技術(shù)總結(jié)
本實(shí)用新型涉及LED芯片封裝領(lǐng)域，公開了一種大功率倒裝LED光源，包括基板和設(shè)置在所述基板上的倒裝LED芯片，所述倒裝LED芯片包括P電極和N電極，所述基板與所述倒裝LED芯片之間設(shè)有電路層，所述電路層上設(shè)有第一散熱塊和第二散熱塊，所述倒裝LED芯片的P電極和N電極分別與所述電路層上的第一散熱塊和第二散熱塊連接，所述第一散熱塊和第二散熱塊的接觸面均勻布置散熱槽。本實(shí)用新型提供的一種大功率倒裝LED光源，通過設(shè)置凸臺(tái)，擴(kuò)大了散熱面積延長了芯片的使用壽命；同時(shí)，在P電極和N電極與散熱塊焊接處設(shè)置散熱槽，增大了接觸面積，使P電極和N電極處的電流不會(huì)堆積產(chǎn)生積熱，使LED芯片出光更加均勻。

技術(shù)研發(fā)人員：王芳芳
受保護(hù)的技術(shù)使用者：浙江長興金盛光電科技有限公司
文檔號(hào)碼：201621456319
技術(shù)研發(fā)日：2016.12.28
技術(shù)公布日：2017.07.07