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一種電感耦合等離子體刻蝕設(shè)備的制造方法與工藝技術(shù)資料下載

技術(shù)編號(hào):11289534

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本發(fā)明涉及等半導(dǎo)體制造設(shè)備,尤其涉及一種電感耦合等離子體(ICP,InductiveCoupledPlasmaEmissionSpectrometer)刻蝕設(shè)備。背景技術(shù)在半導(dǎo)體制造設(shè)備領(lǐng)域,作為在半導(dǎo)體晶片的基板上進(jìn)行成膜處理或者蝕刻處理的裝置,一般使用電感耦合等離子體(ICP)的等離子體處理裝置。具體深反應(yīng)離子刻蝕方法通常采用刻蝕和側(cè)壁沉積保護(hù)循環(huán)交替進(jìn)行,經(jīng)多次循環(huán)交替刻蝕實(shí)現(xiàn)深硅刻蝕。這種方法中刻蝕和側(cè)壁沉積的時(shí)間都很短,最多十幾秒鐘,有的工藝甚至更短以獲得較好的工藝效果,這就要求刻蝕和...
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