技術總結
本發(fā)明涉及甲氨基鹵化物?碳納米管半導體光敏傳感器及制備方法，光敏傳感器包括清洗烘干的硅片作為襯底；在硅片上熱壓碳納米管作為柵極電壓調控層；在柵極電壓調控層上旋涂甲氨基鹵化物作為光吸收層；在光吸收層頂部，使用掩膜版遮擋后蒸鍍金薄膜作為源極和漏極。與現(xiàn)有技術相比，本發(fā)明將甲氨基鹵化物與碳納米管物理結合形成復合半導體，可通過調控柵壓使它具備電流放大的效應，并增大其光敏響應度。

技術研發(fā)人員：黃佳;周碧蕾;吳小晗
受保護的技術使用者：同濟大學
文檔號碼：201611078395
技術研發(fā)日：2016.11.30
技術公布日：2017.05.31