1.一種高透過率薄膜晶體管制備方法，其特征在于，包括如下步驟：
(1)在玻璃基板上從下至上依次形成第一金屬層和第一絕緣層，所述第一金屬層包括柵極金屬線和存儲電容金屬線；
(2)對第一絕緣層進行半蝕刻；
(3)在第一絕緣層上依次形成第二金屬層和第二絕緣層，所述第二金屬層包括源極電極和漏極電極。
2.根據(jù)權利要求1所述的高透過率薄膜晶體管制備方法，其特征在于，所述步驟(2)包括如下步驟：
(21)采用曝光工藝在存儲電容位置形成CS過孔；
(22)采用干法蝕刻對CS過孔處的第一絕緣層進行半蝕刻。
3.根據(jù)權利要求2所述的高透過率薄膜晶體管制備方法，其特征在于，步驟(22)中對CS過孔處的第一絕緣層進行半蝕刻，蝕刻掉的厚度為第一絕緣層原厚度的10％-90％。