技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開了一種基于Si襯底的La基介質(zhì)材料高K金屬柵結(jié)構(gòu)及制備方法，主要解決傳統(tǒng)高K金屬柵結(jié)構(gòu)柵氧化層介電常數(shù)低和柵極金屬向柵氧化層擴散的問題。該高K金屬柵結(jié)構(gòu)在Si襯底上自下而上包含La基高k柵介質(zhì)薄膜(1)、TiN阻擋層(2)、Ti氧元素吸附層(3)以及重金屬Pt柵電極(4)，其中La基高k柵介質(zhì)薄膜采用厚度為4?10nm的La2O3或LaAlO3或La2O3/Al2O3疊層結(jié)構(gòu)；TiN阻擋層厚度為2?3nm；Ti氧元素吸附層厚度為4?6nm；重金屬Pt柵電極厚度為100?150nm。本發(fā)明的柵氧化層介電常數(shù)高、柵氧化層/襯底界面特性好，可用于制造高介電性能的金屬氧化物半導體場效應晶體管。

技術(shù)研發(fā)人員：劉紅俠;汪星;趙璐;馮興堯;王永特
受保護的技術(shù)使用者：西安電子科技大學
文檔號碼：201611024999
技術(shù)研發(fā)日：2016.11.16
技術(shù)公布日：2017.05.24