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    一種雙電極高壓陶瓷電容器的制作方法

    文檔序號(hào):12536919閱讀:452來源:國(guó)知局
    一種雙電極高壓陶瓷電容器的制作方法與工藝

    本實(shí)用新型涉及一種陶瓷電容器領(lǐng)域,特別是一種雙電極高壓陶瓷電容器。



    背景技術(shù):

    傳統(tǒng)的分立元件—陶瓷電容器以圓片形為主,這種結(jié)構(gòu)成型簡(jiǎn)單、工藝成熟、操作簡(jiǎn)便,便于批量化、規(guī)?;a(chǎn)。但是對(duì)于高壓陶瓷電容器來說,主要考慮的是耐壓強(qiáng)度和標(biāo)稱電容器盡可能高。而這兩者之間,恰恰是相互矛盾的。同等條件下:介質(zhì)越薄,電容量越大,耐壓強(qiáng)度越低,反之亦然。傳統(tǒng)的圓盤式陶瓷電容器體積相對(duì)大,不利于電力器件的組裝。

    另外,陶瓷電容器成型時(shí),容易產(chǎn)生毛刺或裂紋。后續(xù)絕緣涂覆時(shí),當(dāng)在相同涂覆下,由于毛刺或裂紋的存在,將使得陶瓷電容器的絕緣厚度差異大,也使得陶瓷電容器的耐壓強(qiáng)度降低。



    技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:

    本實(shí)用新型要解決的技術(shù)問題是針對(duì)上述現(xiàn)有技術(shù)的不足,而提供一種雙電極高壓陶瓷電容器,該雙電極高壓陶瓷電容器體積小,電容量大且不易產(chǎn)生裂紋或毛刺,耐壓強(qiáng)度高。

    為解決上述技術(shù)問題,本實(shí)用新型采用的技術(shù)方案是:

    一種雙電極高壓陶瓷電容器,包括絕緣保護(hù)殼、外電極、內(nèi)電極、瓷介質(zhì)芯片和引線;

    絕緣保護(hù)殼包括能相互卡合的上殼體和下殼體,上殼體和下殼體上各設(shè)置有一個(gè)引線槽。

    瓷介質(zhì)芯片包括同軸設(shè)置的圓盤凹部和圓環(huán)凸部,圓盤凹部位于圓環(huán)凸部的內(nèi)部,圓環(huán)凸部的厚度為圓盤凹部厚度1.2~3倍,圓盤凹部的直徑為瓷介質(zhì)芯片的2/3~4/5;圓盤凹部和圓環(huán)凸部的交接處設(shè)置有圓弧,瓷介質(zhì)芯片為整體壓制成型。

    圓盤凹部上設(shè)置有內(nèi)電極,圓環(huán)凸部上設(shè)置有外電極。

    引線焊接在內(nèi)電極上,引線與內(nèi)電極的焊接處設(shè)置有扁平狀的焊接斑。

    外電極、內(nèi)電極和瓷介質(zhì)芯片均內(nèi)置在絕緣保護(hù)殼內(nèi),引線從引線槽中穿出;當(dāng)引線從引線槽中穿出后,在引線槽內(nèi)均勻填充有液體狀的絕緣硅膠。

    所述圓環(huán)凸部的厚度為圓盤凹部厚度1.2~2倍。

    所述圓環(huán)凸部的厚度為圓盤凹部厚度1.2~1.6倍。

    所述圓盤凹部的圓盤凹部和圓環(huán)凸部交接處設(shè)置的圓弧的角度為15-60°。

    所述圓盤凹部的圓盤凹部和圓環(huán)凸部交接處設(shè)置的圓弧的角度為45°。

    本實(shí)用新型采用上述結(jié)構(gòu)后,上述陶瓷介質(zhì)芯片、外電極和內(nèi)電極的設(shè)計(jì),相當(dāng)于兩個(gè)電容器并聯(lián),提高了電容量。利用電容量與極板距離成反比的原理,減小了圓盤凹部的厚度,有效提高了標(biāo)稱容量。圓環(huán)凸部較厚,能有效防止飛弧和邊緣擊穿。也即提高了標(biāo)稱電容量和耐壓強(qiáng)度,有效化解了兩者之間的矛盾,在保證電容器大容量、高耐電強(qiáng)度的前提下,大大縮小了電容器體積,適應(yīng)了電子整機(jī)小型化的需求。

    另外,上述引線通過扁平狀的焊接斑與內(nèi)電極焊接,焊接面積大,焊接更為穩(wěn)固可靠。

    上述圓弧的設(shè)置,能防止成型毛刺及裂紋的產(chǎn)生,壓制合格率高。

    進(jìn)一步,上述絕緣保護(hù)殼的設(shè)置,能避免毛刺或裂紋、以及陶瓷介質(zhì)芯片厚度不一致對(duì)絕緣涂覆的影響,絕緣性能好,耐壓強(qiáng)度高。

    附圖說明

    圖1顯示了本實(shí)用新型一種雙電極高壓陶瓷電容器的結(jié)構(gòu)示意圖。

    圖2顯示了本實(shí)用新型一種雙電極高壓陶瓷電容器不含絕緣保護(hù)殼的結(jié)構(gòu)示意圖。

    圖3顯示了本實(shí)用新型中瓷介質(zhì)芯片的結(jié)構(gòu)示意圖。

    具體實(shí)施方式

    下面結(jié)合附圖和具體較佳實(shí)施方式對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步詳細(xì)的說明。

    如圖1、圖2和圖3所示,一種雙電極高壓陶瓷電容器,其中有絕緣保護(hù)殼1、引線槽11、上殼體12、下殼體13、外電極2、內(nèi)電極3、引線31、焊錫斑32、瓷介質(zhì)芯片4、圓環(huán)凸部41、圓盤凹部42和圓弧43等主要技術(shù)特征。

    一種雙電極高壓陶瓷電容器,包括絕緣保護(hù)殼、外電極、內(nèi)電極、瓷介質(zhì)芯片和引線。

    如圖1所示,絕緣保護(hù)殼包括能相互卡合的上殼體和下殼體,上殼體和下殼體上各設(shè)置有一個(gè)引線槽。

    如圖3所示,瓷介質(zhì)芯片包括同軸設(shè)置的圓盤凹部和圓環(huán)凸部,圓盤凹部位于圓環(huán)凸部的內(nèi)部。

    圓環(huán)凸部的厚度為圓盤凹部厚度1.2~3倍,優(yōu)選為1.2~2倍,進(jìn)一步優(yōu)選為1.2~1.6倍。

    圓盤凹部的直徑為瓷介質(zhì)芯片的2/3~4/5。

    圓盤凹部和圓環(huán)凸部的交接處設(shè)置有圓弧,圓弧的角度優(yōu)選為15-60°,進(jìn)一步優(yōu)選為45°。該圓弧的設(shè)置,能防止成型毛刺及裂紋的產(chǎn)生,壓制合格率高。

    上述瓷介質(zhì)芯片為整體壓制成型。

    圓盤凹部上設(shè)置有內(nèi)電極,圓環(huán)凸部上設(shè)置有外電極。

    引線焊接在內(nèi)電極上,引線與內(nèi)電極的焊接處設(shè)置有扁平狀的焊接斑。

    外電極、內(nèi)電極和瓷介質(zhì)芯片均內(nèi)置在絕緣保護(hù)殼內(nèi),引線從引線槽中穿出;當(dāng)引線從引線槽中穿出后,在引線槽內(nèi)均勻填充有液體狀的絕緣硅膠。

    上述絕緣保護(hù)殼的設(shè)置,能避免毛刺或裂紋、以及陶瓷介質(zhì)芯片厚度不一致對(duì)絕緣涂覆的影響,絕緣性能好,耐壓強(qiáng)度高。絕緣硅膠的使用,一方面使引線處密封絕緣,另外還能使電容器快速散熱,延長(zhǎng)使用壽命。

    以上詳細(xì)描述了本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施方式,但是,本實(shí)用新型并不限于上述實(shí)施方式中的具體細(xì)節(jié),在本實(shí)用新型的技術(shù)構(gòu)思范圍內(nèi),可以對(duì)本實(shí)用新型的技術(shù)方案進(jìn)行多種等同變換,這些等同變換均屬于本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。

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