本實(shí)用新型涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種薄膜晶體管陣列基板及應(yīng)用其的顯示裝置。

背景技術(shù)：

有源矩陣(Active Matrix)型顯示裝置是利用薄膜晶體管(Thin Film Transistor，簡稱TFT)進(jìn)行像素顯示驅(qū)動的一種顯示裝置，具有輕薄、低功耗、低輻射、低成本等諸多優(yōu)點(diǎn)，是目前主流的顯示技術(shù)。

有源矩陣型顯示裝置通常包含一TFT陣列基板。TFT陣列基板包括多條沿第一方向的柵極線和多條沿第二方向的數(shù)據(jù)線，以限定形成呈矩陣式排布的多個像素單元。

目前，TFT陣列基板的結(jié)構(gòu)較為單一，缺乏新穎的設(shè)計。并且，就已有的TFT陣列基板而言，其布線效率依然存在改善的余地，TFT可靠性和顯示質(zhì)量仍然不夠理想。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

(一)要解決的技術(shù)問題

鑒于上述技術(shù)問題，本實(shí)用新型提供了一種新穎的TFT陣列基板。

(二)技術(shù)方案

根據(jù)本實(shí)用新型的一個方面，提供了一種TFT陣列基板。該TFT陣列基板包括：基板；第一信號線，形成于基板上；以及薄膜晶體管，形成于基板上，其有源層與第一信號線處于基板上方不同的層，兩者在基板平面上的投影至少兩次重疊。

優(yōu)選地，本實(shí)用新型薄膜晶體管陣列基板中，薄膜晶體管與第一信號線相互獨(dú)立；或第一信號線包括：薄膜晶體管的柵極；或第一信號線與薄膜晶體管的柵極為一體結(jié)構(gòu)。

優(yōu)選地，本實(shí)用新型薄膜晶體管陣列基板中，薄膜晶體管的有源層包括：有源層重疊段；有源層重疊段包括至少一彎折部，其在基板平面的投影與第一信號線在基板平面上的投影兩次、三次或四次重疊；或者有源層重疊段包括至少一個一側(cè)開口的圖形，其在基板平面的投影與第一信號線在基板平面上的投影兩次、三次或四次重疊。

優(yōu)選地，本實(shí)用新型薄膜晶體管陣列基板中，有源層重疊段呈“U”字形，其與第一信號線在基板平面上的投影兩次重疊；或有源層重疊段呈“山”字形或“W”字形，其與第一信號線在基板平面上的投影三次重疊。

優(yōu)選地，本實(shí)用新型薄膜晶體管陣列基板還包括：第二信號線；其中，第一信號線和第二信號線限定一功能區(qū)域，該功能區(qū)域?qū)?yīng)至少一薄膜晶體管。

優(yōu)選地，本實(shí)用新型薄膜晶體管陣列基板中，有源層重疊段呈“U”字形，其與第一信號線在基板平面上的投影兩次重疊；與第一信號線相交的有源層重疊段形成薄膜晶體管的溝道第一部分和溝道第二部分，薄膜晶體管的溝道第一部分和溝道第二部分處于第二信號線不同側(cè)。

優(yōu)選地，本實(shí)用新型薄膜晶體管陣列基板中，位于功能區(qū)域一側(cè)的第二信號線形成一信號線平移段；信號線平移段在第二信號線總體走向的基礎(chǔ)上，沿垂直于第二信號線總體走向的方向平移預(yù)設(shè)距離，薄膜晶體管的溝道第一部分和溝道第二部分處于信號線平移段的不同側(cè)。

優(yōu)選地，本實(shí)用新型薄膜晶體管陣列基板中，薄膜晶體管的溝道第一部分和溝道第二部分相對于信號線平移段對稱。

優(yōu)選地，本實(shí)用新型薄膜晶體管陣列基板中，信號線平移段在基板平面上的投影靠近溝道第一部分，而遠(yuǎn)離溝道第二部分；或者信號線平移段在基板平面上的投影與溝道第一部分在基板平面上的投影部分重疊。

優(yōu)選地，本實(shí)用新型薄膜晶體管陣列基板中，第二信號線的不同信號平移段在平移方向上相同或者不同。

優(yōu)選地，本實(shí)用新型薄膜晶體管陣列基板中，信號線平移段相對于第二信號線總體走向平移的距離d滿足：1μm≤d≤10μm；和/或薄膜晶體管的溝道第一部分與信號線平移段的距離d1滿足：1μm≤d1≤10μm。

優(yōu)選地，本實(shí)用新型薄膜晶體管陣列基板中，信號線平移段在第二信號線總體走向的基礎(chǔ)上，沿靠近或遠(yuǎn)離功能區(qū)域的方向平移預(yù)設(shè)距離。

優(yōu)選地，本實(shí)用新型薄膜晶體管陣列基板中，信號線平移段在第二信號線總體走向的基礎(chǔ)上，沿遠(yuǎn)離功能區(qū)域的方向平移預(yù)設(shè)距離；有源層還包括：有源層連接段，連接有源層重疊段遠(yuǎn)離功能區(qū)域的第二部分與第二信號線。

優(yōu)選地，本實(shí)用新型薄膜晶體管陣列基板中，信號線平移段在第二信號線總體走向的基礎(chǔ)上，沿靠近功能區(qū)域的方向平移預(yù)設(shè)距離；有源層重疊段遠(yuǎn)離功能區(qū)域的第二部分與第二信號線的總體走向?qū)R。

優(yōu)選地，本實(shí)用新型薄膜晶體管陣列基板中，位于功能區(qū)域一側(cè)的第二信號線為一連續(xù)的長條狀；有源層還包括：有源層連接段，連接有源層重疊段遠(yuǎn)離功能區(qū)域的第二部分與第二信號線。

優(yōu)選地，本實(shí)用新型薄膜晶體管陣列基板中，第一信號線、第二信號線和多個薄膜晶體管形成于薄膜晶體管陣列基板的顯示區(qū)；第一信號線為柵線，第二信號線為數(shù)據(jù)線，相鄰的兩條柵線與相鄰的兩條數(shù)據(jù)線限定一像素區(qū)域，薄膜晶體管的第一端與一數(shù)據(jù)線電性連接，薄膜晶體管的第二端與像素區(qū)域內(nèi)的像素電極電性連接。

優(yōu)選地，本實(shí)用新型薄膜晶體管陣列基板中，有源層重疊段遠(yuǎn)離像素區(qū)域的第二部分通過第一過孔與數(shù)據(jù)線電性連接；有源層重疊段靠近像素區(qū)域的第一部分通過第二過孔與薄膜晶體管的漏極電性連接，并通過第三過孔與像素區(qū)域內(nèi)的像素電極電性連接。

優(yōu)選地，本實(shí)用新型薄膜晶體管陣列基板中，第一信號線和薄膜晶體管形成于薄膜晶體管陣列基板的非顯示區(qū)；薄膜晶體管的第一端與第一信號線電性連接，第一信號線為柵線或數(shù)據(jù)線，薄膜晶體管的第二端與公共電極引線電性連接

優(yōu)選地，本實(shí)用新型薄膜晶體管陣列基板中，第一信號線和第二信號線為單層結(jié)構(gòu)或雙層結(jié)構(gòu)。

優(yōu)選地，本實(shí)用新型薄膜晶體管陣列基板中，薄膜晶體管為頂柵結(jié)構(gòu)的雙柵薄膜晶體管，有源層上方形成有柵極絕緣層，第一信號線形成于該柵極絕緣層上方；在第一信號線上方具有層間絕緣層，第二信號線在該層間絕緣層上方穿過。

優(yōu)選地，本實(shí)用新型薄膜晶體管陣列基板中，薄膜晶體管為底柵結(jié)構(gòu)的雙柵薄膜晶體管，第一信號線上方形成有柵極絕緣層，有源層形成于柵極絕緣層上方；第二信號線在有源層上方穿過，其與有源層之間通過層間隔離層隔開。

根據(jù)本發(fā)明的另一個方面，還提供了一種顯示裝置。該顯示裝置應(yīng)用上述的TFT陣列基板。

(三)有益效果

基于上述技術(shù)方案，本實(shí)用新型薄膜晶體管陣列基板及應(yīng)用其的顯示裝置至少具有以下有益效果之一：

(1)使有源層與第一信號線在基板平面上的投影至少兩次重疊，從而提供了一種不同于以往設(shè)計的，新穎的TFT陣列基板。

(2)將有源層重疊段在基板平面上的投影設(shè)計為并非一條直線，或者有源層重疊段包括至少一彎折部，或者包括至少一個一側(cè)開口的圖形，例如呈“U”字形、一側(cè)開口的方框形、“山”字形或“W”字形，令該有源層重疊段與第一信號線在基板平面上的投影兩次或多次重疊，從而提高了布線效率和可靠性。

(3)對于多柵結(jié)構(gòu)TFF組成的TFT陣列基板而言，將有源層設(shè)計為“U”字形，簡化了布線結(jié)構(gòu)，有利于工業(yè)化實(shí)現(xiàn)。

(4)在將有源層設(shè)計為“U”字形的基礎(chǔ)上，移動數(shù)據(jù)線至兩道平行有源層的中央位置，從而最小化了數(shù)據(jù)線和晶體管溝道的寄生電容，從而減弱了像素電壓誤差和閃爍。

(5)在將有源層設(shè)計為“U”字形的基礎(chǔ)上，移動數(shù)據(jù)線靠近或少部分重疊遠(yuǎn)離像素電極的溝道區(qū)，降低了數(shù)據(jù)線與溝道第二部分的寄生電容，數(shù)據(jù)線和漏極之間的寄生電容，以及數(shù)據(jù)線和像素電極之間的寄生電容，有利于保持像素電壓的穩(wěn)定。

(6)可以減弱或消除因多柵極結(jié)構(gòu)的TFT單元有更大的寄生電容等原因?qū)е碌南袼仉妷赫`差和閃爍，提高了顯示質(zhì)量。

附圖說明

圖1A為根據(jù)本實(shí)用新型第一實(shí)施例采用頂柵薄膜晶體管的TFT陣列基板的平面示意圖；

圖1B為圖1A所示TFT陣列基板沿A-A截面的剖視圖；

圖1C為圖1A所示TFT陣列基板沿B-B截面的剖視圖；

圖2為圖1A～圖1C所示TFT陣列基板制備方法的流程圖；

圖3為根據(jù)本實(shí)用新型第二實(shí)施例采用底柵薄膜晶體管的TFT陣列基板沿類似于圖1C所示B-B｀截面的剖視圖；

圖4為圖3所示TFT陣列基板制備方法的流程圖；

圖5為根據(jù)本實(shí)用新型第三實(shí)施例TFT陣列基板的平面示意圖；

圖6為根據(jù)本實(shí)用新型第二實(shí)施例TFT陣列基板的平面示意圖；

圖7為根據(jù)本實(shí)用新型第五實(shí)施例TFT陣列基板的平面示意圖。

【主要元件符號說明】

10-襯底； 20-緩沖層；

30-U字形有源層(有源層U形段)； 30′-有源層連接段；

31-溝道第一部分； 32-溝道第二部分；

40-柵極絕緣層； 50-柵線； 60-層間絕緣層；

70-數(shù)據(jù)線； 71-漏極金屬； 72-數(shù)據(jù)線平移段；

80-鈍化層； 90-像素電極；

101-第一過孔； 102-第二過孔； 103-第三過孔。

具體實(shí)施方式

本實(shí)用新型提供了一種新穎的TFT陣列基板及應(yīng)用其的顯示裝置。該TFT陣列基板包括：基板以及形成于基板上的第一信號線和薄膜晶體管。其中，薄膜晶體管的有源層與第一信號線處于基板上方不同的層，兩者在基板平面上的投影至少兩次重疊。

優(yōu)選地，在TFT陣列基板中，有源層包括一彎折部，或包括至少一個一側(cè)開口的圖形，這兩種方式均可以實(shí)現(xiàn)薄膜晶體管的有源層與第一信號線在基板平面上的投影至少兩次重疊。

可選的，其形狀例如為：“U”字形、一側(cè)開口的方框形、“山”字形或“W”字形，均可以實(shí)現(xiàn)薄膜晶體管的有源層與第一信號線在基板平面上的投影至少兩次重疊。

在具體應(yīng)用中，基板上形成有交錯布置的多條的第一信號線和多條的第二信號線，相鄰的兩條第一信號線與相鄰的兩條第二信號線限定出一功能區(qū)域。多個薄膜晶體管分別形成于一條第一信號線和一條第二信號線的交匯處，每一薄膜晶體管與臨近的一功能區(qū)域相對應(yīng)。其中，此處的功能區(qū)域指具有用于顯示，或者用于提供驅(qū)動電壓，或者用于進(jìn)行測試，用于靜電釋放等功能的區(qū)域。

在一個典型的應(yīng)用中，在TFT陣列基板的顯示區(qū)域，柵線對應(yīng)第一信號線，數(shù)據(jù)線對應(yīng)第二信號線，像素區(qū)域?qū)?yīng)功能區(qū)域，以下結(jié)合該典型應(yīng)用，并參照附圖，對本實(shí)用新型進(jìn)一步詳細(xì)說明。

為了減小關(guān)態(tài)電流I_off，TFT單元可以采用多柵極結(jié)構(gòu)。然而，申請人發(fā)現(xiàn)：多柵級結(jié)構(gòu)的TFT單元有更大的寄生電容，過高的寄生電容可能會導(dǎo)致像素電壓誤差和閃爍。因此申請人通過下述至少第一實(shí)施例的設(shè)計減弱或消除像素電壓誤差和閃爍。

一、第一實(shí)施例

在本實(shí)用新型的第一個實(shí)施例中，提供了一種TFT陣列基板。圖1A為根據(jù)本實(shí)用新型第一實(shí)施例TFT陣列基板的平面示意圖。圖1B為圖1A所示TFT陣列基板沿A-A截面的剖視圖。圖1C為圖1A所示TFT陣列基板沿B-B截面的剖視圖。

請參照圖1A～圖1C，本實(shí)施例TFT陣列基板包括：多條交錯排布的柵線50和數(shù)據(jù)線70；以及多個形成于柵線和數(shù)據(jù)線交匯處的薄膜晶體管。其中，相鄰的兩條柵線與相鄰的兩條數(shù)據(jù)線限定一像素區(qū)域，該像素區(qū)域?qū)?yīng)一薄膜晶體管，該薄膜晶體管用于控制像素區(qū)域的像素電極。

本實(shí)施例中，薄膜晶體管的柵極與柵線為一體結(jié)構(gòu)。但本領(lǐng)域技術(shù)人員可以看出，還可以根據(jù)工藝的需要將薄膜晶體管的柵極做成柵線的一部分，同樣可以實(shí)現(xiàn)本實(shí)用新型。

本實(shí)施例中，薄膜晶體管形成于柵線50和數(shù)據(jù)線70交匯處。該薄膜晶體管的有源層在基板平面上的投影呈“U”字形，下文稱之為U形有源層30。該U形有源層30與柵線50在基板平面上的投影兩次交匯，形成薄膜晶體管的溝道第一部分31和溝道32第二部分。并且，該U形有源層30的一端與數(shù)據(jù)線70電性連接，另一端與像素區(qū)域內(nèi)的像素電極90電性連接。

本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)了解，除了“U”字形之外，“山”字形、“W”字形均可實(shí)現(xiàn)與柵線在基板平面上的投影至少兩次重疊，同樣可以實(shí)現(xiàn)本實(shí)用新型。不過，“U”字形是最簡單，也是最容易實(shí)現(xiàn)工業(yè)化的形狀。通過將U形有源層其與第一信號線在基板平面上的投影兩次或多次重疊，可以提高布線效率和可靠性。

請參照圖1A和圖1B，數(shù)據(jù)線70在靠近與柵線的交匯處的一段朝向?qū)?yīng)像素區(qū)域一側(cè)平移預(yù)設(shè)距離，形成類似zigzag的彎折結(jié)構(gòu)，下文中稱之為數(shù)據(jù)線平移段72。其中，該信號線平移段72相對于數(shù)據(jù)線總體走向平移的距離d滿足：1μm≤d≤10μm。

本實(shí)施例中，數(shù)據(jù)線平移段72穿過薄膜晶體管的有源區(qū)。溝道第一部分31位于數(shù)據(jù)線平移段72的外側(cè)，溝道第二部分32位于數(shù)據(jù)線平移段72的內(nèi)側(cè)(此處的內(nèi)外是相對于像素區(qū)域而言)。并且，溝道第一部分31和溝道第二部分32相對于所述數(shù)據(jù)線平移段72對稱。

請參照圖1A，U形有源層的外側(cè)部分通過第一過孔101與數(shù)據(jù)線未平移段電性連接。在像素區(qū)域內(nèi)，U形有源層30的內(nèi)側(cè)部分通過第二過孔102與漏極金屬71電性連接。并通過第三過孔103與像素電極90電性連接。

本實(shí)施例中，薄膜晶體管為頂柵結(jié)構(gòu)的雙柵薄膜晶體管。請參照圖1B和圖1C，在襯底10上形成有緩沖層20，U形有源層30形成于緩沖層20上。在U形有源層及未被U形有源層覆蓋的緩沖層上方，形成有柵極絕緣層40。柵線50形成于柵極絕緣層40上方；在柵線上方具有層間絕緣層60，數(shù)據(jù)線70在該層間絕緣層60上方穿過。在數(shù)據(jù)線70的上方，還覆蓋有鈍化層80。

本實(shí)施例中，為了保持盡可能高的開口率和最小化數(shù)據(jù)線與有源區(qū)的寄生電容，數(shù)據(jù)線70在靠近與柵線交匯處的一段朝向?qū)?yīng)像素區(qū)域的一側(cè)平移預(yù)設(shè)距離，形成類似zigzag的彎折結(jié)構(gòu)，將有源層設(shè)計為相對于數(shù)據(jù)線平移段對稱的“U”形，數(shù)據(jù)線平移段與兩道平行的有源區(qū)的間距相等。

舉例來說，數(shù)據(jù)線和與薄膜晶體管源極連接的有源層第一部分(U形有源層靠近像素區(qū)域的部分)的間距為d1，數(shù)據(jù)線和與薄膜晶體管漏極連接的有源層第二部分(U形有源層遠(yuǎn)離像素區(qū)域的部分)的間距為d2，則數(shù)據(jù)線與有源區(qū)部分的總寄生電容C為：

C＝ε·A·(d1+d2)/(d1·d2)

其中，ε為數(shù)據(jù)線與U形有源層之間絕緣介質(zhì)的介電常數(shù)，A為寄生電容面積?？梢?，當(dāng)d1＝d2時，可以使得數(shù)據(jù)線70和U形有源層30之間的總寄生電容C保持最小，從而減弱了像素電壓誤差和閃爍。

本實(shí)施例中，柵線50、數(shù)據(jù)線70可以采用Cu，Al，Mo，Ti，Cr，W，Nd，Nb等金屬材料制備，也可以采用這些材料的合金制備。柵線或數(shù)據(jù)線可以是單層結(jié)構(gòu)，也可以采用多層結(jié)構(gòu)，如Mo\Al\Mo，Ti\Al\Ti，Ti\Cu\Ti，Mo\Cu\Ti等等。

本實(shí)施例中，U形有源層30可以采用非晶硅，或低溫多晶硅，或氧化物半導(dǎo)體制備。柵極絕緣層40可以采用氮化硅或氧化硅制備，可以是單層結(jié)構(gòu)，也可以是多層結(jié)構(gòu)，例如氧化硅/氮化硅。

此外，本實(shí)施例中，層間絕緣層60和鈍化層80可以采用無機(jī)物如氮化硅制備，也可以采用有機(jī)物如樹脂制備；像素電極90采用ITO，IZO，ITZO或其他透明金屬氧化物導(dǎo)電材料制備。

以下介紹本實(shí)施例TFT陣列基板的制備方法，請參照圖2，本實(shí)施例TFT陣列基板的制備方法包括：

步驟S302：在基板上形成緩沖層20；

本步驟中，采用PECVD方法在基板上沉積緩沖層20，該緩沖層20的材料例如氮化硅、氧化硅、或者氧化硅和氮化硅的雙層薄膜。

步驟S304：在緩沖層20上形成U形有源層30；

本步驟中，首先在緩沖層20上沉積半導(dǎo)體層；而后涂覆光刻膠，曝光顯影，刻蝕，形成U形有源層30。

其中，可以采取以下方式其中之一來沉積半導(dǎo)體層，如：(1)PECVD沉積a-Si；(2)Sputter濺射沉積IGZO；(3)激光晶化或固相晶化a-Si形成低溫多晶硅。

步驟S306：在U形有源層20及未被U形有源層覆蓋的緩沖層20上形成柵極絕緣層40；

本步驟中，采用PECVD在U形有源層20及未被U形有源層覆蓋的緩沖層20上沉積柵極絕緣層40。該柵極絕緣層40的材料例如氮化硅和氧化硅。

步驟S308：在柵極絕緣層上形成柵線50；

本步驟中，首先沉積金屬層，而后涂覆光刻膠，曝光顯影，刻蝕，形成柵線50，該柵線50與U形有源層30在基板上的投影交疊兩次。

其中，上述沉積金屬層具體可以為：Sputter濺射沉積金屬層，如Al。

步驟S310：形成層間絕緣層60，并在該層間絕緣層上形成第一過孔101和第二過孔102；

本步驟中，首先沉積層間絕緣層，而后通過涂覆光刻膠，曝光顯影，刻蝕，形成第一過孔101和第二過孔102。

其中，上述沉積層間絕緣層具體可以為：PECVD沉積氮化硅形成層間絕緣層60。

步驟S312：在層間絕緣層上形成數(shù)據(jù)線70；

本步驟中，首先沉積金屬層，而后通過涂覆光刻膠，曝光顯影，刻蝕，形成數(shù)據(jù)線70。

其中，上述沉積金屬層具體可以為：Sputter濺射沉積金屬層，如A1。

步驟S314：在數(shù)據(jù)線70及未被數(shù)據(jù)線覆蓋的層間絕緣層上形成鈍化層，并在鈍化層上形成第三過孔，暴露出薄膜晶體管的漏極32；

本步驟中，首先形成鈍化層，而后通過涂覆光刻膠，曝光顯影，刻蝕，形成第三過孔103暴露出薄膜晶體管的漏極32。

其中上述形成鈍化層具體可以為：PECVD沉積氮化硅，或涂覆樹脂層；；

步驟S316：在鈍化層上形成像素電極90，并將其通過第三過孔103與薄膜晶體管的漏極72電性連接。

其中，上述形成像素電極具體可以為Sputter濺射透明金屬氧化物導(dǎo)電材料層，如ITO，涂覆光刻膠，曝光顯影，刻蝕，形成像素電極90。

本實(shí)施例將有源層設(shè)計為“U”字形，簡化了布線結(jié)構(gòu)，同時，移動數(shù)據(jù)線至兩道平行有源區(qū)的中央位置，最小化了數(shù)據(jù)線和晶體管溝道的寄生電容，減弱了像素電壓誤差和閃爍，從而提高顯示質(zhì)量。

至此，本實(shí)施例TFT陣列基板介紹完畢。

二、第二實(shí)施例

在本實(shí)用新型的第二個實(shí)施例中，還提供了一種TFT陣列基板。圖3為根據(jù)本實(shí)用新型第二實(shí)施例TFT陣列基板沿類似于圖1C所示B-B｀截面的剖視圖。請參照圖3，本實(shí)施例TFT陣列基板與第一實(shí)施例的區(qū)別在于：薄膜晶體管為底柵結(jié)構(gòu)的雙柵薄膜晶體管。

如圖3所示，柵線50形成于襯底1O上方。在柵線50上方形成有柵極絕緣層40，U形有源層30形成于所述柵極絕緣層上方。數(shù)據(jù)線70在U形有源層上方穿過，其與U形有源層之間通過層間隔離層60隔開。并且，在數(shù)據(jù)線70的上方，還形成有鈍化層80。

本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解的是，底柵結(jié)構(gòu)的薄膜晶體管使得數(shù)據(jù)線70和U形有源層30的層間距離更小，具有更大的寄生電容，并且直接影響溝道區(qū)，所以最小化寄生電容更為必要。

以下介紹本實(shí)施例TFT陣列基板的制備方法，請參照圖4，并輔助參考圖1A和圖1B，本實(shí)施例TFT陣列基板的制備方法包括：

步驟S402：在基板上形成柵線50；

本步驟中，首先沉積金屬層，而后通過涂覆光刻膠，曝光顯影，刻蝕，形成柵線50。

其中，上述沉積金屬層具體可以為：Sputter濺射沉積金屬層。

步驟S404：在柵線及未被柵線覆蓋的基板上沉積柵極絕緣層40；

本步驟中，采用PECVD沉積柵極絕緣層40，如氮化硅和氧化硅。

步驟S406：在柵極絕緣層上形成U形有源層30，其中，柵線50與U形有源層30在基板上的投影交疊兩次；

本步驟中，首先沉積半導(dǎo)體層，而后通過涂覆光刻膠，曝光顯影，刻蝕來形成U形有源層30。

其中，上述沉積半導(dǎo)體層具體可以為以下方式中的一種：(1)PECVD沉積a-Si；(2)Sputter濺射沉積IGZO；(3)激光晶化或固相晶化a-Si形成低溫多晶硅。

步驟S408：在U形有源層及未被U形有源層覆蓋的柵極絕緣層上形成層間絕緣層60，形成第一過孔101和第二過孔102；

本步驟中，首先PECVD沉積氮化硅形成層間絕緣層60，涂覆光刻膠，曝光顯影，刻蝕，形成第一過孔101和第二過孔102。

步驟S410：形成數(shù)據(jù)線70以及薄膜晶體管的漏極71；

本步驟中，在層間絕緣層上沉積金屬層，而后通過涂覆光刻膠，曝光顯影，刻蝕，形成數(shù)據(jù)線70，漏極71的圖形。

其中，上述沉積金屬層具體可以為：Sputter濺射沉積金屬層，如Al。

步驟S412：沉積鈍化層，并在鈍化層上形成第三過孔103，暴露出薄膜晶體管的漏極71；

本步驟中，首先沉積鈍化層，而后涂覆光刻膠，曝光顯影，刻蝕，形成第三過孔103。

其中，上述沉積鈍化層薄膜具體可以為：PECVD沉積氮化硅，或涂覆樹脂層。

步驟S414：形成像素電極90，并將其通過第三過孔103與薄膜晶體管的漏極71電性連接。

其中，上述形成像素電極具體為：Sputter濺射透明金屬氧化物導(dǎo)電材料層，如ITO；而后通過涂覆光刻膠，曝光顯影，刻蝕，形成像素電極90。

至此，本實(shí)施例TFT陣列基板介紹完畢。

需要說明的是，為了達(dá)到簡要說明的目的，上述第一實(shí)施例中任何可作相同應(yīng)用的技術(shù)特征敘述皆并于此，無需再重復(fù)相同敘述。

三、第三實(shí)施例

在本實(shí)用新型的第三個實(shí)施例中，還提供了一種TFT陣列基板。圖5為根據(jù)本實(shí)用新型第二實(shí)施例TFT陣列基板的平面示意圖。請參照圖5，本實(shí)施例TFT陣列結(jié)構(gòu)與第一實(shí)施例的區(qū)別在于：薄膜晶體管中U形有源層的水平位置不同。

如圖5所示，薄膜晶體管的有源層30同樣為“U”形，其不再相對于數(shù)據(jù)線平移段對稱，而是偏向一側(cè)，即溝道第一部分31與數(shù)據(jù)線平移段72的水平距離小于溝道第二部分32與數(shù)據(jù)線平移段72的水平距離?？梢宰⒁獾降氖牵緦?shí)施例中，溝道第一部分31的外側(cè)邊沿與數(shù)據(jù)線平移段的外側(cè)邊沿平齊，從而最大限度地利用了基板面積。

需要說明的是，在某些情況下，數(shù)據(jù)線平移段72的邊沿部分還可以與溝道第一部分31有少量重疊區(qū)域，同樣不會影響到本實(shí)用新型的實(shí)現(xiàn)。

本實(shí)施例中，當(dāng)數(shù)據(jù)線72遠(yuǎn)離溝道第二部分32時，降低了數(shù)據(jù)線與溝道第二部分32的寄生電容，數(shù)據(jù)線72和漏極71之間的寄生電容，以及數(shù)據(jù)線72和像素電極90之間的寄生電容，有利于保持像素電壓的穩(wěn)定。

四、第四實(shí)施例

在本實(shí)用新型的第四個實(shí)施例中，還提供了一種TFT陣列基板。圖6為根據(jù)本實(shí)用新型第四實(shí)施例TFT陣列基板的平面示意圖。請參照圖6，本實(shí)施例TFT陣列基板與第一實(shí)施例的區(qū)別在于：數(shù)據(jù)線70并沒有平移，而是正常地豎直設(shè)置。有源層分為兩段：有源層U形段30和有源層連接段30′。其中，有源層U形段30偏向右側(cè)設(shè)置，其遠(yuǎn)離對應(yīng)像素區(qū)域的一端與數(shù)據(jù)線之間通過有源層連接段30′連接。

換句話說，本實(shí)施例中的有源層包括兩段：有源層U形段30和有源層連接段30′。其中，有源層U形段30在基板平面上的投影呈“U”形，其與柵線50在基板平面上的投影兩次交匯，形成溝道第一部分31和溝道第二部分32，該溝道第一部分31和溝道第二部分32分處數(shù)據(jù)線70的不同側(cè)。有源層連接段30′連接有源層U形段遠(yuǎn)離對應(yīng)像素區(qū)域的第二部分與數(shù)據(jù)線。

為了達(dá)到簡要說明的目的，上述多個實(shí)施例中任何可作相同應(yīng)用的技術(shù)特征敘述皆并于此，無需再重復(fù)相同敘述。

本實(shí)施例TFT陣列基板可以產(chǎn)生與第一實(shí)施例和第三實(shí)施例類似的有益效果，此處不再重述。

五、第五實(shí)施例

在本實(shí)用新型的第五個實(shí)施例中，還提供了一種TFT陣列基板。圖7為根據(jù)本實(shí)用新型第五實(shí)施例TFT陣列基板的平面示意圖。請參照圖7，本實(shí)施例TFT陣列基板與第四實(shí)施例的區(qū)別在于：數(shù)據(jù)線70平移的方向不同，其朝向右側(cè)平移；而有源層U形段30向右側(cè)偏離的幅度更大，且有源層連接段30′更長。

為了達(dá)到簡要說明的目的，上述多個實(shí)施例中任何可作相同應(yīng)用的技術(shù)特征敘述皆并于此，無需再重復(fù)相同敘述。

本實(shí)施例TFT陣列基板可以產(chǎn)生與第一實(shí)施例類似的有益效果，此處不再重述。

六、第六實(shí)施例

本實(shí)施例提供了一種TFT陣列基板。不同于上述五個實(shí)施例，本實(shí)施例中著重于TFT陣列基板非顯示區(qū)域的布線。在該TFT陣列基板中，第一信號線為柵線或數(shù)據(jù)線，不包括除兩者之外的其他信號線。每一薄膜晶體管的第一端與所述柵線(或數(shù)據(jù)線)電性連接，所述薄膜晶體管的第二端與公共電極引線電性連接。

本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)可以看出：本實(shí)施例中，薄膜晶體管與柵線(或數(shù)據(jù)線)是相互獨(dú)立的，兩者之間并不存在電性連接關(guān)系。

結(jié)合本實(shí)施例和上述五個實(shí)施例，可以看出，本實(shí)用新型中薄膜晶體管與第一信號線的關(guān)系可以歸結(jié)為以下三類：所述薄膜晶體管與所述第一信號線相互獨(dú)立；或所述第一信號線包括：所述薄膜晶體管的柵極；或所述第一信號線與所述薄膜晶體管的柵極為一體結(jié)構(gòu)。

本實(shí)施例為本實(shí)用新型的一種非典型應(yīng)用，結(jié)合本實(shí)施例與上面五個實(shí)施例，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以想到本實(shí)用新型的其他應(yīng)用，此處不再一一列舉。

七、第七實(shí)施例

本實(shí)施例提供了一種顯示裝置。該顯示裝置包括：上述六個實(shí)施例其中之一所提供的TFT陣列基板。

具體來講，該顯示裝置包括：TFT陣列基板和彩膜基板。其中，在TFT陣列基板和彩膜基板。

至此，已經(jīng)結(jié)合附圖對本實(shí)用新型多個實(shí)施例進(jìn)行了詳細(xì)描述。依據(jù)以上描述，本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)對本實(shí)用新型TFT陣列基板及應(yīng)用其的顯示裝置有了清楚的認(rèn)識。

本文所述的「基板(substrate)」，可包括任何底層材質(zhì)，其上可形成裝置，電路，外延層或半導(dǎo)體。一般來說，基板可用以定義位于半導(dǎo)體裝置底下的層，或者是形成半導(dǎo)體裝置的基層?；蹇砂ü琛诫s硅(doped silicon)、鍺、硅鍺(silicon germanium)、半導(dǎo)體復(fù)合物(semiconductor compound)，或其他半導(dǎo)體材質(zhì)的一或任何組合。

本文所述的「雙柵薄膜晶體管」，顧名思義，就是具有兩個柵極的薄膜晶體管。底柵結(jié)構(gòu)的雙柵薄膜晶體管，是指柵極位于有源層下方的雙柵薄膜晶體管；頂柵結(jié)構(gòu)的雙柵薄膜晶體管，是指柵極位于有源區(qū)上方的雙柵薄膜晶體管。這些均為本領(lǐng)域內(nèi)通用的術(shù)語，詳細(xì)內(nèi)容可參照教科書或?qū)I(yè)詞典中的表述，此處不再贅述。

需要說明的是，在附圖或說明書正文中，未繪示或描述的實(shí)現(xiàn)方式，均為所屬技術(shù)領(lǐng)域中普通技術(shù)人員所知的形式，并未進(jìn)行詳細(xì)說明。此外，上述對各元件和方法的定義并不僅限于實(shí)施例中提到的各種具體結(jié)構(gòu)、形狀或方式，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可對其進(jìn)行簡單地更改或替換，例如：

(1)第一、第二、第三、第四、第五實(shí)施例中的薄膜晶體管還可以用其他結(jié)構(gòu)的薄膜晶體管來代替；

(2)關(guān)于柵線、數(shù)據(jù)線、有源層的材料，除了在第一實(shí)施例中列舉的材料之外，還可以采用其他合適的材料；

(3)關(guān)于柵線和數(shù)據(jù)線，兩者可以垂直，也可以呈傾斜相交，只要兩者不平行具有交點(diǎn)，仍然包括在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。

此外，本文可提供包含特定值的參數(shù)的示范，但這些參數(shù)無需確切等于相應(yīng)的值，而是可在可接受的誤差容限或設(shè)計約束內(nèi)近似于相應(yīng)值。并且，上述實(shí)施例中提到的方向用語，例如“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”等，僅是參考附圖的方向，并非用來限制本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。上述實(shí)施例可基于設(shè)計及可靠度的考慮，彼此混合搭配使用或與其他實(shí)施例混合搭配使用，即不同實(shí)施例中的技術(shù)特征可以自由組合形成更多的實(shí)施例。

綜上所述，本實(shí)用新型提供了一種新穎的TFT陣列基板及應(yīng)用其的顯示裝置。該TFT陣列基板將有源層重疊段在基板平面上的投影設(shè)計為并非一條直線，令其與第一信號線在基板平面上的投影兩次或多次重疊，從而提高了布線效率和可靠性。

以上所述的具體實(shí)施例，對本實(shí)用新型的目的、技術(shù)方案和有益效果進(jìn)行了進(jìn)一步詳細(xì)說明，所應(yīng)理解的是，以上所述僅為本實(shí)用新型的具體實(shí)施例而已，并不用于限制本實(shí)用新型，凡在本實(shí)用新型的精神和原則之內(nèi)，所做的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。