技術特征：

技術總結
本發(fā)明公開了一種具有共振隧穿結構電子阻擋層的發(fā)光二極管，包括：由下而上依次設置的襯底、n型氮化物層、多量子阱層、電子阻擋層、p型氮化物層、p型氮化物歐姆接觸層，所述n型氮化物層上設置的n型電極和所述p型氮化物層上設置的p型電極；其中電子阻擋層由由下而上依次設置的p型摻雜氮化物勢壘層，非摻雜氮化物勢阱層、利用共振隧穿效應增大空穴透過率的非摻雜勢壘層聯(lián)合構成。本發(fā)明的有益效果為：可以有效地阻擋電子穿過有源區(qū)進入p型區(qū)，又可以增大空穴穿過電子阻擋層注入有源區(qū)的效率；可利用較簡單的生長方式和較少的層結構就能達到很好的電子阻擋效果，同時獲得明顯高于傳統(tǒng)電子阻擋層結構的空穴注入效率。

技術研發(fā)人員：張雄;楊剛;代倩;崔一平
受保護的技術使用者：東南大學
技術研發(fā)日：2017.05.16
技術公布日：2017.09.22