)柵電極440b、440c和440d、多個(gè)虛設(shè)柵電極440a和440e、多個(gè)源極接觸件450a和漏極接觸件450b、第二接觸件460、兩個(gè)輸入端子480、兩個(gè)輸入接觸件485以及輸出端子490。在第一有源區(qū)420a上的多個(gè)源極接觸件450a和漏極接觸件450b可連接到在多個(gè)源極接觸件450a和漏極接觸件450b上方的同一金屬線(xiàn)。根據(jù)其他示例實(shí)施例，ic400'可僅包括在第一有源區(qū)420a上的多個(gè)源極接觸件450a和漏極接觸件450b中的一者。

包括在圖21中示出的布局中的多個(gè)源極接觸件450a和漏極接觸件450b以及第二接觸件460可形成h形跨接線(xiàn)。因此，當(dāng)實(shí)際上制造ic400時(shí)，ic400可與對(duì)應(yīng)于圖22中示出的布局的ic400'基本上相同。換句話(huà)說(shuō)，如圖22中所示，由于在圖21中示出的布局中的h形跨接線(xiàn)，在圖22的第一有源區(qū)420a中的柵電極440c可被跳過(guò)。因此，ic400和ic400'中的每個(gè)可包括在第一有源區(qū)420a中的兩個(gè)nmos鰭式晶體管和在第二有源區(qū)420b中的三個(gè)pmos鰭式晶體管。

圖23是示出根據(jù)一些示例實(shí)施例的計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)500的框圖。

參照?qǐng)D23，計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)500可包括可通過(guò)計(jì)算機(jī)讀取的存儲(chǔ)介質(zhì)，從而例如將指令和/或數(shù)據(jù)提供到計(jì)算機(jī)。計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)500可為非暫時(shí)性的。例如，非暫時(shí)性計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)500可包括磁性存儲(chǔ)介質(zhì)(例如，磁盤(pán)或磁帶)和光學(xué)記錄介質(zhì)(cd-rom、dvd-rom、cd-r、cd-rw、dvd-r和dvd-rw)、易失性或非易失性存儲(chǔ)器(例如，ram、rom或閃速存儲(chǔ)器)、可通過(guò)usb接口存取的非易失性存儲(chǔ)器以及微電子機(jī)械系統(tǒng)(mems)。計(jì)算機(jī)可讀記錄介質(zhì)可插入到計(jì)算機(jī)中、集成到計(jì)算機(jī)中或者通過(guò)諸如網(wǎng)絡(luò)和/或無(wú)線(xiàn)鏈路的通信介質(zhì)與計(jì)算機(jī)結(jié)合。

如圖23所示，計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)500可已經(jīng)在其中存儲(chǔ)位置和布線(xiàn)程序510、庫(kù)520、分析程序530和數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)540。位置和布線(xiàn)程序510可根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的示例實(shí)施例存儲(chǔ)用于執(zhí)行使用標(biāo)準(zhǔn)單元庫(kù)的方法或設(shè)計(jì)ic的方法的多個(gè)指令。例如，計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)500可存儲(chǔ)包括用于執(zhí)行上面參照附圖描述的方法的全部或一部分的任意指令的位置和布線(xiàn)程序510。庫(kù)520可包括與作為包括在ic中的單元的標(biāo)準(zhǔn)單元有關(guān)的信息。

分析程序530可包括用于基于限定ic的數(shù)據(jù)而執(zhí)行分析ic的方法的多個(gè)指令。數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)540可包括用于管理在使用庫(kù)520中的標(biāo)準(zhǔn)單元庫(kù)、從在庫(kù)520中的一般標(biāo)準(zhǔn)單元庫(kù)中提取標(biāo)記信息或者分析通過(guò)分析程序530執(zhí)行的ic的時(shí)序特性的過(guò)程期間產(chǎn)生的數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)空間。

圖24是示出根據(jù)一些示例實(shí)施例的包括ic的存儲(chǔ)卡1000的框圖。

參照?qǐng)D24，在存儲(chǔ)卡1000中，控制器1100和存儲(chǔ)器1200可設(shè)置成例如通過(guò)總線(xiàn)來(lái)交換電信號(hào)。例如，當(dāng)控制器1100指示時(shí)，存儲(chǔ)器1200可傳輸數(shù)據(jù)。

控制器1100和存儲(chǔ)器1200可包括根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的示例實(shí)施例的ic。具體地，在控制器1100和存儲(chǔ)器1200中的多個(gè)半導(dǎo)體裝置當(dāng)中的至少一個(gè)半導(dǎo)體裝置中，可通過(guò)形成單個(gè)節(jié)點(diǎn)來(lái)跳過(guò)至少一條導(dǎo)線(xiàn)?？赏ㄟ^(guò)使沿第一方向(例如，y方向)延伸的至少兩個(gè)第一接觸件、沿與第一方向垂直的第二方向(例如，x方向)延伸的第二接觸件以及沿第一方向延伸的至少一條導(dǎo)線(xiàn)電連接來(lái)形成單個(gè)節(jié)點(diǎn)。

存儲(chǔ)卡1000可以是從各種類(lèi)型的存儲(chǔ)卡例如記憶棒卡、智能媒體(smartmedia)(sm)卡、安全數(shù)字(sd)卡、迷你型sd卡和多媒體卡(nmc)中選擇的一種。

圖25是示出根據(jù)一些示例實(shí)施例的包括ic的計(jì)算系統(tǒng)2000的框圖。

參照?qǐng)D25，計(jì)算系統(tǒng)2000可包括處理器2100、存儲(chǔ)器件2200、存儲(chǔ)裝置2300、電源2400和輸入/輸出(i/o)裝置2500。雖然未在圖25中示出，但計(jì)算系統(tǒng)2000可另外包括用于與視頻卡、聲音卡、存儲(chǔ)卡、usb裝置或其他電子裝置通信的端口。

包括在計(jì)算系統(tǒng)2000中的處理器2100、存儲(chǔ)器件2200、存儲(chǔ)裝置2300、電源2400和i/o裝置2500可包括根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的示例實(shí)施例的ic。具體地，在處理器2100、存儲(chǔ)器件2200、存儲(chǔ)裝置2300、電源2400和i/o裝置2500中的多個(gè)半導(dǎo)體裝置當(dāng)中的至少一個(gè)半導(dǎo)體裝置中，可通過(guò)形成單個(gè)節(jié)點(diǎn)來(lái)跳過(guò)至少一條導(dǎo)線(xiàn)?？赏ㄟ^(guò)使沿第一方向(例如，y方向)延伸的的至少兩個(gè)第一接觸件、沿與第一方向垂直的第二方向(例如，x方向)延伸的第二接觸件以及沿第一方向延伸的至少一條導(dǎo)線(xiàn)電連接來(lái)形成單個(gè)節(jié)點(diǎn)。

處理器2100可執(zhí)行期望的(或者，可選地，預(yù)定的)計(jì)算或任務(wù)。根據(jù)示例實(shí)施例，處理器2100可以是微處理器或中央處理單元(cpu)。處理器2100可通過(guò)諸如地址總線(xiàn)、控制總線(xiàn)和數(shù)據(jù)總線(xiàn)的總線(xiàn)2600而與存儲(chǔ)器件2200、存儲(chǔ)裝置2300和i/o裝置2500進(jìn)行通信。根據(jù)一些示例實(shí)施例，處理器2100可連接到諸如外圍組件互連(pci)總線(xiàn)的擴(kuò)展總線(xiàn)。

存儲(chǔ)裝置2200可存儲(chǔ)計(jì)算系統(tǒng)2000的操作所必需的數(shù)據(jù)。例如，存儲(chǔ)器件2200可以是動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(dram)、移動(dòng)dram、靜態(tài)ram(sram)、相變r(jià)am(pram)、鐵電ram(fram)、電阻ram(rram)和/或磁阻ram(mram)。存儲(chǔ)裝置2300可包括固態(tài)驅(qū)動(dòng)器(ssd)、硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器(hdd)和cd-rom。

i/o裝置2500可包括諸如鍵盤(pán)、小型鍵盤(pán)和鼠標(biāo)的輸入裝置以及諸如打印機(jī)和顯示器的輸出裝置。電源2400可提供計(jì)算系統(tǒng)2000的操作所需的操作電壓。

根據(jù)示例實(shí)施例的ic可組裝成各種類(lèi)型的封裝件。例如，可通過(guò)使用諸如層疊封裝件(pop)、球柵陣列(bga)、芯片級(jí)封裝件(csp)、塑料引線(xiàn)芯片載體(plcc)、塑料雙列直插式封裝件(pdip)、華夫包中芯片(dieinwafflepack)、晶圓形式芯片(dieinwaferform)、板上芯片(cob)、陶瓷雙列直插式封裝件(cerdip)、塑料公制四方扁平封裝件(mqfp)、薄型四方扁平封裝件(tqfp)、小外形集成電路(soic)、收縮型小外形封裝件(ssop)、薄型小外形封裝件(tsop)、系統(tǒng)級(jí)封裝件(sip)、多芯片封裝件(mcp)、晶圓級(jí)制備封裝件(wfp)以及晶圓級(jí)堆疊工藝封裝件(wsp)的封裝件來(lái)安裝ic的至少一些組件。

盡管已經(jīng)參照發(fā)明構(gòu)思的一些示例實(shí)施例具體地示出并描述了發(fā)明構(gòu)思的示例實(shí)施例，但是將理解的是，在不脫離權(quán)利要求的精神和范圍的情況下，可在這里作出形式和細(xì)節(jié)上的各種改變。