本發(fā)明涉及平面顯示器的制程領(lǐng)域，尤其涉及一種濕法蝕刻設(shè)備及濕法蝕刻方法。

背景技術(shù)：

在顯示技術(shù)領(lǐng)域，液晶顯示器(liquidcrystaldisplay，lcd)和有源矩陣驅(qū)動式有機電致發(fā)光顯示裝置(activematrixorganiclight-emittingdiode，簡稱amoled)等平板顯示裝置因具有機身薄、高畫質(zhì)、省電、無輻射等眾多優(yōu)點，得到了廣泛的應(yīng)用，如：移動電話、個人數(shù)字助理(pda)、數(shù)字相機、計算機屏幕或筆記本屏幕等。

薄膜晶體管(thinfilmtransistor，tft)陣列(array)基板是目前液晶顯示裝置(liquidcrystaldisplay，lcd)和有源矩陣驅(qū)動式有機電致發(fā)光顯示裝置(activematrixorganiclight-emittingdiode，簡稱amoled)中的主要組成部件，直接關(guān)系到高性能平板顯示裝置的發(fā)展方向。

例如lcd的制程一般包括：前段陣列制程、中段成盒(cell)制程、及后段模組組裝制程，前段陣列制程又包括：玻璃基板的清洗與干燥、鍍膜、涂光刻膠、曝光、顯影、蝕刻、去除光刻膠等制程。蝕刻又分為濕法(wet)蝕刻和干法(dry)蝕刻，其中濕法蝕刻的效果對于布線的精細程度以及最終面板的品質(zhì)有很大的影響，因此蝕刻尺寸偏差(cdbias)及蝕刻尺寸(cd)均一性是濕法蝕刻后的重要特征值。舉例來說，對于第二層金屬，如果蝕刻尺寸不均勻，也即部分區(qū)域?qū)Ь€較寬，會造成像素之間第二層金屬與第一層金屬交蓋面積的不同，也就是說，產(chǎn)生不同的電容耦合效應(yīng)，使面板的品質(zhì)偏離設(shè)計值。

目前最常用的濕法蝕刻模式為噴淋式(spraymode)，其主要通過在基板上方噴淋蝕刻藥液而對基板進行蝕刻；且在濕法蝕刻制程中，在化學(xué)藥液確定的情況下，影響cd的主要因素有溫度、蝕刻時間、藥液置換效率等。

現(xiàn)有噴淋式的濕法蝕刻設(shè)備主要包括用于傳送玻璃基板500的傳送裝置100、及設(shè)置在傳送裝置100上方用于向玻璃基板500噴淋蝕刻液的多個噴淋管210；其中，所述傳送裝置100采用的搬送模式有水平傳送模式和相對水平面傾斜大約5°的傾斜傳送模式。水平傳送時，如圖1所示，因蝕刻液要從玻璃基板500兩側(cè)流出，導(dǎo)致玻璃基板500上中間區(qū)域的蝕刻液置換率與兩側(cè)區(qū)域有差異，從而導(dǎo)致蝕刻cd均一性不佳；而在傾斜傳送時，如圖2所示，因蝕刻液都會從玻璃基板500一側(cè)流出，故玻璃基板500兩側(cè)區(qū)域的蝕刻液置換率會有較大差異，從而導(dǎo)致蝕刻cd的均一性不佳.。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的在于提供一種濕法蝕刻設(shè)備，在傾斜傳送基板時，可通過調(diào)整基板在不同區(qū)域所受到的噴淋壓力，來減小基板兩側(cè)區(qū)域上蝕刻液的置換率差異，從而減小基板兩側(cè)區(qū)域上蝕刻尺寸偏差的差異，進而改善蝕刻尺寸的均一性。

本發(fā)明的目的還在于提供一種濕法蝕刻方法，采用上述的濕法蝕刻設(shè)備，在傾斜傳送基板時，可通過調(diào)整基板在不同區(qū)域所受到的噴淋壓力，來減小基板兩側(cè)區(qū)域上蝕刻液的置換率差異，從而減小基板兩側(cè)區(qū)域上蝕刻尺寸偏差的差異，進而改善蝕刻尺寸的均一性。

為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供一種濕法蝕刻設(shè)備，包括用于傳送基板的傳送裝置、及多個設(shè)于所述傳送裝置上方用于向基板表面噴淋蝕刻液的噴淋管；

所述傳送裝置具有用于承載基板的承載面，設(shè)所述傳送裝置對基板傳送的方向為第一方向，與所述第一方向垂直且與所述傳送裝置的承載面平行的方向為第二方向，所述傳送裝置的承載面在沿第二方向上相對于水平面逐漸升高而呈傾斜狀，從而對基板進行傾斜式傳送；

所述傳送裝置的承載面劃分為沿第二方向排列的第一至第n區(qū)域，其中n為大于1的自然數(shù)，所述多個噴淋管在第一至第n區(qū)域的上方對應(yīng)劃分為第一至第n組，所述多個噴淋管與所述承載面之間的高度在由第一至第n組逐漸降低，從而使基板在第一區(qū)域至第n區(qū)域上所受到的噴淋壓力不同。

所述的濕法蝕刻設(shè)備，還包括分別與所述第一至第n組噴淋管相連接的用于傳送蝕刻液的n個進液管。

每一進液管上均設(shè)有一個控制閥，用于對蝕刻液的流量進行控制。

每一噴淋管的軸向方向均平行于所述第一方向。

每一噴淋管上均設(shè)有沿其軸向方向排列的多個噴嘴，每一噴淋管均通過其上的多個噴嘴向基板表面噴淋蝕刻液。

在對基板表面噴淋蝕刻液的過程中，每一噴淋管均在基板的上方來回轉(zhuǎn)動。

所述傳送裝置的承載面劃分為沿第二方向排列的第一至第三區(qū)域，所述多個噴淋管在第一至第三區(qū)域的上方對應(yīng)劃分為第一至第三組。

所述傳送裝置的承載面相對于水平面傾斜3-7°。

本發(fā)明還提供一種濕法蝕刻方法，包括如下步驟：

步驟s1、提供如上所述的濕法蝕刻設(shè)備、及待蝕刻的基板，開啟所述濕法蝕刻設(shè)備；

步驟s2、將所述基板放置于傳送裝置的承載面上，所述基板在傳送裝置的帶動下向前移動并相對于水平面呈傾斜狀，所述多個噴淋管在基板移動過程中對其下方的基板噴淋蝕刻液，由于所述多個噴淋管與基板之間的高度在由第一至第n組逐漸降低，基板在第一區(qū)域至第n區(qū)域上所受到的噴淋壓力不同。

所述濕法蝕刻設(shè)備還包括分別與所述第一至第n組噴淋管相連接的用于傳送蝕刻液的n個進液管，其中，每一進液管上均設(shè)有一個控制閥，用于對蝕刻液的流量進行控制；

所述步驟s2還包括，通過每一進液管上的控制閥調(diào)整第一至第n組噴淋管中的蝕刻液的流量。

本發(fā)明的有益效果：本發(fā)明的濕法蝕刻設(shè)備，包括用于傳送基板的傳送裝置、及多個用于向基板表面噴淋蝕刻液的噴淋管；所述傳送裝置的承載面劃分為多個區(qū)域，所述多個噴淋管在承載面多個區(qū)域的上方對應(yīng)劃分為與承載面之間高度不相同的多個組，以使在傾斜傳送基板時，基板在不同區(qū)域上所受到的噴淋壓力不同，從而來減小基板兩側(cè)區(qū)域上蝕刻液的置換率差異，進而減小基板兩側(cè)區(qū)域上蝕刻尺寸偏差的差異，改善蝕刻尺寸的均一性。本發(fā)明的濕法蝕刻方法，采用上述的濕法蝕刻設(shè)備，通過調(diào)整基板在不同區(qū)域所受到的噴淋壓力，來減小基板兩側(cè)區(qū)域上蝕刻液的置換率差異，進而減小基板兩側(cè)區(qū)域上蝕刻尺寸偏差的差異，改善蝕刻尺寸的均一性。

為了能更進一步了解本發(fā)明的特征以及技術(shù)內(nèi)容，請參閱以下有關(guān)本發(fā)明的詳細說明與附圖，然而附圖僅提供參考與說明用，并非用來對本發(fā)明加以限制。

附圖說明

下面結(jié)合附圖，通過對本發(fā)明的具體實施方式詳細描述，將使本發(fā)明的技術(shù)方案及其他有益效果顯而易見。

附圖中，

圖1為現(xiàn)有濕法蝕刻設(shè)備在水平傳送模式下出現(xiàn)蝕刻尺寸不均的示意圖；

圖2為現(xiàn)有濕法蝕刻設(shè)備在傾斜傳送模式下出現(xiàn)蝕刻尺寸不均的示意圖；

圖3為本發(fā)明的濕法蝕刻設(shè)備的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4為本發(fā)明的濕法蝕刻設(shè)備中噴淋管與進液管的連接示意圖；

圖5為本發(fā)明的濕法蝕刻方法的流程示意圖。

具體實施方式

為更進一步闡述本發(fā)明所采取的技術(shù)手段及其效果，以下結(jié)合本發(fā)明的實施例及其附圖進行詳細描述。

請參閱圖3，本發(fā)明提供一種濕法蝕刻設(shè)備，包括用于傳送基板50的傳送裝置10、及多個設(shè)于所述傳送裝置10上方用于向基板50表面噴淋蝕刻液的噴淋管21；

所述傳送裝置10具有用于承載基板50的承載面，設(shè)所述傳送裝置10對基板50傳送的方向為第一方向x，與所述第一方向x垂直且與所述傳送裝置10的承載面平行的方向為第二方向y，所述傳送裝置10的承載面在沿第二方向y上相對于水平面逐漸升高而呈傾斜狀，從而對基板50進行傾斜式傳送；

所述傳送裝置10的承載面劃分為沿第二方向y排列的第一至第n區(qū)域，其中n為大于1的自然數(shù)，所述多個噴淋管21在第一至第n區(qū)域的上方對應(yīng)劃分為第一至第n組，所述多個噴淋管21與所述承載面之間的高度在由第一至第n組逐漸降低，從而使基板50在第一區(qū)域至第n區(qū)域上所受到的噴淋壓力不同。

本發(fā)明的濕法蝕刻設(shè)備，通過將傳送裝置10上方的多個噴淋管21劃分為與承載面之間高度不相同的多個組，以使在傾斜傳送基板50時，基板50在不同區(qū)域上所受到的噴淋壓力不同，從而來減小基板50兩側(cè)區(qū)域上蝕刻液的置換率差異，進而減小基板50兩側(cè)區(qū)域上蝕刻尺寸偏差的差異，改善蝕刻尺寸的均一性。

具體地，如圖4所示，所述的濕法蝕刻設(shè)備，還包括分別與所述第一至第n組噴淋管21相連接的用于傳送蝕刻液的n個進液管22；其中，每一進液管22上均設(shè)有一個用于對蝕刻液的流量進行控制的控制閥221，即每一組噴淋管21內(nèi)蝕刻液的流量可單獨控制。

那么在使用本發(fā)明的濕法蝕刻設(shè)備對基板50進行濕法蝕刻的過程，還可以通過調(diào)整第一至第n組的噴淋管21內(nèi)蝕刻液的流量，來減少基板50兩側(cè)區(qū)域上蝕刻液的置換率差異，進而減小基板50兩側(cè)區(qū)域上蝕刻尺寸偏差的差異，改善蝕刻尺寸的均一性。

具體地，每一噴淋管21均按照其軸向方向平行于所述第一方向x進行設(shè)置。

具體地，每一噴淋管21上均設(shè)有沿其軸向方向排列的多個噴嘴211，每一噴淋管21均通過其上的多個噴嘴211向基板50表面噴淋蝕刻液。

具體地，在對基板50表面噴淋蝕刻液的過程中，每一噴淋管21均在基板50的上方來回轉(zhuǎn)動，即使得每一噴淋管21上的多個噴嘴211在垂直于第一方向x的平面內(nèi)來回擺動，從而使得基板50上對應(yīng)兩相鄰噴淋管21之間的區(qū)域也能夠被噴淋到蝕刻液。

具體地，在本實施例中，所述傳送裝置10的承載面劃分為沿第二方向y排列的第一至第三區(qū)域，所述多個噴淋管21在第一至第三區(qū)域的上方對應(yīng)劃分為第一至第三組。

具體地，所述傳送裝置10的承載面相對于水平面傾斜3-7°。

請參閱圖5，基于上述的濕法蝕刻設(shè)備，本發(fā)明還提供一種濕法蝕刻方法，包括如下步驟：

步驟s1、提供上述的濕法蝕刻設(shè)備、及待蝕刻的基板50，開啟所述濕法蝕刻設(shè)備。

步驟s2、將所述基板50放置于傳送裝置10的承載面上，所述基板50在傳送裝置10的帶動下向前移動并相對于水平面呈傾斜狀，所述多個噴淋管21在基板50移動過程中對其下方的基板50噴淋蝕刻液，由于所述多個噴淋管21與基板50之間的高度在由第一至第n組逐漸降低，基板50在第一區(qū)域至第n區(qū)域上所受到的噴淋壓力不同，從而減小了基板50兩側(cè)區(qū)域上蝕刻液的置換率差異，進而能夠減小基板50兩側(cè)區(qū)域上蝕刻尺寸偏差的差異，改善蝕刻尺寸的均一性。

具體地，所述濕法蝕刻設(shè)備還包括分別與所述第一至第n組噴淋管21相連接的用于傳送蝕刻液的n個進液管22，其中，每一進液管22上均設(shè)有一個用于對蝕刻液的流量進行控制的控制閥221，即每一組噴淋管21內(nèi)蝕刻液的流量可單獨控制。

那么所述步驟s2還包括，通過每一進液管22上的控制閥221調(diào)整第一至第n組噴淋管21中的蝕刻液的流量。即所述步驟s2中，還可以通過調(diào)整第一至第n組的噴淋管21內(nèi)蝕刻液的流量，來減少基板50兩側(cè)區(qū)域上蝕刻液的置換率差異，進而減小基板50兩側(cè)區(qū)域上蝕刻尺寸偏差的差異，改善蝕刻尺寸的均一性。

綜上所述，本發(fā)明的濕法蝕刻設(shè)備，包括用于傳送基板的傳送裝置、及多個用于向基板表面噴淋蝕刻液的噴淋管；所述傳送裝置的承載面劃分為多個區(qū)域，所述多個噴淋管在承載面多個區(qū)域的上方對應(yīng)劃分為與承載面之間高度不相同的多個組，以使在傾斜傳送基板時，基板在不同區(qū)域上所受到的噴淋壓力不同，從而來減小基板兩側(cè)區(qū)域上蝕刻液的置換率差異，進而減小基板兩側(cè)區(qū)域上蝕刻尺寸偏差的差異，改善蝕刻尺寸的均一性。本發(fā)明的濕法蝕刻方法，采用上述的濕法蝕刻設(shè)備，通過調(diào)整基板在不同區(qū)域所受到的噴淋壓力，來減小基板兩側(cè)區(qū)域上蝕刻液的置換率差異，進而減小基板兩側(cè)區(qū)域上蝕刻尺寸偏差的差異，改善蝕刻尺寸的均一性。

以上所述，對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，可以根據(jù)本發(fā)明的技術(shù)方案和技術(shù)構(gòu)思作出其他各種相應(yīng)的改變和變形，而所有這些改變和變形都應(yīng)屬于本發(fā)明后附的權(quán)利要求的保護范圍。