技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開(kāi)了一種電感耦合等離子體刻蝕設(shè)備，包括反應(yīng)腔室，還包括快速無(wú)擾動(dòng)氣體注入裝置和尾氣處理裝置，所述快速無(wú)擾動(dòng)氣體注入裝置包括相互獨(dú)立的刻蝕氣體注入組件和側(cè)壁沉積氣體注入組件，所述刻蝕氣體注入組件和所述側(cè)壁沉積氣體注入組件均包括進(jìn)氣管和兩路注入管，所述進(jìn)氣管通過(guò)一路所述注入管與所述反應(yīng)腔室連通，并通過(guò)另一路注入管與所述尾氣處理裝置連通。本發(fā)明具有結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、切換速度快、反應(yīng)腔室內(nèi)壓力穩(wěn)定等優(yōu)點(diǎn)。

技術(shù)研發(fā)人員：毛朝斌;陳特超;舒勇東;胡凡;羅超;范江華
受保護(hù)的技術(shù)使用者：中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第四十八研究所
技術(shù)研發(fā)日：2017.05.16
技術(shù)公布日：2017.09.22