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一種提高LED封裝用的有機硅材料耐硫化耐UV性能的方法與流程

文檔序號:12479273閱讀:504來源:國知局
本發(fā)明涉及一種提高LED封裝用有機硅材料耐硫化耐UV性能的方法,屬于LED封裝
技術領域
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背景技術
:LED目前所用封裝材料有環(huán)氧樹脂、聚甲基丙烯酸甲酯、玻璃、有機硅等高透明材料,其中環(huán)氧樹脂與有機硅材料作為主要的封裝材料,環(huán)氧樹脂內(nèi)應力過大,黃變,耐高低溫性能差,耐老化性能差,而目前的有機硅材料,內(nèi)應力小,耐高低溫性能好,不黃變,透光率也高于環(huán)氧樹脂,因此迅速取代環(huán)氧樹脂,被廣泛用于LED封裝領域,但是有機硅材料特別是低折射率有機硅材料因為低交聯(lián)密度導致透氧透濕,在含硫氣體作用下,會部分穿透封裝材料,在銀層與硅膠界面因為無粘接性,易生成硫化銀,導致銀層發(fā)黑,另外,uv照射后,光通量迅速下降。因此,提高LED封裝用有機硅材料的耐硫化耐UV性能迫在眉睫。技術實現(xiàn)要素:本發(fā)明針對現(xiàn)有LED封裝用有機硅材料在使用過程中存在的不足,提供一種提高LED封裝用有機硅材料耐硫化耐UV性能的方法。本發(fā)明解決上述技術問題的技術方案如下:一種提高LED封裝用有機硅材料耐硫化耐UV性能的方法,其特征在于,包括如下步驟:1)清潔LED支架表面;2)配制涂層:將含氫硅樹脂和溶劑均勻混合,其中,含氫硅樹脂的重量分數(shù)為20~25wt%;3)將步驟2)中所得的涂層均勻噴涂至芯片表面;4)向步驟3)所得的芯片表面進行均勻的電子束照射,使涂層固化形成致密的二氧化硅結構;5)后清除多余涂層,點上封裝用的有機硅材料,固化成型。進一步,所述含氫硅樹脂的結構式如下:進一步,所述電子束為500-1000mW,電子束的照射時間為3-5秒。進一步,所述的溶劑是指正庚烷、乙醚或丙酮中的一種。本發(fā)明的有益效果是:1)使用本發(fā)明的方法制備得到的封裝后的LED克服了傳統(tǒng)有機硅材料封裝后的透氣透濕,含硫氣體作用下會部分穿透封裝材料的弊端,耐硫化性好;2)經(jīng)長時間紫外線UV照射后,光通量仍能保持穩(wěn)定;3)銀層與硅膠界面粘結性好,不易生成硫化銀。具體實施方式以下結合實例對本發(fā)明的原理和特征進行描述,所舉實例只用于解釋本發(fā)明,并非用于限定本發(fā)明的范圍。本發(fā)明實施例1-3中所使用的含氫硅樹脂的結構式如下:實施例1:一種提高LED封裝用有機硅材料耐硫化耐UV性能的方法,包括如下步驟:1)清潔LED支架表面;2)配制涂層:將25份含氫硅樹脂和75份溶劑無水乙醚均勻混合得涂層;3)將步驟2)中所得的涂層均勻噴涂至芯片表面;4)向步驟3)所得的芯片表面進行均勻的電子束照射,電子束為500mW,照射時間為5秒,使涂層固化形成致密的二氧化硅結構;5)后清除多余涂層,點上封裝用的有機硅材料,固化成型。實施例2:一種提高LED封裝用有機硅材料耐硫化耐UV性能的方法,包括如下步驟:1)清潔LED支架表面;2)配制涂層:將23份含氫硅樹脂和77份溶劑無水正庚烷均勻混合得涂層;3)將步驟2)中所得的涂層均勻噴涂至芯片表面;4)向步驟3)所得的芯片表面進行均勻的電子束照射,電子束為700mW,照射時間為4秒,使涂層固化形成致密的二氧化硅結構;5)后清除多余涂層,點上封裝用的有機硅材料,固化成型。實施例3:一種提高LED封裝用有機硅材料耐硫化耐UV性能的方法,包括如下步驟:1)清潔LED支架表面;2)配制涂層:將20份含氫硅樹脂和80份溶劑無水丙酮均勻混合得涂層;3)將步驟2)中所得的涂層均勻噴涂至芯片表面;4)向步驟3)所得的芯片表面進行均勻的電子束照射,電子束為1000mW,照射時間為3秒,使涂層固化形成致密的二氧化硅結構;5)后清除多余涂層,點上封裝用的有機硅材料,固化成型。對比例:清潔LED支架表面后直接點上封裝用的有機硅材料,固化成型。為了驗證本發(fā)明提供的方法的有益效果,我們對使用本發(fā)明的方法固化后的產(chǎn)品進行了耐硫和耐UV的測試,具體測試方法如下:耐硫化:固化后成品,取10pcs測試光通量作為初始數(shù)據(jù),用雙面膠貼在保鮮盒盒子蓋上,支架膠面朝下,保鮮盒尺寸是10cm*10cm*5cm,加入硫粉2g,硫粉均勻鋪在盒子底部且成粉狀而非塊狀,盒子要密封性好,置于80℃烘箱,8H后取出。耐UV:將樣品放入UV老化箱中,溫度為50℃,波長280-400nm,放置24h后取出,測試光通量,計算光衰。實施例1-3與對比例所得產(chǎn)品的光通量及光衰測試結果如表1所示:表1:實施例1-3及對比例所得產(chǎn)品的光通量和光衰數(shù)據(jù)光通量(%)光衰(%)實施例199.40.6實施例299.20.8實施例399.10.9對比例88.211.8以上所述僅為本發(fā)明的較佳實施例,并不用以限制本發(fā)明,凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi),所作的任何修改、等同替換、改進等,均應包含在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。當前第1頁1 2 3 
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