技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
提供一種薄膜晶體管基底，所述薄膜晶體管基底包括：基底；半導(dǎo)體層，設(shè)置在基底上，半導(dǎo)體層包括溝道區(qū)、位于溝道區(qū)的第一側(cè)和第二側(cè)處的源區(qū)和漏區(qū)；柵電極，設(shè)置在半導(dǎo)體層上；柵極絕緣層，設(shè)置在柵電極與半導(dǎo)體層之間；第一絕緣層，設(shè)置在基底上，第一絕緣層暴露柵電極的上表面并圍繞柵電極。

技術(shù)研發(fā)人員：李一正;樸永祐;李旺宇
受保護(hù)的技術(shù)使用者：三星顯示有限公司
技術(shù)研發(fā)日：2017.02.20
技術(shù)公布日：2017.10.24