1.一種多光譜圖像傳感器，包括：
前端結(jié)構(gòu)，用于進(jìn)行光電轉(zhuǎn)換和處理；
設(shè)置于所述前端結(jié)構(gòu)上的像素層；
其中，所述像素層具有N個(gè)像素單元，N≥4，所述像素單元排列成多個(gè)陣列，每個(gè)陣列中各個(gè)像素單元的感光波長(zhǎng)不同。
2.如權(quán)利要求1所述的多光譜圖像傳感器，其特征在于，所述像素單元排列成多個(gè)重復(fù)的陣列。
3.如權(quán)利要求2所述的多光譜圖像傳感器，其特征在于，在每個(gè)陣列中像素單元的感光波長(zhǎng)依次增加。
4.如權(quán)利要求3所述的多光譜圖像傳感器，其特征在于，在每個(gè)陣列的像素單元的感光半波長(zhǎng)寬度為λi/2-20nm～λi/2+20nm，其中λi為第i像素單元的設(shè)定感光波長(zhǎng)，1≤i≤N。
5.如權(quán)利要求1所述的多光譜圖像傳感器，其特征在于，所述前端結(jié)構(gòu)具有金屬連線，每個(gè)像素單元皆設(shè)置在相鄰金屬連線之間。
6.如權(quán)利要求1所述的多光譜圖像傳感器，其特征在于，還包括：設(shè)置于所述像素層上的微透鏡層。
7.如權(quán)利要求1所述的多光譜圖像傳感器，其特征在于，還包括：設(shè)置于所述前端結(jié)構(gòu)邊緣的焊盤區(qū)。
8.一種多光譜圖像傳感器的制作方法，包括：
提供前端結(jié)構(gòu)，所述前端結(jié)構(gòu)用于進(jìn)行光電轉(zhuǎn)換和處理；
在所述前端結(jié)構(gòu)上形成像素層；
其中，所述像素層具有N個(gè)像素單元，N≥4，所述像素單元排列成多個(gè)陣列，每個(gè)陣列中各個(gè)像素單元的感光波長(zhǎng)不同。
9.如權(quán)利要求8所述的多光譜圖像傳感器的制作方法，其特征在于，在所述前端結(jié)構(gòu)上形成像素層的步驟包括：
在前端結(jié)構(gòu)上涂覆第一材料層，覆蓋前端結(jié)構(gòu)上的金屬連線；
在第一材料層上涂覆第一感光材料層，并通過光刻形成第一像素單元；
在第一材料層上涂覆第K感光材料層，并通過光刻形成第K像素單元；
在第一材料層上涂覆第N感光材料層，并通過光刻形成第N像素單元；其中，每個(gè)像素單元與其相鄰的像素單元不同，第一感光材料層至第N感光材料層的感光波長(zhǎng)不同，1＜K＜N。
10.如權(quán)利要求9所述的多光譜圖像傳感器的制作方法，其特征在于，第一像素單元至第N像素單元依次排布成陣列。
11.如權(quán)利要求9所述的多光譜圖像傳感器的制作方法，其特征在于，第一感光材料層至第N感光材料層的感光半波長(zhǎng)寬度為λi/2-20nm～λi/2+20nm，其中λi為第i感光材料層的設(shè)定感光波長(zhǎng)，1≤i≤N。
12.如權(quán)利要求9所述的多光譜圖像傳感器的制作方法，其特征在于，將每個(gè)像素單元皆形成在相鄰金屬連線之間。
13.如權(quán)利要求9所述的多光譜圖像傳感器的制作方法，其特征在于，在所述前端結(jié)構(gòu)上形成像素層之后，還包括：
形成第二材料層覆蓋所述像素層和第一材料層；
在第二材料層位于像素層上的區(qū)域上形成透鏡材料層；
經(jīng)過光刻工藝使得所述透鏡材料層形成微透鏡層；
形成第三材料層覆蓋所述微透鏡層和第二材料層；
經(jīng)過光刻、刻蝕工藝暴露出所述前端結(jié)構(gòu)的邊緣部分區(qū)域，形成焊盤區(qū)。
去除所述第三材料層。