背景技術(shù)：

諸如集成電路之類的電路常常被封裝在環(huán)氧模塑化合物封裝中，以支持和保護電路。取決于所使用的制造方法，可能難以控制所封裝的電路的尺寸、形狀或某些屬性。

附圖說明

出于圖示的目的，現(xiàn)在將參照附圖來描述根據(jù)本公開構(gòu)造的某些示例，在附圖中：

圖1在橫截面?zhèn)纫晥D中圖示了示例電路封裝的圖。

圖2在橫截面?zhèn)纫晥D中圖示了另一示例電路封裝的圖。

圖3在頂視圖中圖示了又一示例電路封裝的圖。

圖4在橫截面?zhèn)纫晥D中圖示了示例電路封裝的圖。

圖5在橫截面?zhèn)纫晥D中圖示了另一示例電路封裝的圖。

圖6在頂視圖中圖示了電路封裝的另一示例圖。

圖7在橫截面?zhèn)纫晥D中圖示了又一示例電路封裝的圖。

圖8在橫截面?zhèn)纫晥D中圖示了示例流體電路封裝的圖。

圖9在頂視圖中圖示了示例流體電路封裝的圖。

圖10圖示了壓模方法的示例的流程圖。

圖11圖示了壓模方法的另一示例的流程圖。

圖12a圖示了在壓模之前的電路器件和多個環(huán)氧模塑化合物的示例。

圖12b圖示了在對圖12a的電路器件和化合物進行壓模之后的電路封裝的示例。

具體實施方式

在以下詳細(xì)描述中，參照了附圖。該描述和附圖中的示例應(yīng)當(dāng)被視為說明性的，且不意圖限于所描述的具體示例或元素?？梢酝ㄟ^不同元素的修改、組合或變形來從以下描述和附圖導(dǎo)出多個示例。

圖1圖示了面板形狀的電路封裝1的橫截面的圖。在電路封裝1在背表面b與正表面f之間具有比其寬度w或長度小得多的厚度t的意義上，電路封裝1具有面板形狀。例如，其厚度t可以是其寬度w和/或長度(在圖中，長度延伸到頁面中)的至少五倍或至少十倍。在圖中，厚度在z方向上延伸，而長度和寬度w平行于x-y平面而延伸。

電路封裝1可以是較大設(shè)備的部件或用于較大設(shè)備的中間產(chǎn)品。電路封裝1包括被封裝在混合環(huán)氧模塑化合物封裝5中的電路器件3。封裝5包括至少兩個環(huán)氧模塑化合物7、9，每一個是不同成分的。例如，每一個化合物7、9的填充物密度或填充物直徑可以是不同的。電路器件3是在電路封裝1的與背面b相反的正面f附近提供的。

封裝5包括至少一個混合層hl，該至少一個混合層hl包括全部兩個環(huán)氧模塑化合物7、9?；旌蠈觝l平行于電路封裝1的正面f而延伸。在所圖示的示例中，封裝包括混合層hb，但在其他示例中，混合層hb可以是在可包括單個環(huán)氧模塑化合物的其他層之間提供的。

在單個平面x-y中對不同成分的示例環(huán)氧模塑化合物7、9進行圖案化。例如，化合物之一7是大塊化合物(即，其形成封裝的總體積的大塊)，而另一化合物9可以關(guān)于大塊化合物而被圖案化，以控制與電路器件1的制造或使用相關(guān)聯(lián)的某些屬性。

在一個示例中，經(jīng)圖案化的第二化合物9具有與相同混合層hl的第一化合物7不同的cte(熱膨脹系數(shù))，以控制面板的翹曲，該翹曲否則將由于大塊環(huán)氧模塑化合物的較高cte相對于電路器件3的較低cte而發(fā)生。例如，電路器件3可以包含一般具有比大塊環(huán)氧模塑化合物低的cte的導(dǎo)電和/或半導(dǎo)體材料。cte中的差異可能在冷卻期間生成封裝中的形變。為了抵消諸如翹曲之類的形變，對cte進行更改?？梢酝ㄟ^使填充物在化合物中的重量百分比(也被稱作填充物密度)發(fā)生變化來更改cte。

在其他示例中，化合物之一可以具有像填充物之類的所添加的部件或其他部件的不同的平均填充物直徑、填充物長度或者不同的重量和/或體積百分比。例如，填充物直徑可以影響經(jīng)激光消融或切割的面板部分的某些表面特性。通過在第一化合物中對第二化合物進行圖案化(或者反之亦然)，可以在電路封裝1的制造或使用期間控制電路封裝1的某些屬性。

圖2圖示了包括被封裝在封裝105中的電路器件103的電路封裝101的示例。封裝105包括第一成分的第一環(huán)氧模塑化合物107和第二成分的第二環(huán)氧模塑化合物109。封裝105包括單個環(huán)氧模塑化合物107的第一層。封裝105包括第一層之上的混合層hl，混合層hl包括單個平面x-y中的第一和第二環(huán)氧模塑化合物107、109二者?；旌蠈觝l在正面f附近延伸。在所圖示的示例中，混合層hl形成正面f。

在所圖示的示例中，電路器件103在第一化合物107中延伸。第一化合物107在電路器件103的側(cè)面和背部處包圍電路器件103。第二化合物109在混合層hl內(nèi)圍繞第一化合物107。第二環(huán)氧化合物109沿側(cè)面且在第一化合物107之上延伸。因此，第二環(huán)氧模塑化合物109、第一環(huán)氧模塑化合物107和電路器件103是緊接于彼此設(shè)置的。第一化合物107可以是封裝105的大塊化合物，并可以在第二化合物109之下且在混合層hl之下延伸。第一化合物107可以形成電路封裝101的背表面b。

可以通過壓模來制造電路封裝。壓模涉及：對設(shè)置在模具中的環(huán)氧模塑化合物進行加熱；沉積電路器件并壓縮化合物和電路器件的組件；以及冷卻電路封裝101。電路器件103的熱膨脹和第一環(huán)氧模塑化合物107的熱膨脹是不同的。因此，如果將僅在第一或第二環(huán)氧模塑化合物的封裝中封裝電路器件103，則在冷卻期間可能發(fā)生翹曲。例如，背表面b可能彎曲到凹形狀中。

在一個示例中，第二環(huán)氧模塑化合物109具有比第一環(huán)氧模塑化合物107高的cte。在進一步的示例中，第二環(huán)氧模塑化合物109具有比第一環(huán)氧模塑化合物107低的填充物重量百分比，以實現(xiàn)更高的cte。鄰近于電路器件103而設(shè)置包括第一和第二環(huán)氧模塑化合物二者的混合層hl，以增大整個混合層hl的總體cte。這可以補償關(guān)于背表面b的cte差異并控制總體面板翹曲。例如，以策略性的量(例如厚度、表面)和位置在混合層hl中正表面f附近設(shè)置第二環(huán)氧模塑化合物109。

通過在第一環(huán)氧模塑化合物107周圍電路器件103附近設(shè)置第二環(huán)氧模塑化合物109的層，在冷卻期間混合層hl的總體熱膨脹可以是與背表面b附近的熱膨脹類似的或相對于背表面b附近的熱膨脹相反形狀的?？梢栽陔娐菲骷?03周圍且在第一環(huán)氧模塑化合物107周圍對第二環(huán)氧模塑化合物109進行圖案化，以便控制電路封裝1的弓狀彎曲或翹曲。通過在本公開的示例封裝中的一些的情況下獲得對面板弓狀彎曲的更好控制，可以緩和某些設(shè)計約束，諸如電路器件厚度(相對于長度和寬度)、封裝中電路器件的數(shù)目、封裝厚度、模具溫度設(shè)定、壓模下游的襯底處置(諸如電氣重分布層(rdl)制作工藝)、在冷卻期間的封裝卡固、以及更多約束。

圖3在到正面f和混合層hl上的頂視圖中圖示了圖2的示例。如所圖示的那樣，在混合層hl中，第一環(huán)氧模塑化合物107圍繞電路器件103，并且第二環(huán)氧模塑化合物109圍繞第一環(huán)氧模塑化合物107。

圖4圖示了電路封裝201的橫截面?zhèn)纫晥D的另一示例。電路封裝201包括封裝205和被封裝在封裝205中的電路器件203。封裝205包括不同成分的兩個環(huán)氧模塑化合物207、209。例如，封裝205包括第一大塊環(huán)氧模塑化合物207和在第一環(huán)氧模塑化合物207中圖案化的不同成分的第二環(huán)氧模塑化合物209。在示例中，電路器件203被設(shè)置在第二環(huán)氧模塑化合物中。混合層hl包括電路器件203、圍繞電路器件203的第二環(huán)氧模塑化合物209以及圍繞第二環(huán)氧模塑化合物209的第一環(huán)氧模塑化合物207。因此，第一環(huán)氧模塑化合物、第二環(huán)氧模塑化合物和電路器件是緊接于彼此設(shè)置的。在一個示例中，第二環(huán)氧模塑化合物209具有比第一環(huán)氧模塑化合物207更低的填充物重量百分比和更高的cte。第一環(huán)氧模塑化合物207圍繞第二環(huán)氧模塑化合物209，并在第二環(huán)氧模塑化合物209之下延伸。例如，第一環(huán)氧模塑化合物207形成封裝201的背表面。電路封裝201的頂視圖可以類似于圖3，區(qū)別在于第二環(huán)氧模塑化合物209直接圍繞電路器件203并且第一環(huán)氧模塑化合物207直接圍繞第二環(huán)氧模塑化合物209。類似于圖2，電路封裝201的背面部分由第一大塊環(huán)氧模塑化合物207形成。

圖5圖示了與圖2的示例類似的電路封裝301，其具有沉積在第一環(huán)氧模塑化合物307中的電路器件陣列303a。陣列303a包括電路器件303的至少一個行和/或列。不同成分的不同環(huán)氧模塑化合物307、309的混合層hl被設(shè)置在形成背面b的第一環(huán)氧模塑化合物307的背面層之上?；旌蠈觝l形成正面f。在混合層hl中，與第一大塊環(huán)氧模塑化合物307不同成分的第二環(huán)氧模塑化合物309圍繞第一環(huán)氧模塑化合物307。

圖6在到封裝401的正面上的頂視圖中圖示了包括電路器件陣列403a的電路封裝401的另一示例。在示例中，混合層可以形成正面?；旌蠈影娐菲骷?03?；旌蠈影ǖ谝画h(huán)氧模塑化合物407在與第一環(huán)氧模塑化合物407不同成分的第二環(huán)氧模塑化合物409內(nèi)的圖案。例如，該圖案包括第一環(huán)氧模塑化合物407的兩個島狀物407a。第二環(huán)氧模塑化合物409圍繞島狀物407a中的每一個。島狀物407a中的每一個連接到第一環(huán)氧模塑化合物407的厚層，該厚層形成電路封裝407的背面部分(未圖示)?？梢栽趰u狀物407a周圍對第二環(huán)氧模塑化合物409的薄層進行圖案化，從而形成混合層。在不同示例中，可以在混合層中提供第一和/或第二環(huán)氧模塑化合物407、409的不同圖案。例如，可以形成相對復(fù)雜的圖案。在示例中，第二環(huán)氧模塑化合物409具有比第一環(huán)氧模塑化合物407低的cte，例如以便補償面板弓狀彎曲。

圖7在橫截面?zhèn)纫晥D中圖示了具有填充物密度梯度的電路封裝501的示例。例如，電路封裝501包括不同成分的不同環(huán)氧模塑化合物507、509的電路器件503和封裝505。封裝505包括形成具有背表面b的背面部分bp的第一環(huán)氧模塑化合物507。封裝505包括形成正面f的一部分的第二環(huán)氧模塑化合物509，電路器件503沉積到第二環(huán)氧模塑化合物509中。在正面f附近，第一環(huán)氧模塑化合物507緊接于第二環(huán)氧模塑化合物509而延伸。第二環(huán)氧模塑化合物509可以圍繞電路器件503的側(cè)面和背部。第一環(huán)氧化合物507可以圍繞第二環(huán)氧化合物509的側(cè)面和背部。例如，第一環(huán)氧模塑化合物507具有比第二環(huán)氧模塑化合物509高的填充物密度以及更低的cte。在第一和第二環(huán)氧模塑化合物507、509之間，分別提供具有變化的填充物密度的不同環(huán)氧模塑化合物的附加蓋508a、508b。例如，環(huán)氧模塑化合物蓋509、508a、508b、507可以像半個同盟的洋蔥殼那樣彼此卷繞。例如，填充物密度在遠(yuǎn)離電路器件503的方向d上隨每一個蓋509、508a、508b增大。因此，在環(huán)氧模塑化合物封裝505中電路器件503周圍提供填充物密度梯度。注意，在一個示例中，填充物密度是填充物在化合物中的重量百分比。在一個示例中，填充物密度影響環(huán)氧模塑化合物的cte。

在未圖示的其他示例中，填充物密度可以在遠(yuǎn)離電路器件的方向上減小。在另外其他示例中，填充物密度可以例如通過首先減小、增大并再次減小來在遠(yuǎn)離電路器件503的方向上變化。在另外其他示例中，梯度可以是變化的填充物精細(xì)度、填充物直徑或者其他添加物量或添加物重量等等之一。具有某個填充物或者其他部件或?qū)傩缘奶荻瓤梢栽试S封裝501中的期望方向或位置中的某些屬性的梯度。

圖8在橫截面?zhèn)纫晥D中圖示了流體電路封裝701的示例。流體電路封裝701包括不同環(huán)氧模塑化合物707、709的封裝705。封裝705包括第一成分的第一環(huán)氧模塑化合物707和不同成分的第二環(huán)氧模塑化合物709。流體電路器件陣列703a被設(shè)置在正面f附近。陣列703a的每一個電路器件703包括流體通道719。流體通道719可以包括歧管、室和噴嘴以配給流體。在正表面f中提供噴嘴。流體電路器件703進一步包括流體推進部件，諸如用于推進或噴射流體的電阻器。流體通道719可以是微觀形狀的。例如，每一個流體電路器件703包括：噴嘴陣列，具有至少300個噴嘴每英寸(npi)、至少600npi、至少900npi、至少1200npi或更多的噴嘴密度；以及通向它的通道。封裝705進一步包括流體孔723，流體孔723從封裝705的背部b伸展到每一個電路器件703，以將流體提供給電路器件703的通道719。流體孔723可以平均起來有比電路器件703中的流體通道719的平均直徑更大的直徑，以將充足量的流體遞送到電路器件703中的多個噴嘴或多個噴嘴陣列。

在一個示例中，通過第二環(huán)氧模塑化合物的至少一部分來提供流體孔723。在所圖示的示例中，第二環(huán)氧模塑化合物從封裝701的背部b延伸到正面f，由此，流體孔723完全延伸通過第二環(huán)氧模塑化合物。在其他示例中，第二環(huán)氧模塑化合物可以延伸直到電路器件703的背部，而不到達(dá)正面f。

第二環(huán)氧模塑化合物707可以包括平均起來比第一環(huán)氧模塑化合物709精細(xì)的填充物。平均起來，第二環(huán)氧模塑化合物709中的填充物的直徑小于第一環(huán)氧模塑化合物中的填充物的直徑。更精細(xì)的填充物可以允許流體孔723的更光滑的壁。例如，可以通過激光消融來制造流體孔723，并且在所述激光消融之后，更精細(xì)的填充物允許更光滑的壁。

圖9在頂視圖中圖示了圖8的流體電路封裝701的示例。流體電路封裝701可以是高精度數(shù)字液體配給模塊的部件，諸如用于二維或三維打印的介質(zhì)寬陣列打印桿。流體電路器件703可以是像相對較薄的薄片那樣成形的，且可以包括硅材料。在圖中，圖示了噴嘴的陣列721，其開放到正表面f(圖8)中以噴射流體。在所圖示的示例中，每一個流體電路器件703被提供有至少兩個噴嘴陣列721。除相對較薄外，在進一步的示例中，流體器件703還具有相對較小的寬度w和較長的長度l。例如，長度l相對于寬度w的比率可以是至少近似25∶1或至少50∶1。流體電路器件703可以被布置在兩個行r中，使得相對行r中的后續(xù)噴嘴陣列721重疊，以便具有如從與流體電路器件703的所述長度l垂直的側(cè)方向d所見的噴嘴陣列721的連續(xù)覆蓋，如圖9最佳地圖示的那樣。在一個示例中，這允許流體噴射到介質(zhì)的完整寬度上，該完整寬度在流體電路封裝701之下行進或延伸。

在其他流體或非流體應(yīng)用中，可以提供類似的面板形狀的封裝，其以行和/或列封裝電路器件的陣列。

圖10圖示了對電路封裝進行壓模的示例的流程圖。該方法包括：在載體上沉積第一環(huán)氧模塑化合物和第二環(huán)氧模塑化合物，每一個模塑化合物是不同成分的(框100)。在一個示例中，載體是模具腔。在另一示例中，這兩個模塑化合物被設(shè)置在分離的載體上且稍后在模具中被冷卻。該方法包括：對環(huán)氧模塑化合物進行加熱(框110)。該方法包括：在第一環(huán)氧模塑化合物中提供電路器件(框120)。該方法進一步包括：壓縮環(huán)氧模塑化合物，使得全部這兩個環(huán)氧模塑化合物在與厚度方向垂直的相同x-y平面中延伸(框130)。然后，在模具中冷卻經(jīng)壓縮的封裝。例如，x-y平面延伸通過混合層，混合層包含全部這兩個不同化合物且平行于正表面而延伸。因此，在所述x-y平面內(nèi)，提供化合物之一的圖案。該圖案被選擇以優(yōu)化電路封裝的某些最終屬性。

圖11以及12a和12b分別圖示了對電路封裝進行壓模的進一步示例的流程圖和示圖。該方法包括：相對于第一環(huán)氧模塑化合物907對第二環(huán)氧模塑化合物909進行圖案化，化合物907、909是不同成分的(框200)。化合物907、909可以沉積在載體上或直接沉積在模具中。例如，圖案可以包括像點之類的島狀物907a或更復(fù)雜的圖案，參見圖12a。該方法包括：對環(huán)氧模塑化合物907、909進行加熱(框210)；取決于期望的屬性的類型，將電路器件903沉積在第一環(huán)氧模塑化合物或第二環(huán)氧模塑化合物之一中(框220)；以及壓縮化合物，使得電路器件和化合物在相同x-y平面中延伸(框230)。在圖12b中，電路器件903已經(jīng)沉積在第一環(huán)氧模塑化合物907中、被壓縮以及被冷卻。

本公開的所描述的示例封裝中的一些包括具有不同cte的多個環(huán)氧模塑化合物。在示例中，該描述的環(huán)氧模塑化合物的cte可以由填充物在環(huán)氧模塑化合物中的重量百分比確定。例如，cte與化合物中的填充物濃度成反比。在一個示例中，第一環(huán)氧模塑化合物具有近似90％的填充物重量百分比，其與近似6ppm/c的cte相對應(yīng)。具有這樣的特性的產(chǎn)業(yè)標(biāo)準(zhǔn)環(huán)氧模塑化合物的示例是來自hitachichemical，的cel400zhf40w。例如，第二環(huán)氧模塑化合物具有近似87％的填充物重量百分比和近似9ppm/c的cte。具有這樣的特性的產(chǎn)業(yè)標(biāo)準(zhǔn)環(huán)氧模塑化合物的示例是cel400zhf40w-87。在其他示例中，填充物在第一環(huán)氧模塑化合物中的重量百分比可以在87％與91％之間。例如，第一環(huán)氧模塑化合物的cte可以在近似6ppm/c與9ppm/c之間。在另一示例中，填充物在第二環(huán)氧模塑化合物中的重量百分比可以在82％與87％之間。例如，第二環(huán)氧模塑化合物的cte在9ppm/c與14ppm/c之間。第一和第二環(huán)氧模塑化合物的不同cte的不同示例分別是6ppm/c和13ppm/c?？山M成電路器件的硅的cte的示例是近似3ppm/c。

本公開的示例中的一些描述了緊接于電路器件和大塊環(huán)氧化合物而對與大塊環(huán)氧模塑化合物不同成分的額外環(huán)氧模塑化合物的放置，因而在全部兩個化合物的混合層中提供“圖案化”效果。這樣的示例電路封裝的效果可以包括下述至少一項：減小弓狀彎曲；增大設(shè)計空間；改進流體屬性；改進電氣屬性和/或消除添加部件或制造工藝步驟的需要。

本公開中描述的各種示例的電路封裝可以是較大封裝或器件的子部件或者最終產(chǎn)品的中間產(chǎn)品。例如，多個其他層或部件可以附著到背表面或正表面。因此，當(dāng)電路封裝是子部件時，背表面或正表面可能不可見或不明顯。

電路封裝和制造方法的各種示例可以涉及例如用于計算機部件的集成電路封裝。在進一步的示例中，封裝和方法可以涉及流體應(yīng)用，諸如2d或3d打印、數(shù)字滴定、其他微流體器件等。在不同示例中，流體可以包括液體、油墨、打印劑、藥物流體、生物流體等。

示例電路封裝可以具有任何取向：描述性術(shù)語“背”和“正”應(yīng)當(dāng)被理解為僅相對于彼此。而且，本公開的示例片材或面板具有z方向上的厚度以及沿x-y平面的寬度和長度。相對于寬度和長度，封裝的厚度可以相對較薄。在某些示例中，填充物密度隨厚度而變化。

權(quán)利要求書(按照條約第19條的修改)

1.一種電路封裝面板，包括：

正面和背面，

環(huán)氧模塑化合物的封裝，以及

所述封裝中的電路器件，其中

所述封裝包括第一環(huán)氧模塑化合物和緊接于它的不同成分的第二環(huán)氧模塑化合物的至少一個混合層，所述至少一個混合層平行于所述正面；

其中所述第二環(huán)氧模塑化合物具有與所述第一環(huán)氧模塑化合物不同的熱膨脹系數(shù)(cte)，所述第二環(huán)氧模塑化合物具有與所述第一環(huán)氧模塑化合物不同的填充物重量百分比，以實現(xiàn)所述第二環(huán)氧模塑化合物的不同cte。

2.如權(quán)利要求1所述的電路封裝，包括電路器件的陣列。

3.如權(quán)利要求1所述的電路封裝，其中

所述電路器件在第一化合物中延伸，并且

第二化合物圍繞第一化合物。

4.如權(quán)利要求1所述的電路封裝，其中所述第二環(huán)氧模塑化合物具有比所述第一環(huán)氧模塑化合物低的cte，所述第二環(huán)氧模塑化合物具有比所述第一環(huán)氧模塑化合物高的填充物密度，以實現(xiàn)所述第二環(huán)氧模塑化合物的較低cte。

5.如權(quán)利要求1所述的電路封裝，其中第一化合物在所述電路器件之下且在第二化合物之下延伸。

6.如權(quán)利要求1所述的電路封裝，其中所述第二環(huán)氧模塑化合物具有比所述第一環(huán)氧模塑化合物高的熱膨脹系數(shù)(cte)，所述第二環(huán)氧模塑化合物具有比所述第一環(huán)氧模塑化合物低的填充物重量百分比，以實現(xiàn)所述第二環(huán)氧模塑化合物的較高cte。

7.如權(quán)利要求1所述的電路封裝，進一步包括：不同環(huán)氧模塑化合物的至少兩個附加蓋，處于第一和第二環(huán)氧模塑化合物之間，具有變化的填充物密度。

8.如權(quán)利要求1所述的電路封裝，其中在第一和第二環(huán)氧模塑化合物以及第一和第二環(huán)氧模塑化合物之間的附加蓋當(dāng)中，填充物密度在遠(yuǎn)離所述電路器件的方向上增大，使得在所述封裝中所述電路器件周圍提供填充物密度梯度。

9.如權(quán)利要求1所述的電路封裝，其中在第一和第二環(huán)氧模塑化合物以及第一和第二環(huán)氧模塑化合物之間的附加蓋當(dāng)中，填充物密度在遠(yuǎn)離所述電路器件的方向上減小，使得在所述封裝中所述電路器件周圍提供填充物密度梯度。

10.如權(quán)利要求1所述的電路封裝，其中

所述電路器件是包括流體通道陣列的流體器件，并且

第二化合物包括用于將流體遞送到所述電路器件的流體孔。

11.如權(quán)利要求10所述的電路封裝，其中所述電路器件中的每一個包括相對較薄的薄片，所述薄片具有至少300個噴嘴每英寸的噴嘴陣列且具有至少1∶25的寬度∶長度比。

12.一種對電路封裝進行壓模的方法，包括：

在載體上沉積第一環(huán)氧模塑化合物和第二環(huán)氧模塑化合物，每一個模塑化合物是不同成分的，

對環(huán)氧模塑化合物進行加熱，

在所述第一環(huán)氧模塑化合物中提供電路器件，以及

壓縮環(huán)氧模塑化合物，使得全部兩個環(huán)氧模塑化合物在一個混合層中延伸。

13.如權(quán)利要求12所述的方法，其中所述第二環(huán)氧模塑化合物是至少部分地緊接于所述第一環(huán)氧模塑化合物而沉積的。

14.如權(quán)利要求12所述的方法，其中所述沉積包括：相對于第一化合物對第二化合物進行圖案化。

15.一種電路封裝，包括：

封裝，由多個不同環(huán)氧模塑化合物形成，所述封裝具有正面；以及

電路器件，設(shè)置在所述封裝中所述正面附近；

所述多個環(huán)氧模塑化合物，包括平行于所述正面的至少一個混合層，所述至少一個混合層具有：

大塊環(huán)氧模塑化合物，以及

與所述大塊環(huán)氧模塑化合物不同成分的第二環(huán)氧模塑化合物，緊接于所述大塊環(huán)氧模塑化合物；以及

不同環(huán)氧模塑化合物的至少兩個附加蓋，處于第一和第二環(huán)氧模塑化合物之間，模塑化合物基于變化的填充物密度而具有變化的熱膨脹系數(shù)(cte)，其中填充物密度在移動通過環(huán)氧模塑化合物的遠(yuǎn)離所述電路器件的方向上減小、增大且然后再次減小。