技術(shù)編號(hào)：12129290
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體設(shè)計(jì)及制造技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種側(cè)墻回刻工藝。背景技術(shù)隨著器件尺寸的縮小，需要對(duì)側(cè)墻(Spacer)進(jìn)行回刻，以增加相鄰器件的可用空間，為通孔刻蝕留出足夠工藝窗口。常見的側(cè)墻回刻工藝有兩種，一是采用二氧化硅和氮化硅作為側(cè)墻材料，在硅化物(Salicide)形成后采用干法刻蝕進(jìn)行回刻；二是采用氮氧化物多層層疊的側(cè)墻結(jié)構(gòu)，注入后用濕法刻蝕掉最外層的氧化物。上述兩種工藝均存在缺陷，第一種干法側(cè)墻回刻工藝缺陷在于刻蝕時(shí)硅化物暴露在外，需要特別的污染控制流程；另外由于側(cè)墻的高寬比通常較大，...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。