技術特征：

技術總結
本發(fā)明涉及一種半導體晶圓(10)，其包括基本上由硅組成的單晶襯底晶圓(1)，該單晶襯底晶圓(1)被構造成在其頂表面上具有尖端(3)，該尖端(3)中的每個以給定的順序被IIIB族硅化物層(5)和IIIB族氮化物層(6)覆蓋，該IIIB族氮化物層(6)被單晶IIIA族氮化物層(7，8)覆蓋，特別是InxAlzGa1?(x+z)N層，其中0≤x，z，(x+z)≤1。

技術研發(fā)人員：S·B·塔帕;M·黑貝倫;M·策爾納;T·施羅德
受保護的技術使用者：硅電子股份公司
技術研發(fā)日：2016.01.15
技術公布日：2017.09.26