本實用新型涉及MLCC電容器技術領域，尤其涉及一種低ESL表貼式電容器陣列。

背景技術：

在搭載有大規(guī)模混合集成電路(LSI)的電源電路中，為降低電源線與接地之間的阻抗，減小因阻抗帶來的電壓波動，需在電源線與接地間并聯(lián)去耦電容器。進而去除電源線中寄生的噪聲，并能在電源電壓變動時快速供電，使電路穩(wěn)定。

通常的解決方法：在LSI的附近配置幾十甚至百只電容器，這樣就提高了元件的數(shù)量，增加了安裝空間，同時增加了生產(chǎn)成本。

在LSI的附近的旁路電容器通常有交指型電容器(IDC)和長寬逆轉電容器(LICC)，具有較低的ESL，但其僅為一個單獨的電容器，不能降低元器件使用數(shù)量。

另外隨著電容器電極層數(shù)的增多，產(chǎn)品ESR進一步降低，在與大規(guī)模混合集成電路(LSI)芯片使用時，會存在并聯(lián)諧振現(xiàn)象，導致諧振點附近阻抗異常增大，影響電路的穩(wěn)定。

隨著電子線路的小型化和高密度化，如手機、PAD等移動設備的小型化、高頻化需求，采用上述方案已經(jīng)不能滿足需求。

技術實現(xiàn)要素：

針對上述問題中存在的不足之處，本實用新型提供一種低ESL表貼式電容器陣列。

為實現(xiàn)上述目的，本實用新型提供一種低ESL表貼式電容器陣列，包括：陶瓷電容器主體、第一內(nèi)電極、第二內(nèi)電極、第一外電極和第二外電極；

所述陶瓷電容器主體包括多層陶瓷膜片，上下相鄰兩層陶瓷膜片上印刷有呈交替排布的第一內(nèi)電極和第二內(nèi)電極；所述第一內(nèi)電極從陶瓷膜片長度方向的一端延伸至另一端，所述第二內(nèi)電極從陶瓷膜片寬度方向的一端延伸至另一端；

所述第一外電極包覆所有所述第一內(nèi)電極的引出端，所述第二外電極包覆所有所述第二內(nèi)電極的引出端。

作為本實用新型的進一步改進，所述第一外電極和第二外電極均由第一導電層、第二導電層和第三導電層構成；

所述第一導電層包覆第一內(nèi)電極或第二內(nèi)電極的引出端且延伸到陶瓷電容器主體側面附著于陶瓷電容器主體的端面上；

所述第二導電層包覆在所述第一導電層上；

所述第三導電層包覆在所述第二導電層上。

作為本實用新型的進一步改進，所述第一導電層的厚度為5～50um；

所述第二導電層、第三導電層的厚度均為3～10um，其中：在低ESL表貼式電容器陣列采用焊錫安裝的情況下，所述第二導電層選用電鍍Ni層，第三導電層選用電鍍Sn或Sn-Pb層結構；在低ESL表貼式電容器陣列采用導電性膠粘劑或引線接合安裝的情況下，所述第二導電層選用電鍍Ni層，第三導電層選用Ni層上電鍍Au層。

作為本實用新型的進一步改進，所述第二導電層與第三導電層之間設有用于緩和應力的導電樹脂層。

作為本實用新型的進一步改進，所述陶瓷電容器主體的拐角及棱邊為圓弧狀。

作為本實用新型的進一步改進，所述陶瓷膜片的厚度為3um～10um；

所述第一內(nèi)電極、第二內(nèi)電極的厚度均為0.5～2.0um。

與現(xiàn)有技術相比，本實用新型的有益效果為：

本實用新型公開的一種低ESL表貼式電容器陣列，其有效實現(xiàn)了電子線路的小型化和高密度化、能夠有效降低制作成本及抑制產(chǎn)品ESR過低的現(xiàn)象。

附圖說明

圖1為本實用新型一種實施例公開的低ESL表貼式電容器陣列結構圖；

圖2為圖1長度方向的剖視圖；

圖3為圖1寬度方向的剖視圖；

圖4為圖1的內(nèi)部分解圖。

1、陶瓷電容器主體；2、陶瓷膜片；3、第一內(nèi)電極；4、第二內(nèi)電極；5、第一外電極；6、第二外電極；7、第一導電層；8、第二導電層；9、第三導電層。

具體實施方式

為使本實用新型實施例的目的、技術方案和優(yōu)點更加清楚，下面將結合本實用新型實施例中的附圖，對本實用新型實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例是本實用新型的一部分實施例，而不是全部的實施例?；诒緦嵱眯滦椭械膶嵤├?，本領域普通技術人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動的前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本實用新型保護的范圍。

下面結合附圖對本實用新型做進一步的詳細描述：

實施例1：

如圖1-4所示，為了解決現(xiàn)有問題，本實用新型提供一種低ESL表貼式電容器陣列，該低ESL表貼式電容器陣列為6端子電容器，其包括：陶瓷電容器主體1、第一內(nèi)電極3、第二內(nèi)電極4、第一外電極5和第二外電極6。

如圖1所示，本實用新型陶瓷電容器主體1為前后、左右對稱的方體結構，陶瓷電容器主體1的拐角及棱邊為圓弧狀。如圖2-3所示，本實用新型的陶瓷電容器主體1由多層陶瓷膜片2、第一內(nèi)電極3、第二內(nèi)電極4構成的層疊結構，上下相鄰兩層陶瓷膜片2上印刷有呈交替排布的第一內(nèi)電極3和第二內(nèi)電極4；即：上層陶瓷膜片2上印刷有第一內(nèi)電極3、下層陶瓷膜片2上印刷有第二內(nèi)電極4，然后其他印刷有第一內(nèi)電極3或第二內(nèi)電極4的陶瓷膜片2以此交替配置。其中，第一內(nèi)電極3從陶瓷膜片2長度方向的一端延伸至另一端，第二內(nèi)電極4從陶瓷膜片2寬度方向的一端延伸至另一端。本實用新型中第一內(nèi)電極3為單片電極，第二內(nèi)電極4為三片并排電極，如圖4所示。

本實用新型陶瓷膜片2的厚度優(yōu)選3um～10um，作為構成陶瓷膜片2的陶瓷材料，能夠采用例如以BaTiO₃、CaTiO₃、SrTiO₃、CaZrO₃等作為主成分的電介質陶瓷膜片。此外，也可以采用在這些主成分中添加Mn化合物、Mg化合物、Si化合物、Co化合物、Ni化合物、稀土類元素化合物等副成分的物質。

本實用新型第一內(nèi)電極3、第二內(nèi)電極4的厚度優(yōu)選0.5～2.0um，作為構成第一內(nèi)電極3、第二內(nèi)電極4的導電材料，例如能夠采用Ni、Cu、Ag、Pd、Ag-Pd合金、Au等。

如圖1-3所示，本實用新型的第一外電極5包覆所有第一內(nèi)電極3的引出端，第一外電極5共設有兩個，分別包覆第一內(nèi)電極3的左端和右端，如圖1、2所示；第二外電極6包覆所有第二內(nèi)電極4的引出端，第二外電極6根據(jù)第二內(nèi)電極4的數(shù)目共設有六個且相鄰第二外電極6之間等距設置，分別包覆第二內(nèi)電極4的前端和后端，如圖1、3所示。其中：

本實用新型的第一外電極5和第二外電極6均由第一導電層7、第二導電層8和第三導電層9構成；第一導電層7包覆第一內(nèi)電極3或第二內(nèi)電極4的引出端且延伸到陶瓷電容器主體1側面附著于陶瓷電容器主體1的端面上，第二導電層8包覆在第一導電層7上，第三導電層9包覆在第二導電層8上。

本實用新型第一導電層7的厚度優(yōu)選5～50um，第一導電層7為導電材料制成的層狀結構，導電材料包括Cu、Ni、Ag、Pd、Ag-Pd合金、Au中的一種或多種，或Cu、Ni、Ag、Pd、Ag-Pd合金、Au中的一種或多種、玻璃及金屬氧化物。即：第一導電層7采用Cu、Ni、Ag、Pd、Ag-Pd合金、Au等。另外第一外電極5和第二外電極6中包含玻璃等能夠提高第一外電極5和第二外電極6尤其是第一導電層7與第一內(nèi)電極3及第二內(nèi)電極4的連接可靠性，另外添加金屬氧化物以提高第一導電層7的致密性，以提高產(chǎn)品的耐濕性。

本實用新型第二導電層8、第三導電層9的厚度優(yōu)選為3～10um，其中：在低ESL表貼式電容器陣列采用焊錫安裝的情況下，第二導電層8選用電鍍Ni層，第三導電層9選用電鍍Sn或Sn-Pb層結構；在低ESL表貼式電容器陣列采用導電性膠粘劑或引線接合安裝的情況下，第二導電層8選用電鍍Ni層，第三導電層9選用Ni層上電鍍Au層。

本實用新型也可在第二導電層8與第三導電層9之間設有用于緩和應力的導電樹脂層。

實施例2：

本實用新型提供一種低ESL表貼式電容器陣列的制備方法，包括：瓷漿分散、流延陶瓷膜片、印刷內(nèi)電極、交錯疊層、勻壓、切割、排塑、燒結、倒角、涂端和燒端工序；其中具體包括：

步驟1、瓷漿分散、流延陶瓷膜片；瓷漿采用例如以BaTiO₃、CaTiO₃、SrTiO₃、CaZrO₃等作為主成分；此外，也可以采用在這些主成分中添加Mn化合物、Mg化合物、Si化合物、Co化合物、Ni化合物、稀土類元素化合物等副成分的物質；通過流延制備3um～10um厚度的陶瓷膜片。

步驟2、在陶瓷膜片上印刷第一內(nèi)電極或第二內(nèi)電極，并交替層疊制得生坯；其中：

步驟21、在陶瓷膜片上通過絲網(wǎng)印刷方式按照確定的圖案印刷導電漿料，形成第一內(nèi)電極或第二內(nèi)電極；導電漿料采用Ni、Cu、Ag、Pd、Ag-Pd合金、Au等形成的漿料，形成厚度為0.5～2.0um第一內(nèi)電極及第二內(nèi)電極；

步驟22、將沒有印刷第一內(nèi)電極或第二內(nèi)電極的保護蓋用陶瓷膜片堆疊規(guī)定層數(shù)，在其上依次層疊印刷有內(nèi)部電極圖案(第一內(nèi)電極或第二內(nèi)電極)的陶瓷膜片，并在其上層疊規(guī)定層數(shù)的保護蓋用陶瓷膜片，來制作生坯。

步驟3、將生坯進行勻壓、切割、排塑、燒結、倒角制得陶瓷電容器主體；其中：

將生坯通過等靜壓的方法進行勻壓；

將勻壓后生坯切割為規(guī)定的尺寸，切割出未加工的生坯主體；此時通過滾筒倒角等，使未加工的生坯主體的拐角部或棱部帶有弧形，也可在燒結以后進行倒角處理；

對生坯主體進行燒制，燒制溫度由陶瓷膜片或內(nèi)電極的材料決定，但優(yōu)選為900℃～1300℃。

步驟4、對陶瓷電容器主體的第一內(nèi)電極引出端、第二內(nèi)電極引出端進行涂端、燒端制得第一外電極和第二外電極；其中：

步驟41、將陶瓷電容器主體的第一內(nèi)電極引出端與鋪有導電漿料的平臺相抵接，將陶瓷電容器浸入漿料內(nèi)并燒結，制得第一外電極的第一導電層；其中，導電漿料采用Ni、Cu、Ag、Pd、Ag-Pd合金、Au等形成的漿料，燒結溫度為700～900℃，作為燒結時的氣氛，適當使用大氣或者N₂等氣氛；

步驟42、將陶瓷電容器主體的第二內(nèi)電極引出端處用導電性漿料對每一個第二內(nèi)電極引出端進行涂覆并燒結，制得第二外電極的第一導電層；此處涂端采用使陶瓷電容器主體與夾具窄縫擠壓接觸，使導電漿料經(jīng)由窄縫而粘附于瓷體，進而涂覆為帶狀。其中，導電漿料采用Ni、Cu、Ag、Pd、Ag-Pd合金、Au等形成的漿料，該燒結溫度為700～900℃且高于步驟41的燒結溫度，作為燒結時的氣氛為空氣或者N₂等氣氛；

步驟43、根據(jù)電鍍工藝在所有第一導電層上電鍍形成第二導電層，在第二導電層上電鍍形成第三導電層；其中，在低ESL表貼式電容器陣列采用焊錫安裝的情況下，第二導電層選用電鍍Ni層，第三導電層選用電鍍Sn或Sn-Pb層結構；在低ESL表貼式電容器陣列采用導電性膠粘劑或引線接合安裝的情況下，第二導電層選用電鍍Ni層，第三導電層選用Ni層上電鍍Au層。

步驟5、完成低ESL表貼式電容器陣列的制備。

實施例3：

隨著電極層數(shù)的增加產(chǎn)品ESR會變小，結果在與LSI芯片自身所具有的微小電容之間所產(chǎn)生的并聯(lián)諧振的諧振點上的阻抗變高。如果電容器的ESR降低過多，存在由于反諧振的影響而在特定的頻帶中去耦功能降低的問題。

在本實施方式中，第一導電層包括電阻成分；由此，電阻串聯(lián)于低ESL表貼式電容器陣列電容器的電容，從而提高低ESL表貼式電容器陣列電容器的ESR。優(yōu)選低ESL表貼式電容器陣列電容器的ESR為10mΩ～1000mΩ，更優(yōu)選為50mΩ～500mΩ。此外，優(yōu)選第一導電層的比電阻為0.005Ω·cm～1.0Ω·cm，更優(yōu)選為0.01Ω·cm～0.1Ω·cm。

上述電阻成分包括一般的外部電極中所包含的金屬和玻璃，還包括比電阻較高的成分，如除了玻璃之外的金屬氧化物。

作為金屬氧化物，如In-Sn氧化物、La-Cu氧化物、Sr-Fe氧化物、Ca-Sr-Ru氧化物等復合氧化物。由于這些氧化物與Ni的反應性良好，因此在采用這些氧化物的情況下，優(yōu)選采用Ni或者Ni合金來作為用于上述的內(nèi)電極3、4的導電材料。提高外電極5以及6，尤其是第一導電層與內(nèi)電極3、4的連接可靠性。

本實用新型的目的是提供一種低ESL表貼式電容器陣列及其制備方法，其具有以下優(yōu)點：

本實用新型有效實現(xiàn)了電子線路的小型化和高密度化；

本實用新型能夠有效降低制作成本；

本實用新型能夠有效抑制產(chǎn)品ESR過低的現(xiàn)象。

本實用新型不限于以上說明的低ESL表貼式電容器陣列，也能夠適用于其他的層疊陶瓷電子部件。例如，在由壓敏電阻陶瓷構成陶瓷主體的情況下，可以為作為限流部件發(fā)揮功能的層疊陶瓷電子部件，在由熱敏電阻陶瓷構成陶瓷主體的情況下，可以為作為熱敏電阻發(fā)揮功能的層疊陶瓷電子部件。

以上僅為本實用新型的優(yōu)選實施例而已，并不用于限制本實用新型，對于本領域的技術人員來說，本實用新型可以有各種更改和變化。凡在本實用新型的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進等，均應包含在本實用新型的保護范圍之內(nèi)。