本發(fā)明涉及一種紫外發(fā)光二極管(light-emittingdiode；led)的生長(zhǎng)方法，尤其涉及一種具有低紫外光吸收率p型層的鋁鎵氮(algan)紫外led的制備方法及紫外led。

背景技術(shù)：

隨著我國(guó)科技水平的進(jìn)步，制造業(yè)的持續(xù)發(fā)展，生活水平也得到不斷地改善，物質(zhì)生活和精神生活都有大幅的提升。然而近年來(lái)霧霾、水污染等的加重給日益改善的生活水平增添了瑕疵，空氣和水等攜帶的細(xì)菌正在侵蝕我們的健康。為了保護(hù)自身的健康，各種消毒殺菌裝置孕育而生，如空氣凈化器，水處理器。而這些殺菌裝置的最主要?dú)⒕δ懿考樽贤鉄簦壳氨容^熱門(mén)的是采用深紫外led燈。

紫外led殺菌的原理是利用led產(chǎn)生的適當(dāng)波長(zhǎng)紫外線對(duì)細(xì)菌的脫氧核糖核酸(dna)和核糖核酸(rna)的分子鍵進(jìn)行破壞，破壞原有細(xì)菌菌落并阻止細(xì)菌的復(fù)制繁殖，達(dá)到殺死細(xì)菌的目的。紫外殺菌技術(shù)利用高強(qiáng)度深紫外線照射，能夠?qū)⒏鞣N細(xì)菌、病毒、寄生蟲(chóng)、水藻以及其他病原體直接殺死，目前被廣泛應(yīng)用于民生、醫(yī)療以及生產(chǎn)制造行業(yè)。

因深紫外led的殺菌功能，現(xiàn)在對(duì)深紫外led的研究也趨于熱門(mén)。目前深紫外led主要采用algan作為主要生長(zhǎng)材料，利用cvd外延生長(zhǎng)方法生長(zhǎng)出所需要的發(fā)光結(jié)構(gòu)。最基本的結(jié)構(gòu)包含aln緩沖層，algan非摻層，n型algan層，algan量子阱層，algan電子阻擋層，以及p型gan層。

雖然，目前紫外深紫外鋁鎵氮alganled應(yīng)用廣泛。但是，alganled還存在應(yīng)用上的一些難題。1、發(fā)光效率低，目前15milx15mil的芯片在20ma驅(qū)動(dòng)電流下發(fā)光亮度約2mw，發(fā)光效率低導(dǎo)致殺菌效率也偏低；2、由于為了p型algan層的鎂(mg)摻雜空穴激活能較高，從而空穴濃度非常低，導(dǎo)致亮度低和電壓高的問(wèn)題同時(shí)出現(xiàn)。所以為了解決這個(gè)問(wèn)題，目前還依舊采用p型gan作為p型層，解決空穴濃度低的問(wèn)題。但是因?yàn)間an對(duì)algan發(fā)出的紫外光有較強(qiáng)的吸收性，所以采用p型gan作為p型層會(huì)導(dǎo)致紫外光被吸收的比例非常高；3、另外，因p型gan層與algan層有較大的晶格失配，p型gan的晶體質(zhì)量較差，導(dǎo)致紫外led在使用壽命上面受到極大地限制，目前壽命還低于1萬(wàn)小時(shí)，和現(xiàn)有藍(lán)光led相差較多。

基于以上原因，本發(fā)明提供了一種既能解決空穴激活能的問(wèn)題，又能較少紫外光的吸收，同時(shí)還有利于改善紫外led壽命的p型層生長(zhǎng)方法。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明實(shí)施例提供一種紫外led的制備方法及紫外led，目的在于克服傳統(tǒng)已有方法的缺陷，解決傳統(tǒng)紫外led發(fā)光效率低、抗壽命差等問(wèn)題，提高紫外led器件性能，從而實(shí)現(xiàn)高的殺菌效率。

第一方面，本發(fā)明實(shí)施例提供一種紫外led的制備方法，應(yīng)用于生長(zhǎng)設(shè)備中，包括：

在襯底上預(yù)通入金屬源及v族反應(yīng)物，在高溫下分解形成一層緩沖層；

提高生長(zhǎng)溫度，生長(zhǎng)非摻altga1-tn層以及在所述altga1-tn層的基礎(chǔ)上生長(zhǎng)一層n型aluga1-un層；

將溫度調(diào)至生長(zhǎng)量子阱的溫度，生長(zhǎng)alxga1-xn/alyga1-yn多量子阱的結(jié)構(gòu)，周期厚度為3～30nm，其周期數(shù)n為1～50，其中，阱寬為1～5nm，壘寬為2～25nm；

在已生長(zhǎng)好的alxga1-xn/alyga1-yn多量子阱的結(jié)構(gòu)上生長(zhǎng)一層5-100nm厚的alzga1-zn電子阻擋層；

在所述alzga1-zn電子阻擋層的基礎(chǔ)上生長(zhǎng)一層具有高空穴濃度低紫外線吸收率的p型層；所述p型層為alvga1-vn/gan超晶格結(jié)構(gòu)，其中v為固定值或者為漸變值；

所述p型層上為高摻雜濃度的p型gan層，形成p型歐姆接觸層，所述p型歐姆接觸層的厚度為2～15nm。

可選地，所述緩沖層是gan和/或aln，所述緩沖層的厚度為0～100nm。

可選地，所述襯底為藍(lán)寶石、硅、碳化硅、玻璃、銅、鎳或鉻其中的一種。

可選地，所述生長(zhǎng)設(shè)備包括金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積設(shè)備mocvd、分子束外延設(shè)備mbe或氫化物氣相外延設(shè)備hvpe中的其中一種。

可選地，所述量子阱中量子壘層的al含量y高于所述量子阱中量子阱層的al含量x。

可選地，所述非摻altga1-tn中的al含量t、所述n型aluga1-un層中的al含量u和所述alzga1-zn電子阻擋層中的al含量z均高于量子壘層中的al含量y。

可選地，高空穴濃度p型層alvga1-vn/gan中的al含量為漸變的或者穩(wěn)定的。

可選地，在高空穴濃度p型層alvga1-vn層中的al含量穩(wěn)定的情況下，所述alvga1-vn層中的al含量高于所述電子阻擋層中的al含量，且所述alvga1-vn層中的al含量小于或等于1；在高空穴濃度p型層alvga1-vn層中的al含量漸變的情況下，所述alvga1-vn層中的al含量的最大值大于所述電子阻擋層中的al含量，且所述alvga1-vn層中的al含量小于或等于1。

第二方面，本發(fā)明實(shí)施例提供一種紫外led，所述紫外led采用如第一方面所述的方法制備而成。

本發(fā)明實(shí)施例提供的紫外led的制備方法及紫外led，通過(guò)在襯底上預(yù)通入金屬源及v族反應(yīng)物，在高溫下分解形成一層緩沖層；提高生長(zhǎng)溫度，生長(zhǎng)非摻altga1-tn層以及在所述altga1-tn層的基礎(chǔ)上生長(zhǎng)一層n型aluga1-un層；將溫度調(diào)至生長(zhǎng)量子阱的溫度，生長(zhǎng)alxga1-xn/alyga1-yn多量子阱的結(jié)構(gòu)，周期厚度為3～30nm，其周期數(shù)n為1～50，其中，阱寬為1～5nm，壘寬為2～25nm；在已生長(zhǎng)好的alxga1-xn/alyga1-yn多量子阱的結(jié)構(gòu)上生長(zhǎng)一層5-100nm厚的alzga1-zn電子阻擋層；在所述alzga1-zn電子阻擋層的基礎(chǔ)上生長(zhǎng)一層具有高空穴濃度低紫外線吸收率的p型層；所述p型層為alvga1-vn/gan超晶格結(jié)構(gòu)，其中v為固定值或者為漸變值；所述p型層上為高摻雜濃度的p型gan層，形成p型歐姆接觸層，所述p型歐姆接觸層的厚度為2～15nm，能夠解決傳統(tǒng)紫外led發(fā)光效率低、抗壽命差等問(wèn)題，提高了紫外led器件性能，從而實(shí)現(xiàn)高的殺菌效率。

附圖說(shuō)明

為了更清楚地說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作一簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見(jiàn)地，下面描述中的附圖是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)性的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

圖1為本發(fā)明提供的紫外led的制備方法實(shí)施例一的流程示意圖；

圖2為led的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

為使本發(fā)明實(shí)施例的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有作出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。

圖1為本發(fā)明提供的紫外led的制備方法實(shí)施例一的流程示意圖。如圖1所示，本實(shí)施例的方法可以包括：

步驟11、在襯底上預(yù)通入金屬源及v族反應(yīng)物，在高溫下分解形成一層緩沖層。

步驟12、提高生長(zhǎng)溫度，生長(zhǎng)非摻altga1-tn層以及在所述altga1-tn層的基礎(chǔ)上生長(zhǎng)一層n型aluga1-un層。

步驟13、將溫度調(diào)至生長(zhǎng)量子阱的溫度，生長(zhǎng)alxga1-xn/alyga1-yn多量子阱的結(jié)構(gòu)，周期厚度為3～30nm，其周期數(shù)n為1～50，其中，阱寬為1～5nm，壘寬為2～25nm。

步驟14、在已生長(zhǎng)好的alxga1-xn/alyga1-yn多量子阱的結(jié)構(gòu)上生長(zhǎng)一層5-100nm厚的alzga1-zn電子阻擋層。

步驟15、在alzga1-zn電子阻擋層的基礎(chǔ)上生長(zhǎng)一層具有高空穴濃度低紫外線吸收率的p型層；所述p型層為alvga1-vn/gan超晶格結(jié)構(gòu)，其中v為固定值或者為漸變值。

步驟16、p型層上為高摻雜濃度的p型gan層，形成p型歐姆接觸層，所述p型歐姆接觸層的厚度為2～15nm。

具體地，圖2為led的結(jié)構(gòu)示意圖，如圖2所示，(1)當(dāng)襯底材料的表面溫度升高到600～1000℃時(shí)，通入金屬源和氨氣(nh3)反應(yīng)3-10分鐘，金屬源和nh3在此溫度下分解并發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，形成無(wú)定型的緩沖生長(zhǎng)層101，其中，緩沖生長(zhǎng)層101可以是gan、inn或aln中的其中一種或多種的混合物。所述金屬源反應(yīng)物及緩沖層具有下列特性：①能夠在高溫時(shí)分解成金屬原子；②金屬原子能夠和n原子發(fā)生反應(yīng)，形成無(wú)定型的緩沖層；③緩沖層的厚度可以為0～100nm，其中，典型的緩沖層材料為aln。

(2)將反應(yīng)室溫度提高到1000～1350℃，此時(shí)緩沖層進(jìn)行分解聚合，形成均勻分布的成核島，隨后通入三甲基鎵、三甲基鋁和nh3，使晶核島長(zhǎng)大并合并，不摻入任何雜質(zhì)形成未摻雜的altga1-tn層102，此層厚度大概為500～3000nm。反應(yīng)室溫度繼續(xù)維持至1000～1350℃，在altga1-tn的生長(zhǎng)過(guò)程中摻入n型雜質(zhì)，形成n型aluga1-un層103，其摻雜濃度可以為1x10¹⁷～5x10¹⁹cm^-3，此層的厚度可以為1000～3000nm。

(3)在已經(jīng)生長(zhǎng)好的n型algan上生長(zhǎng)量子阱層104和量子壘層105，量子阱采用alxga1-xn/alyga1-yn多量子阱的結(jié)構(gòu)，周期厚度為3～30nm(其中阱寬為1～5nm，壘寬為2～25nm),其周期數(shù)n為1～50；此處阱的al含量低于壘層的al含量，即x<y。

(4)在已生長(zhǎng)好的alxga1-xn/alyga1-yn多量子阱的結(jié)構(gòu)上生長(zhǎng)一層5-100nm厚的alzga1-zn電子阻擋層106，此層的al含量高于壘層，即y<z。此層的目的可以作為電子阻擋層，同時(shí)可以作為高載流子遷移率插入層。

(5)在此基礎(chǔ)上生長(zhǎng)高載流子濃度的p型，此具有高載流子濃度的p型層可做如下設(shè)計(jì)：

a、生長(zhǎng)一層0～300nm厚的p型alvga1-vn層107，此層的摻雜濃度為1×10¹⁸cm^-3～5×10²⁰cm^-3；隨后生長(zhǎng)0～5nm的gan層，此層的摻雜濃度為1×10¹⁸cm^-3～5×10²⁰cm^-3；alvga1-vn/gan交替生長(zhǎng)形成超晶格層，超晶格層的周期數(shù)m為1～50，其中p型gan能夠提供高濃度空穴濃度。另外，因gan厚度較低，能夠有效降低gan對(duì)紫光的吸收，同時(shí)又有利于空穴的產(chǎn)生。也因p型層中algan的存在，降低了因晶格失配導(dǎo)致的p型層質(zhì)量的降低，提高了器件的老化性能。

b、同時(shí)，alvga1-vn/gan超晶格層中alvga1-vn的al也可以漸變摻入，如此更能有效降低p型層的應(yīng)力，提高p型層的質(zhì)量；v可以漸變上升，0<v<＝1。

c、非漸變的alvga1-vn/gan超晶格中的al含量為v，其中，z<v<＝1，即保證此層al含量高于電子阻擋層。

(6)在高載流子濃度的p型基礎(chǔ)上，生長(zhǎng)高摻p型gan層108，此層的厚度為2～15nm，此層的摻雜濃度為5×10¹⁹cm^-3～8×10²⁰cm^-3，以便形成良好的歐姆接觸。通過(guò)上述方式，即可制備出完整的紫外led結(jié)構(gòu)。

本發(fā)明實(shí)施例提供的紫外led的制備方法，通過(guò)在襯底上預(yù)通入金屬源及v族反應(yīng)物，在高溫下分解形成一層緩沖層；提高生長(zhǎng)溫度，生長(zhǎng)非摻altga1-tn層以及在所述altga1-tn層的基礎(chǔ)上生長(zhǎng)一層n型aluga1-un層；將溫度調(diào)至生長(zhǎng)量子阱的溫度，生長(zhǎng)alxga1-xn/alyga1-yn多量子阱的結(jié)構(gòu)，周期厚度為3～30nm，其周期數(shù)n為1～50，其中，阱寬為1～5nm，壘寬為2～25nm；在已生長(zhǎng)好的alxga1-xn/alyga1-yn多量子阱的結(jié)構(gòu)上生長(zhǎng)一層5-100nm厚的alzga1-zn電子阻擋層；在所述alzga1-zn電子阻擋層的基礎(chǔ)上生長(zhǎng)一層具有高空穴濃度低紫外線吸收率的p型層；所述p型層為alvga1-vn/gan超晶格結(jié)構(gòu)，其中v為固定值或者為漸變值；所述p型層上為高摻雜濃度的p型gan層，形成p型歐姆接觸層，所述p型歐姆接觸層的厚度為2～15nm，能夠解決傳統(tǒng)紫外led發(fā)光效率低、抗壽命差等問(wèn)題，提高了紫外led器件性能，從而實(shí)現(xiàn)高的殺菌效率。另外，通過(guò)此方式制備的led的結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，且易于實(shí)現(xiàn)，而且高空穴濃度的p型層，空穴能夠有效激活，形成高空穴濃度的p型層，從而易于實(shí)現(xiàn)高的空穴注入，降低器件電壓；由于高空穴濃度的p型層中有高al含量的algan層，al的含量高于量子阱中的al含量，此層能夠有效降低p型層對(duì)量子阱中產(chǎn)生的紫外光的吸收；p型層alvga1-vn/gan超晶格生長(zhǎng)方式和al漸變生長(zhǎng)方式，會(huì)降低p型層應(yīng)力，從而提高p型層晶體質(zhì)量；因此，本發(fā)明能夠極大地改善p型層晶體質(zhì)量，提高器件的壽命。

在上述實(shí)施例的基礎(chǔ)上，可選地，襯底可以是藍(lán)寶石、圖形化藍(lán)寶石(pss)、si、sic、zno、玻璃或銅等中的其中一種。

可選地，所述緩沖層可以是gan、inn或aln中的其中一種或多種的混合物，本實(shí)施例中優(yōu)選地可以選擇aln，以避免吸光。

可選地，所述量子阱個(gè)數(shù)n為1～50。

可選地，所述p型alvga1-vn/gan超晶格結(jié)構(gòu)的周期m為1～50。

可選地，量子阱中量子壘層alyga1-yn的al含量高于量子阱中量子阱層alxga1-xn的al含量，即x<y。

可選地，所述非摻雜層altga1-tn和n型aluga1-un的al含量皆大于壘層alyga1-yn的al含量，即t>y，u>y。

可選地，所述外延可以是金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積設(shè)備(metal-organicchemicalvapordeposition；mocvd)、分子束外延(molecularbeamepitaxy；mbe)、氫化物氣相外延(hydridevaporphaseepitaxy；hvpe)。

下面，以紫外255nm波段led的制備方法為例進(jìn)行說(shuō)明，其中：紫外led的制備過(guò)程包括如下幾個(gè)步驟：

第1步、金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積設(shè)備(metal-organicchemicalvapordeposition；mocvd)反應(yīng)室溫度升至600℃，壓力為100torr,同時(shí)通入三甲基鋁(150ml/min)和nh310分鐘，在藍(lán)寶石襯底(al2o3)上發(fā)生反應(yīng)，形成50nm的gan緩沖層。

第2步、經(jīng)過(guò)10分鐘將溫度升高到1200℃，壓力降至50torr，通入氫氣、三甲基鎵(65ml/min)、三甲基鋁(300ml/min)和nh3120分鐘，鋁鎵氮晶核在金顆粒底部形成并長(zhǎng)大，algan橫向生長(zhǎng)，形成非摻雜的algan層，其中，al含量為75％，此層的厚度為2um。

第3步、反應(yīng)室溫度升高至1250℃，通入氫氣、三甲基鎵(80ml/min)、三甲基鋁(300ml/min)和氨氣90分鐘，壓力保持50mtorr，生長(zhǎng)一層厚度為1500nm的n型algan層，其中，al含量為75％，n型gan的摻雜濃度為1×10¹⁹cm^-3。

第4步、將反應(yīng)室溫度降至1000℃，壓力為50mtorr，通入氫氣、三甲基鎵(20ml/min)，三甲基鋁(60ml/min)和氨氣，以生長(zhǎng)algan量子壘，并摻入si雜質(zhì)，摻雜濃度為1×10¹⁸cm^-3，其中，生長(zhǎng)時(shí)間為2分鐘，厚度為12nm，al含量為60％。

第5步、將反應(yīng)室溫度降至1000℃，壓力為50mtorr，通入氫氣、三甲基鎵(10ml/min)，三甲基鋁(40ml/min)和氨氣，以生長(zhǎng)algan量子阱，此層不摻si，其中，生長(zhǎng)時(shí)間為0.75分鐘，厚度為3nm，al含量為50％。

第6步、重復(fù)進(jìn)行第4步至第5步15個(gè)循環(huán)，形成15個(gè)周期的量子阱結(jié)構(gòu)。

第7步、將反應(yīng)室溫度降至1100℃，壓力為50mtorr，通入氫氣、三甲基鎵(17ml/min)，三甲基鋁(60ml/min)和氨氣，以生長(zhǎng)algan電子阻擋層，其中，al含量為70％。

第8步、在電子阻擋層的基礎(chǔ)上生長(zhǎng)p型algan，將溫度升至1100℃，壓力調(diào)為50torr，通入氫氣、三甲基鎵(40ml/min)，三甲基鋁(150ml/min)，二茂鎂(400ml/min)和氨氣，其中，生長(zhǎng)時(shí)間為3min，厚度約為50nm，mg的摻雜濃度為5×10¹⁹cm^-3，此層al含量為75％。

第9步、在生長(zhǎng)好的p型algan上，將溫度降為950℃，壓力調(diào)為200torr，通入氫氣、三甲基鎵(40ml/min)，二茂鎂(150ml/min)和氨氣，其中，p型gan層為0.5分鐘，mg的摻雜濃度為5.5×10¹⁹cm^-3，厚度約為3nm。

第10步、重復(fù)第8步和第9步4個(gè)循環(huán)，形成周期為4的p型algan/gan超晶格層。

第11步、最后維持溫度降為950℃，壓力調(diào)為200torr，通入氫氣、三甲基鎵(40ml/min)，二茂鎂(450ml/min)和氨氣，以生長(zhǎng)重?fù)絧型gan層1分鐘，mg的摻雜濃度為2×10²⁰cm-3，厚度約為5nm。

第12步、將此led制作成350μm×350μm芯片，通入20ma的電流，其中，工作電壓為6.0v，發(fā)光亮度為4mw。

另外，此紫外led器件的壽命為1萬(wàn)小時(shí)。

下面，以紫外310nm波段led的制備方法為例進(jìn)行說(shuō)明，其中：紫外led的制備過(guò)程包括如下幾個(gè)步驟：

第1步、mocvd反應(yīng)室溫度升至600℃，壓力為100torr,同時(shí)通入三甲基鋁(150ml/min)和nh310分鐘，在藍(lán)寶石襯底(al2o3)上發(fā)生反應(yīng)，形成50nm的gan緩沖層。

第2步、經(jīng)過(guò)10分鐘將溫度升高到1200℃，壓力降至50torr，通入氫氣、三甲基鎵(45ml/min)、三甲基鋁(300ml/min)和nh3120分鐘，鋁鎵氮晶核在金顆粒底部形成并長(zhǎng)大，algan橫向生長(zhǎng)，形成非摻雜的algan層，al含量為50％，此層的厚度為2um。

第3步、反應(yīng)室溫度升高至1250℃，通入氫氣、三甲基鎵(50ml/min)、三甲基鋁(300ml/min)和氨氣90分鐘，壓力保持50mtorr，生長(zhǎng)一層厚度為1500nm的n型algan層，其中，al含量為50％，n型gan的摻雜濃度為1×10¹⁹cm^-3。

第4步、將反應(yīng)室溫度降至1000℃，壓力為50mtorr，通入氫氣、三甲基鎵(12ml/min)，三甲基鋁(60ml/min)和氨氣，以生長(zhǎng)algan量子壘，摻入si雜質(zhì)，摻雜濃度為1×10¹⁸cm^-3，其中，生長(zhǎng)時(shí)間為2分鐘，厚度為12nm，al含量為35％。

第5步、將反應(yīng)室溫度降至1000℃，壓力為50mtorr，通入氫氣、三甲基鎵(4ml/min)，三甲基鋁(40ml/min)和氨氣，以生長(zhǎng)algan量子阱，此層不摻si，其中，生長(zhǎng)時(shí)間為0.75分鐘，厚度為3nm，al含量為22％。

第6步、重復(fù)進(jìn)行第4步至第5步12個(gè)循環(huán)，形成12個(gè)周期的量子阱結(jié)構(gòu)。

第7步、將反應(yīng)室溫度降至1100℃，壓力為50mtorr，通入氫氣、三甲基鎵(12ml/min)，三甲基鋁(60ml/min)和氨氣，生長(zhǎng)algan電子阻擋層，al含量為50％。

第8步、在電子阻擋層的基礎(chǔ)上生長(zhǎng)p型algan，將溫度升至1100℃，壓力調(diào)為50torr，通入氫氣、三甲基鎵(40ml/min)維持不變，三甲基鋁由110ml/min逐漸降低至0，二茂鎂(250ml/min)和氨氣，生長(zhǎng)時(shí)間為3min，厚度約為30nm，mg的摻雜濃度為5×10¹⁹cm^-3。

第9步、在生長(zhǎng)好的p型algan上，將溫度降為950℃，壓力調(diào)為200torr，通入氫氣、三甲基鎵(40ml/min)，二茂鎂(150ml/min)和氨氣，其中，p型gan層為0.5分鐘，mg的摻雜濃度為5.5×10¹⁹cm^-3，厚度約為3nm。

第10步、重復(fù)第8步和第9步6個(gè)循環(huán)，形成周期為6的p型algan/gan超晶格層，其中algan中的al為漸變摻入，從50％降低至0。

第11步、最后維持溫度降為950℃，壓力調(diào)為200torr，通入氫氣、三甲基鎵(40ml/min)，二茂鎂(450ml/min)，氨氣，生長(zhǎng)重?fù)絧型gan層1分鐘，mg的摻雜濃度為2×1020cm^-3，厚度約為5nm。

第12步、將led制作成350μm×350μm芯片，通入20ma的電流，其中，工作電壓為6.0v，發(fā)光亮度為4mw。

另外，此紫外led器件壽命為1萬(wàn)小時(shí)。

本發(fā)明實(shí)施例提供的紫外led的制備方法，能夠解決傳統(tǒng)紫外led發(fā)光效率低、抗壽命差等問(wèn)題，提高了紫外led器件性能，從而實(shí)現(xiàn)高的殺菌效率。

另外，本發(fā)明實(shí)施例還提供一種紫外led，其中，紫外led采用如上述任一實(shí)施例所述的方法制備而成。

最后應(yīng)說(shuō)明的是：以上各實(shí)施例僅用以說(shuō)明本發(fā)明的技術(shù)方案，而非對(duì)其限制；盡管參照前述各實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行了詳細(xì)的說(shuō)明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解：其依然可以對(duì)前述各實(shí)施例所記載的技術(shù)方案進(jìn)行修改，或者對(duì)其中部分或者全部技術(shù)特征進(jìn)行等同替換；而這些修改或者替換，并不使相應(yīng)技術(shù)方案的本質(zhì)脫離本發(fā)明各實(shí)施例技術(shù)方案的范圍。