本實用新型涉及清洗裝置技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種硅片用清洗裝置。

背景技術(shù)：

太陽能光伏行業(yè)晶體硅電池的制作過程中會產(chǎn)生含有較高磷濃度的硅氧化層，被稱為磷硅玻璃，簡稱PSG，在硅電池生產(chǎn)時，要進(jìn)行酸洗將該硅氧化層去除，簡稱去PSG。目前，傳統(tǒng)的清洗設(shè)備在清洗時，每個清洗槽內(nèi)都需要使用純水，對硅片進(jìn)行清洗，因此累計使用純水的量較大，水浪費嚴(yán)重，也提高了生產(chǎn)成本。

根據(jù)中國專利申請?zhí)枮?01320306796.4公布的一種硅片清洗槽，包括清洗槽本體和水泵，所述清洗槽本體的側(cè)壁內(nèi)部成型有腔體，所述腔體內(nèi)設(shè)有垂直隔板，所述垂直隔板將所述腔體隔成內(nèi)腔和外腔，所述垂直隔板的頂部設(shè)有缺口，所述內(nèi)腔和外腔通過所述缺口連通，所述外腔的底部開設(shè)有出水口，所述水泵安裝在所述出水口上，所述清洗槽本體的內(nèi)壁開設(shè)有篩孔，所述清洗槽本體的底部開設(shè)有排污口，所述排污口上設(shè)有閥。這種結(jié)構(gòu)的硅片清洗槽結(jié)構(gòu)相對復(fù)雜，制作成本較高。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本實用新型為了克服現(xiàn)有技術(shù)中的不足，提供了一種硅片用清洗裝置。

本實用新型是通過以下技術(shù)方案實現(xiàn)：

一種硅片用清洗裝置，包括底座，在所述底座的上表面上加工有若干個用于放置硅片的清洗槽，并在所述底座的上表面上設(shè)置有一個用于握持的圓柱桿，在所述底座的下表面設(shè)置有多個支撐短柱。

作為本實用新型優(yōu)選的技術(shù)方案，所述底座為圓柱形底座，每個清洗槽的深度相同，其深度為底座厚度的二分之一。

作為本實用新型優(yōu)選的技術(shù)方案，支撐短柱的數(shù)量為三個，且均勻分布在所述底座的下表面上，每個支撐短柱均采用彈性材料制成。

作為本實用新型優(yōu)選的技術(shù)方案，每個清洗槽之間相互平行。

作為本實用新型優(yōu)選的技術(shù)方案，所述底座和支撐短柱均采用不銹鋼材料制成。

與現(xiàn)有的技術(shù)相比，本實用新型的有益效果是：本實用新型在對硅片進(jìn)行清洗時，將硅片放置在底座上的清洗槽中，排列放好，然后手持圓柱桿將整個底座放置在水箱中進(jìn)行清洗，通過設(shè)置有支撐短柱，便于放置在水箱中，且結(jié)構(gòu)簡單，減少了生產(chǎn)成本。

附圖說明

圖1為本實用新型的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實施方式

為了使本實用新型的目的、技術(shù)方案及優(yōu)點更加清楚明白，以下結(jié)合附圖及實施例，對本實用新型進(jìn)行進(jìn)一步詳細(xì)說明。應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的具體實施例僅僅用以解釋本實用新型，并不用于限定本實用新型。

請參閱圖1，圖1為本實用新型的結(jié)構(gòu)示意圖。

所述一種硅片用清洗裝置，包括底座1，在所述底座1的上表面11上加工有若干個用于放置硅片的清洗槽2，所述底座1為圓柱形底座，每個清洗槽2的深度相同，其深度為底座1厚度的二分之一，且每個清洗槽2之間相互平行。

在所述底座1的上表面11上設(shè)置有一個用于握持的圓柱桿3，所述底座1和圓柱桿3均采用不銹鋼材料制成。

在所述底座1的下表面12設(shè)置有三個支撐短柱4，且均勻分布在所述底座1的下表面12上，每個支撐短柱4均采用彈性材料制成。

在對硅片進(jìn)行清洗時，將硅片放置在底座1上的清洗槽2中，排列放好，然后手持圓柱桿3將整個底座1放置在水箱中進(jìn)行清洗，通過設(shè)置有支撐短柱4，便于放置在水箱中，且結(jié)構(gòu)簡單，減少了生產(chǎn)成本。

上述僅為本實用新型的較佳實施例而已，并不用以限制本實用新型，凡在本實用新型的精神和原則之內(nèi)所作的任何修改、等同替換和改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本實用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。