本實用新型涉及倒裝LED芯片技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及了一種大功率倒裝LED光源。

背景技術(shù)：

半導(dǎo)體照明行業(yè)內(nèi)，一般將 LED 芯片的結(jié)構(gòu)分成正裝芯片結(jié)構(gòu)、垂直芯片結(jié)構(gòu)和倒裝芯片結(jié)構(gòu)三類。與其它兩種芯片結(jié)構(gòu)相比，倒裝芯片結(jié)構(gòu)具有散熱性能良好、出光效率高、飽和電流高和制作成本適中等優(yōu)點，已經(jīng)受到各大 LED 芯片廠家的重視。在進(jìn)行封裝時，倒裝 LED 芯片直接通過表面凸點金屬層與基板相連接，不需要金線連接，因此也被稱為無金線封裝技術(shù)，具有耐大電流沖擊和長期工作可靠性高等優(yōu)點。

授權(quán)公告號為CN 204441323 U ，授權(quán)公告日為2015.07.01的中國專利，通過蝕刻外延片，設(shè)置多個電極，使電流在芯片中分布更加均勻，但同時也損失了外延片的出光面積，使出光效率降低。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本實用新型針對現(xiàn)有技術(shù)中的上述缺點，提供了一種大功率倒裝LED光源，出光效率高，制造工藝簡單。

為了解決上述技術(shù)問題，本實用新型通過下述技術(shù)方案得以解決：

一種大功率倒裝LED光源，包括承載基板，承載基板上依次設(shè)有反光層和外延片，所述外延片包括P型導(dǎo)電層，發(fā)光層和N型導(dǎo)電層；所述承載基板兩側(cè)分別設(shè)有第一支架和第二支架，所述第一支架與外延片之間設(shè)有P型焊盤層，所述第二支架與外延片之間設(shè)有N型焊盤層；所述P型焊盤層與P型導(dǎo)電層之間設(shè)有P電極，所述N型焊盤層和N型導(dǎo)電層之間設(shè)有N電極；所述P型焊盤層和外延層之間與N型焊盤層和外延層之間分別設(shè)有絕緣層，所述絕緣層上設(shè)有通孔，所述P電極和N電極分別通過通孔與所述P型焊盤層和N型焊盤層連接。

作為優(yōu)選，所述絕緣層上至少設(shè)有兩個通孔。設(shè)置至少兩個以上的通孔，使P型導(dǎo)電層和N型導(dǎo)電層增加了與外界導(dǎo)熱的通道，光源在長時間工作的情況下產(chǎn)生的大量熱量能更好的散發(fā)出去，增加了LED光源的壽命。

作為優(yōu)選，所述P型導(dǎo)電層和所述反光層之間設(shè)有電流擴(kuò)散層。設(shè)置電流擴(kuò)展層可使電流在P電極上擴(kuò)散，電流不會堆積并產(chǎn)生大量熱量。

作為優(yōu)選，所述絕緣層和外延片之間設(shè)反射層。在外延片的側(cè)面設(shè)置反射層，可以將外延片側(cè)面射出的光反射出去，提高了LED光源的出光效率。

作為優(yōu)選，所述反射層為布拉格絕緣反射層或者金屬反射層。設(shè)置反射層可將側(cè)面發(fā)出的光反射出去，增大了LED光源的出光率。

本實用新型由于采用了上述技術(shù)方案，具有的技術(shù)效果：

1.不需要在外延片上進(jìn)行蝕刻，生產(chǎn)工藝簡單，并且由于不需要破壞外延片的結(jié)構(gòu)，在相同規(guī)格的LED光源中，出光面積更大，亮度更強。

2.將P型焊盤層和N焊盤層分別設(shè)計在外延片兩側(cè)，避免了在焊接過程中或者光源在長時間工作的情況下產(chǎn)生的大量熱量致使焊料層融化，導(dǎo)致芯片短路的情況出現(xiàn)，并且將外延片產(chǎn)生的熱量分別通過兩側(cè)傳導(dǎo)到承載基板，增加了外延片的散熱通道，散熱效果更好，更加適合大功率的倒裝LED光源。

附圖說明

圖1是本實用新型的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2是本實用新型另一實施例的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖中：承載基板1、反光層2、 P型導(dǎo)電層3、發(fā)光層4 、N型導(dǎo)電層5、第一支架9、第二支架6、N型焊盤層7、絕緣層8、 P型焊盤層10、 N電極11、 P電極12、反射層13。

具體實施方式

下面結(jié)合附圖與實施例對本實用新型作進(jìn)一步詳細(xì)描述。

如圖1、圖2所示，一種大功率倒裝LED光源，包括承載基板1，承載基板1上依次設(shè)有反光層2和外延片，所述外延片包括P型導(dǎo)電層3，發(fā)光層4和N型導(dǎo)電層5；所述承載基板1兩側(cè)分別設(shè)有第一支架9和第二支架6，所述第一支架9與外延片之間設(shè)有P型焊盤層10，所述第二支架6與外延片之間設(shè)有N型焊盤層7；所述P型焊盤層10與P型導(dǎo)電層3之間設(shè)有P電極12，所述N型焊盤層7和N型導(dǎo)電層5之間設(shè)有N電極11；所述P型焊盤層10和外延層之間與N型焊盤層7和外延層之間分別設(shè)有絕緣層8，所述絕緣層8上設(shè)有通孔，所述P電極12和N電極11分別通過通孔與所述P型焊盤層10和N型焊盤層7連接。

絕緣層8上至少設(shè)有兩個通孔，設(shè)置至少兩個以上的通孔，使P型導(dǎo)電層3和N型導(dǎo)電層5增加了與外界導(dǎo)熱的通道，光源在長時間工作的情況下產(chǎn)生的大量熱量能更好的散發(fā)出去，增加了LED光源的壽命。

承載基板1為硅基板，第一支架9和第二支架6為導(dǎo)熱性能良好的金屬支架，以更好的將P電極12和N電極11的熱量傳導(dǎo)到承載基板1上去。在P型導(dǎo)電層3和所述反光層2之間設(shè)置電流擴(kuò)散層，使電流在P型導(dǎo)電層3上更好的擴(kuò)散，使出光更加均勻。在絕緣層8和外延片之間設(shè)反射層13。在外延片的側(cè)面設(shè)置反射層13，可以將外延片側(cè)面射出的光反射出去，提高了LED光源的出光效率。反射層13可以為布拉格絕緣反射層或者金屬反射層。設(shè)置反射層13可將側(cè)面發(fā)出的光反射出去，增大了LED光源的出光率。

本實用新型設(shè)計的結(jié)構(gòu)，通過將P電極12和N電極11分開，分別設(shè)置在外延片的兩側(cè)，避免了焊料層在高溫下容易溶解導(dǎo)致P電極12和N電極11短路而使LED光源失效，并且不損失外延片的出光面積，使LED光源的出光效率提高。

總之，以上所述僅為本實用新型的較佳實施例，凡依本實用新型申請專利范圍所作的均等變化與修飾，皆應(yīng)屬本實用新型專利的涵蓋范圍。