技術(shù)編號:12725106
提示:您尚未登錄,請點 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及一種半絕緣多晶硅薄膜的制備方法,屬于半導體技術(shù)領域。背景技術(shù)1959年,美國人M.M.阿塔拉研究了硅器件表面暴露在大氣中的不穩(wěn)定性問題,提出熱生長二氧化硅(SiO2)膜具有良好的表面鈍化效果。此后,二氧化硅膜得到廣泛應用。60年代中期,人們發(fā)現(xiàn)二氧化硅膜不能完全阻擋有害雜質(zhì)(如鈉離子)向硅(Si)表面的擴散,嚴重影響MOS器件的穩(wěn)定性。以后研究出多種表面鈍化膜生長工藝,其中以磷硅玻璃(PSG)、低溫淀積二氧化硅、化學汽相淀積氮化硅(Si3N4)、三氧化二鋁(Al2O3)和聚酰亞胺等最為...
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