本發(fā)明涉及一種半絕緣多晶硅薄膜的制備方法，屬于半導體技術(shù)領(lǐng)域。
背景技術(shù)：
1959年，美國人M.M.阿塔拉研究了硅器件表面暴露在大氣中的不穩(wěn)定性問題，提出熱生長二氧化硅(SiO2)膜具有良好的表面鈍化效果。此后，二氧化硅膜得到廣泛應用。60年代中期，人們發(fā)現(xiàn)二氧化硅膜不能完全阻擋有害雜質(zhì)(如鈉離子)向硅(Si)表面的擴散，嚴重影響 MOS器件的穩(wěn)定性。以后研究出多種表面鈍化膜生長工藝，其中以磷硅玻璃 (PSG)、低溫淀積二氧化硅、化學汽相淀積氮化硅(Si3N4)、三氧化二鋁(Al2O3)和聚酰亞胺等最為適用。
直接同半導體接觸的介質(zhì)膜通常稱為第一鈍化層。常用介質(zhì)是熱生長的二氧化硅膜。在形成金屬化層以前，在第一鈍化層上再生長第二鈍化層，主要由磷硅玻璃、低溫淀積二氧化硅等構(gòu)成，能吸收和阻擋鈉離子向硅襯底擴散。為使表面鈍化保護作用更好并使金屬化層不受機械擦傷，在金屬化層上面再生長第三層鈍化層。這第三層介質(zhì)膜可以是磷硅玻璃、低溫淀積二氧化硅、化學氣相淀積氮化硅、三氧化二鋁或聚酰亞胺。這種多層結(jié)構(gòu)鈍化，是現(xiàn)代微電子技術(shù)中廣泛采用的方式。
對于鈍化層的基本要求是：能長期阻止有害雜質(zhì)對器件表面的沾污；熱膨脹系數(shù)與硅襯底匹配；膜的生長溫度低；鈍化膜的組份和厚度均勻性好；針孔密度較低以及光刻后易于得到緩變的臺階。
現(xiàn)有的半導體鈍化膜基本上都屬于絕緣膜，用它們做鈍化層難以避免外加電場的影響和可動電荷的干擾，無法使半導體器件穩(wěn)定工作，尤其對于反向擊穿電壓較高的半導體器件，問題更為突出。
技術(shù)實現(xiàn)要素：
本發(fā)明的目的是克服現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供一種半絕緣多晶硅薄膜的制備方法。
本發(fā)明的半絕緣多晶硅薄膜的制備方法如下：以SiH4和N2O作為反應氣體，N2作為攜帶氣體，在LPCVD系統(tǒng)中進行半絕緣多晶硅薄膜沉積，
所述的反應條件如下：
1）溫度：620-650℃；
2）氣壓：66.5 Pa；
3）SiH4氣體流量為100sccm—120sccm；
4）SiH4與N2O的流量比為2-4：1。
所述的LPCVD系統(tǒng)為臥式反應爐。
本發(fā)明的半絕緣多晶硅薄膜的制備方法，制備的半絕緣多晶硅薄膜化學穩(wěn)定性很好 ,特別適合于器件鈍化。
具體實施方式
實施例1
本發(fā)明的半絕緣多晶硅薄膜的制備方法如下：以SiH4和N2O作為反應氣體，N2作為攜帶氣體，在LPCVD系統(tǒng)中進行半絕緣多晶硅薄膜沉積，
所述的反應條件如下：
1）溫度：620℃；
2）氣壓：66.5 Pa；
3）SiH4氣體流量為100sccm；
4）N2O氣體流量為50sccm；
所述的LPCVD系統(tǒng)為臥式反應爐。
實施例2
本發(fā)明的半絕緣多晶硅薄膜的制備方法如下：以SiH4和N2O作為反應氣體，N2作為攜帶氣體，在LPCVD系統(tǒng)中進行半絕緣多晶硅薄膜沉積，
所述的反應條件如下：
1）溫度：640℃；
2）氣壓：66.5 Pa；
3）SiH4氣體流量為120sccm；
4）N2O氣體流量為30sccm；
所述的LPCVD系統(tǒng)為臥式反應爐。
實施例3
本發(fā)明的半絕緣多晶硅薄膜的制備方法如下：以SiH4和N2O作為反應氣體，N2作為攜帶氣體，在LPCVD系統(tǒng)中進行半絕緣多晶硅薄膜沉積，
所述的反應條件如下：
1）溫度：650℃；
2）氣壓：66.5 Pa；
3）SiH4氣體流量為105sccm；
4）N2O氣體流量為35sccm；
所述的LPCVD系統(tǒng)為臥式反應爐。