1.一種側(cè)墻回刻工藝，其特征在于，包括：
步驟S1，提供一半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底上形成有多個凹槽結(jié)構(gòu)；
步驟S2，在所述凹槽結(jié)構(gòu)的底部和側(cè)壁依次沉積第一氧化層、中間氮化層、第二氧化層，以形成ONO側(cè)墻；
步驟S3，以所述中間氮化層為阻擋層，刻蝕去除位于所述凹槽結(jié)構(gòu)底部的所述第二氧化層；
步驟S4，去除位于所述凹槽結(jié)構(gòu)側(cè)壁的所述第二氧化層；
步驟S5，在所述凹槽結(jié)構(gòu)中沉積阻擋層覆蓋于位于所述凹槽結(jié)構(gòu)側(cè)壁的所述中間氮化層表面；
步驟S6，刻蝕以在位于所述凹槽結(jié)構(gòu)底部的所述中間氮化層和所述第一氧化層中形成開口，使刻蝕后剩余的所述中間氮化層和所述第一氧化層形成回刻后的側(cè)墻。
2.如權(quán)利要求1所述的側(cè)墻回刻工藝，其特征在于，在所述步驟S1中，所述半導(dǎo)體襯底上形成有多個器件，每兩個器件之間形成所述凹槽結(jié)構(gòu)。
3.如權(quán)利要求1所述的側(cè)墻回刻工藝，其特征在于，在所述步驟S2中，所述第一氧化層和所述第二氧化層的材料為氧化硅，所述中間氮化層的材料為氮化硅。
4.如權(quán)利要求1所述的側(cè)墻回刻工藝，其特征在于，在所述步驟S3中，采用干法刻蝕去除位于所述凹槽結(jié)構(gòu)底部的所述第二氧化層。
5.如權(quán)利要求1所述的側(cè)墻回刻工藝，其特征在于，在所述步驟S3和所述步驟S4之間，還包括：
步驟S31，對所述凹槽結(jié)構(gòu)的底部進行源漏注入并退火。
6.如權(quán)利要求1所述的側(cè)墻回刻工藝，其特征在于，在所述步驟S4中，采用濕法刻蝕去除位于所述凹槽結(jié)構(gòu)側(cè)壁的所述第二氧化層。
7.如權(quán)利要求6所述的側(cè)墻回刻工藝，其特征在于，采用氫氟酸進行所述濕法刻蝕。
8.如權(quán)利要求1所述的側(cè)墻回刻工藝，其特征在于，在所述步驟S5中，所述阻擋層為硅化阻擋層。
9.如權(quán)利要求8所述的側(cè)墻回刻工藝，其特征在于，在所述步驟S6中，采用SAB工藝刻蝕位于所述凹槽結(jié)構(gòu)底部的所述中間氮化層和所述第一氧化層。
10.如權(quán)利要求1所述的側(cè)墻回刻工藝，其特征在于，在所述步驟S6之后，還包括：
去除覆蓋于位于所述凹槽結(jié)構(gòu)側(cè)壁的所述中間氮化層表面的所述阻擋層。