技術總結
本發(fā)明涉及半導體設計及制造技術領域，尤其涉及一種側墻回刻工藝，包括步驟S1，提供一半導體襯底，所述半導體襯底上形成有多個凹槽結構；步驟S2，在所述凹槽結構的底部和側壁依次沉積第一氧化層、中間氮化層、第二氧化層，以形成ONO側墻；步驟S3，以所述中間氮化層為阻擋層，刻蝕去除位于所述凹槽結構底部的所述第二氧化層；步驟S4，去除位于所述凹槽結構側壁的所述第二氧化層；步驟S5，在所述凹槽結構中沉積阻擋層覆蓋位于所述凹槽結構側壁的所述中間氮化層；步驟S6，刻蝕以在位于所述凹槽結構底部的所述中間氮化層和所述第一氧化層中形成開口，以使得刻蝕后剩余的所述中間氮化層和所述第一氧化層形成回刻后的側墻。

技術研發(fā)人員：劉杰;周俊
受保護的技術使用者：武漢新芯集成電路制造有限公司
文檔號碼：201611208125
技術研發(fā)日：2016.12.23
技術公布日：2017.03.22