本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種陣列基板及其制備方法、顯示面板及其制備方法。

背景技術(shù)：

液晶顯示器(Liquid Crystal Display，簡稱LCD)具有體積小、功耗低、無輻射等優(yōu)點(diǎn)，在顯示領(lǐng)域中占據(jù)了主導(dǎo)地位。

液晶顯示器中的液晶顯示面板包括陣列基板、對盒基板以為位于二者之間的液晶層。

目前，一種結(jié)構(gòu)的陣列基板，其制備方法需要經(jīng)過六次采用掩模板的構(gòu)圖工藝，具體為：通過第一次構(gòu)圖工藝形成柵極和柵線；通過第二次構(gòu)圖工藝形成有源層、源極和漏極、以及數(shù)據(jù)線；通過第三次構(gòu)圖工藝形成第一鈍化層和有機(jī)絕緣層；通過第四次溝通工藝形成第一電極；通過第四次溝通工藝形成第二鈍化層；通過第五次構(gòu)圖工藝形成第二電極；其中，第一電極和第二電極互為像素電極和公共電極。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的實(shí)施例提供一種陣列基板及其制備方法、顯示面板及其制備方法，可減少構(gòu)圖工藝次數(shù)，降低成本。

為達(dá)到上述目的，本發(fā)明的實(shí)施例采用如下技術(shù)方案：

第一方面，提供一種陣列基板的制備方法，包括：在襯底上通過一次構(gòu)圖工藝形成柵金屬層；在形成有所述柵金屬層和柵絕緣層的襯底上，通過一次構(gòu)圖工藝形成半導(dǎo)體層和源漏金屬層；所述源漏金屬層包括數(shù)據(jù)線和與所述數(shù)據(jù)線連接的金屬電極；在形成有所述半導(dǎo)體層和源漏金屬層的襯底上，通過一次構(gòu)圖工藝形成第一電極，并形成溝道區(qū)，所述溝道區(qū)使所述金屬電極形成源極和漏極；在形成有所述第一電極的襯底上，通過一次構(gòu)圖工藝形成鈍化層和有機(jī)絕緣層；所述有機(jī)絕緣層至少與所述數(shù)據(jù)線對應(yīng)；在形成有所述有機(jī)絕緣層的襯底上，通過一次構(gòu)圖工藝形成第二電極。

優(yōu)選的，所述第一電極和所述第二電極均為透明電極。

可選的，所述第一電極為公共電極；所述第二電極為像素電極；所述像素電極至少通過設(shè)置在所述鈍化層上的過孔與所述漏極電連接；或者，所述第一電極為像素電極；所述像素電極與所述漏極直接相連；所述第二電極為公共電極。

優(yōu)選的，所述半導(dǎo)體層和所述源漏金屬層的圖案形狀相同；通過一次構(gòu)圖工藝形成第一電極，并形成溝道區(qū)，包括：在形成有所述半導(dǎo)體層和所述源漏金屬層的襯底上形成導(dǎo)電薄膜，并形成光刻膠；采用普通掩模板對所述光刻膠進(jìn)行曝光，顯影后形成光刻膠保留圖案，所述光刻膠保留圖案與待形成的所述第一電極、待形成的所述源極和所述漏極、以及所述數(shù)據(jù)線對應(yīng)；采用刻蝕工藝對基板進(jìn)行刻蝕，使所述金屬電極形成所述源極和所述漏極，并形成所述第一電極，同時(shí)形成位于所述數(shù)據(jù)線、所述源極和所述漏極上方的保留圖案。

進(jìn)一步，優(yōu)選的，所述半導(dǎo)體層包括a-si層和n⁺a-si層；采用刻蝕工藝對基板進(jìn)行刻蝕，使所述金屬電極形成所述源極和所述漏極，包括：采用刻蝕工藝對基板進(jìn)行刻蝕，使所述金屬電極形成所述源極和所述漏極，使所述n⁺a-si層形成歐姆接觸層。

可選的，所述有機(jī)絕緣層與所述數(shù)據(jù)線、所述源極和所述漏極、以及所述溝道區(qū)對應(yīng)。

進(jìn)一步優(yōu)選的，所述鈍化層的厚度為所述有機(jī)絕緣層的厚度為1.5～2.2μm。

可選的，所述有機(jī)絕緣層平鋪于所述襯底上；所述有機(jī)絕緣層包括第一部分和第二部分；所述第一部分與所述數(shù)據(jù)線、所述源極和所述漏極、以及所述溝道區(qū)對應(yīng)；所述第二部分對應(yīng)其他區(qū)域；所述第一部分的厚度為1.8～2.7μm，所述第二部分的厚度為所述鈍化層的厚度為

進(jìn)一步優(yōu)選的，在所述第一電極為公共電極，所述第二電極為像素電極的情況下，通過一次構(gòu)圖工藝形成鈍化層和有機(jī)絕緣層，包括：在形成有所述第一電極的襯底上，依次形成鈍化薄膜和感光樹脂薄膜；采用半色調(diào)掩模板對所述感光樹脂薄膜進(jìn)行曝光，形成感光樹脂完全保留部分、感光樹脂半保留部分和完全去除部分；所述感光樹脂完全保留部分與所述數(shù)據(jù)線、所述源極和所述漏極、以及所述溝道區(qū)對應(yīng)；所述完全去除部分與待形成的露出所述漏極的過孔對應(yīng)；所述感光樹脂半保留部分與其他區(qū)域?qū)?yīng)；采用刻蝕工藝對所述鈍化薄膜進(jìn)行刻蝕，形成包括過孔的鈍化層，所述過孔露出所述漏極；采用灰化工藝對所述感光樹脂完全保留部分和所述感光樹脂半保留部分進(jìn)行灰化，形成所述有機(jī)絕緣層。

進(jìn)一步的，所述感光樹脂完全保留部分的厚度為2.0～3.0μm；所述感光樹脂半保留部分的厚度為

第二方面，提供一種顯示面板的制備方法，包括第一方面所述陣列基板的制備方法。

第三方面，提供一種陣列基板，包括：襯底、依次設(shè)置在所述襯底上的包括柵極的柵金屬層、柵絕緣層、半導(dǎo)體層、源極、漏極和數(shù)據(jù)線，所述源極和所述漏極之間形成溝道區(qū)，所述陣列基板還包括與所述源極和所述漏極分別對應(yīng)且接觸的保留圖案、與所述保留圖案同層的第一電極、依次設(shè)置在所述第一電極遠(yuǎn)離所述襯底一側(cè)的鈍化層、有機(jī)絕緣層和第二電極；其中，所述有機(jī)絕緣層至少與所述數(shù)據(jù)線對應(yīng)。

優(yōu)選的，所述第一電極和所述第二電極均為透明電極。

可選的，所述第一電極為公共電極；所述第二電極為像素電極；所述像素電極至少通過設(shè)置在所述鈍化層上的過孔與所述漏極電連接；或者，所述第一電極為像素電極；所述像素電極與所述漏極直接相連；所述第二電極為公共電極。

可選的，所述有機(jī)絕緣層與所述數(shù)據(jù)線、所述源極和所述漏極、以及所述溝道區(qū)對應(yīng)。

進(jìn)一步優(yōu)選的，所述鈍化層的厚度為所述有機(jī)絕緣層的厚度為1.5～2.2μm。

可選的，所述有機(jī)絕緣層平鋪于所述襯底上；所述有機(jī)絕緣層包括第一部分和第二部分；所述第一部分與所述數(shù)據(jù)線、所述源極和所述漏極、以及所述溝道區(qū)對應(yīng)；所述第二部分對應(yīng)其他區(qū)域；所述第一部分的厚度為1.8～2.7μm，所述第二部分的厚度為所述鈍化層的厚度為

基于上述，優(yōu)選的，所述半導(dǎo)體層包括a-si層和歐姆接觸層。

第四方面，提供一種顯示面板，包括第三方面所述的陣列基板。

本發(fā)明實(shí)施例提供一種陣列基板及其制備方法、顯示面板及其制備方法，通過第一次構(gòu)圖工藝形成包括柵極的柵金屬層，通過第二次構(gòu)圖工藝形成半導(dǎo)體層和包括數(shù)據(jù)線和金屬電極的源漏金屬層，通過第三次構(gòu)圖工藝形成第一電極，并形成溝道區(qū)；通過第四次構(gòu)圖工藝形成鈍化層和有機(jī)絕緣層；通過第五次構(gòu)圖工藝形成第二電極，相對現(xiàn)有技術(shù)中的六次構(gòu)圖工藝可減少一次構(gòu)圖工藝次數(shù)，因而可以降低成本。

附圖說明

為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

圖1(a)為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種陣列基板制備方法的流程示意圖一；

圖1(b)為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種陣列基板制備方法的流程示意圖二；

圖2(a)為本發(fā)明實(shí)施列提供的一種在襯底上形成柵金屬層、半導(dǎo)體層和源漏金屬層的俯視示意圖；

圖2(b)為圖2(a)的AA′向剖視示意圖；

圖3(a)為在圖2(a)的基礎(chǔ)上形成第一電極、保留圖案以及溝道區(qū)的俯視示意圖一；

圖3(b)為圖3(a)的BB′向剖視示意圖一；

圖3(c)為圖3(a)的BB′向剖視示意圖二；

圖4(a)～4(c)為本發(fā)明實(shí)施列提供的一種形成第一電極、保留圖案以及溝道區(qū)的過程示意圖；

圖5(a)為在圖3(a)的基礎(chǔ)上形成鈍化層和有機(jī)絕緣層的俯視示意圖一；

圖5(b)為圖5(a)的CC′向剖視示意圖；

圖5(c)為在圖3(a)的基礎(chǔ)上形成鈍化層和有機(jī)絕緣層的俯視示意圖二；

圖5(d)為圖5(c)的DD′向剖視示意圖；

圖6(a)為在圖3(a)的基礎(chǔ)上形成鈍化層和有機(jī)絕緣層的俯視示意圖三；

圖6(b)為圖6(a)的EE′向剖視示意圖；

圖7(a)～7(c)為本發(fā)明實(shí)施列提供的一種形成鈍化層和有機(jī)絕緣層的過程示意圖；

圖8(a)為在圖5(c)或圖6(a)的基礎(chǔ)上形成第二電極的俯視示意圖；

圖8(b)為圖8(a)的FF′向剖視示意圖一；

圖8(c)為圖8(a)的FF′向剖視示意圖二；

圖9(a)為在圖2(a)的基礎(chǔ)上形成第一電極、保留圖案以及溝道區(qū)的俯視示意圖二；

圖9(b)為圖9(a)的GG′向剖視示意圖；

圖10(a)為在圖9(b)的基礎(chǔ)上形成鈍化層和有機(jī)絕緣層的示意圖一；

圖10(b)為在圖9(b)的基礎(chǔ)上形成鈍化層和有機(jī)絕緣層的示意圖二；

圖10(c)為在圖9(b)的基礎(chǔ)上形成鈍化層和有機(jī)絕緣層的示意圖三；

圖11為在圖10(c)的基礎(chǔ)上形成第二電極的示意圖。

附圖標(biāo)記：

01-襯底；02-普通掩模板；03-半色調(diào)掩模板；10-柵金屬層；101-柵極；102-柵線；11-柵絕緣層；12-半導(dǎo)體層；121-a-si層；122-歐姆接觸層；13-源漏金屬層；131-數(shù)據(jù)線；132-金屬電極；1321-源極；1322-漏極；14-導(dǎo)電薄膜；141-第一電極；142-保留圖案；15-光刻膠；151-光刻膠保留圖案；16-鈍化薄膜；161-鈍化層；162-過孔；17-感光樹脂薄膜；171-有機(jī)絕緣層；172-感光樹脂完全保留部分；173-感光樹脂半保留部分；174-完全去除部分；18-第二電極。

具體實(shí)施方式

下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例。基于本發(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。

本發(fā)明實(shí)施例提供一種陣列基板的制備方法，包括在襯底上通過一次構(gòu)圖工藝形成柵金屬層；在形成有所述柵金屬層和柵絕緣層的襯底上，通過一次構(gòu)圖工藝形成半導(dǎo)體層和源漏金屬層；所述源漏金屬層包括數(shù)據(jù)線和與所述數(shù)據(jù)線連接的金屬電極；在形成有所述半導(dǎo)體層和源漏金屬層的襯底上，通過一次構(gòu)圖工藝形成第一電極，并形成溝道區(qū)，所述溝道區(qū)使所述金屬電極形成源極和漏極；在形成有第一電極的襯底上，通過一次構(gòu)圖工藝形成鈍化層和有機(jī)絕緣層；所述有機(jī)絕緣層至少與所述數(shù)據(jù)線對應(yīng)；在形成有所述有機(jī)絕緣層的襯底上，通過一次構(gòu)圖工藝形成第二電極。

需要說明的是，第一，柵金屬層可以包括柵極、柵線。在形成柵金屬層后，形成半導(dǎo)體層之間，還形成柵絕緣層。

第二，不對半導(dǎo)體層的材料進(jìn)行限定，所述半導(dǎo)體層可以為有機(jī)半導(dǎo)層，也可以為金屬氧化物半導(dǎo)體層，當(dāng)然還可以包括a-si(非晶硅)層和n+a-si層等。

第三，在形成溝道區(qū)時(shí)，可根據(jù)半導(dǎo)體層的材料不同，選擇是否對相應(yīng)的半導(dǎo)體層進(jìn)行刻蝕，例如，當(dāng)半導(dǎo)體層包括a-si層和n+a-si層時(shí)，則需要對n+a-si層進(jìn)行刻蝕，a-si層也可適當(dāng)進(jìn)行過刻。

第四，有機(jī)絕緣層至少與數(shù)據(jù)線對應(yīng)，一種情況為有機(jī)絕緣層僅與數(shù)據(jù)線對應(yīng)，另一種情況為有機(jī)絕緣層不僅與數(shù)據(jù)線對應(yīng)，還與其他區(qū)域?qū)?yīng)。

本發(fā)明實(shí)施例提供一種陣列基板的制備方法，通過第一次構(gòu)圖工藝形成包括柵極的柵金屬層，通過第二次構(gòu)圖工藝形成半導(dǎo)體層和包括數(shù)據(jù)線和金屬電極的源漏金屬層，通過第三次構(gòu)圖工藝形成第一電極，并形成溝道區(qū)；通過第四次構(gòu)圖工藝形成鈍化層和有機(jī)絕緣層；通過第五次構(gòu)圖工藝形成第二電極，相對現(xiàn)有技術(shù)中的六次構(gòu)圖工藝可減少一次構(gòu)圖工藝次數(shù)，因而可以降低成本。

可選的，所述第一電極和所述第二電極均為透明電極。

進(jìn)一步可選的，所述第一電極為公共電極；所述第二電極為像素電極；所述像素電極至少通過設(shè)置在所述鈍化層上的過孔與所述漏極電連接。

或者，所述第一電極為像素電極；所述像素電極與所述漏極直接相連；所述第二電極為公共電極。

實(shí)施例一，如圖1(a)所示，提供一種陣列基板的制備方法，包括如下步驟：

S10、如圖2(a)和圖2(b)所示，在襯底01上通過一次構(gòu)圖工藝形成包括柵極101和柵線102的柵金屬層10。

具體的，可先在襯底01上制備一層金屬薄膜。金屬材料通?？梢圆捎勉f、鋁、鋁鎳合金、鉬鎢合金、鉻、或銅等金屬，也可以使用上述幾種材料薄膜的組合結(jié)構(gòu)。然后，采用普通掩模板通過曝光、顯影、刻蝕、剝離等構(gòu)圖工藝處理，在襯底01上形成柵極101和柵線102。

S11、如圖2(b)所示，在S10的基礎(chǔ)上，形成柵絕緣層11。

具體的，可先在形成有柵極101的襯底01上制備絕緣薄膜，形成柵絕緣層11。柵絕緣層11的材料通常是氮化硅，也可以使用氧化硅和氮氧化硅等。

S12、如圖2(a)和圖2(b)所示，在S11的基礎(chǔ)上，通過一次構(gòu)圖工藝形成半導(dǎo)體層12和源漏金屬層13；半導(dǎo)體層12和源漏金屬層13的圖案形狀相同；源漏金屬層13包括數(shù)據(jù)線131和與數(shù)據(jù)線131連接的金屬電極132。

具體的，可以先在柵絕緣層11上依次形成半導(dǎo)體薄膜和金屬薄膜，并形成光刻膠；之后，采用普通掩模板對所述光刻膠進(jìn)行曝光、顯影，刻蝕后形成所述半導(dǎo)體層12和源漏金屬層13。

其中，金屬薄膜的材料通?？梢圆捎勉f、鋁、鋁鎳合金、鉬鎢合金、鉻、或銅等金屬，也可以使用上述幾種材料薄膜的組合結(jié)構(gòu)。半導(dǎo)體薄膜根據(jù)具體要形成薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)而定，可以為一層，也可以為兩層。

S13、如圖3(a)和圖3(b)所示，在S12的基礎(chǔ)上，通過一次構(gòu)圖工藝形成第一電極141，并形成溝道區(qū)，所述溝道區(qū)使金屬電極132形成源極1321和漏極1322；第一電極141為公共電極。

具體的，如圖4(a)所示，可以先在形成有源漏金屬層13的基板上形成導(dǎo)電薄膜14，導(dǎo)電薄膜14的材料可以采用ITO(Indium Tin Oxides，銦錫氧化物)或IZO(Indium Zinc Oxide，銦鋅氧化物)等，并形成光刻膠15。之后，采用普通掩模板02對光刻膠15進(jìn)行曝光，顯影后，如圖4(b)所示，形成光刻膠保留圖案151，光刻膠保留圖案151與待形成的第一電極141、待形成的源極和漏極、以及數(shù)據(jù)線131對應(yīng)。之后，如圖4(c)所示，采用刻蝕工藝對基板進(jìn)行刻蝕，使所述金屬電極132形成源極1321和漏極1322，并形成第一電極141，同時(shí)形成位于數(shù)據(jù)線131、源極1321和漏極1322上方的保留圖案142。最后，將光刻膠保留圖案151去除，形成如圖3(b)所示的結(jié)構(gòu)。

其中，如圖3(c)所示，在半導(dǎo)體層12包括a-si層121和n+a-si層的情況下，可在刻蝕形成源極1321和漏極1322的同時(shí)，繼續(xù)對n+a-si層進(jìn)行刻蝕，使n+a-si層形成歐姆接觸層122。

此處，在形成歐姆接觸層122時(shí)，可適當(dāng)?shù)膶-si層121進(jìn)行過刻，以避免a-si層121表面附著的導(dǎo)電離子滲入溝道中，影響薄膜晶體管的性能。此時(shí)，薄膜晶體管包括：柵極101、柵絕緣層11、a-si層121、歐姆接觸層122、源極1321和漏極1322。

S14、如圖5(a)～5(d)、以及圖6(a)和圖6(b)所示，在S13的基礎(chǔ)上，通過一次構(gòu)圖工藝形成鈍化層161和有機(jī)絕緣層171；有機(jī)絕緣層171至少與數(shù)據(jù)線131對應(yīng)。

此處，有機(jī)絕緣層171優(yōu)選為有機(jī)樹脂層。進(jìn)一步優(yōu)選的，有機(jī)絕緣層171的材料為感光樹脂材料。

具體的，分如下三種情況具體進(jìn)行說明：

第一種情況：如圖5(a)和圖5(b)所示，有機(jī)絕緣層171可以僅與數(shù)據(jù)線131對應(yīng)?；诖?，優(yōu)選的，鈍化層161的厚度為有機(jī)絕緣層171的厚度為1.5～2.2μm。

在此情況下，所述陣列基板可應(yīng)用在高Cst(存儲電容)的產(chǎn)品中。例如，在高分辨率的產(chǎn)品中，像素面積變小，導(dǎo)致Cst變小，而Vop(驅(qū)動(dòng)電壓)與Cst有相關(guān)性，需要符合產(chǎn)品規(guī)格進(jìn)行最佳設(shè)計(jì)，而本發(fā)明實(shí)施例通過在像素區(qū)域不形成有機(jī)絕緣層且使鈍化層161的厚度為可提高Cst，從而使Vop也滿足設(shè)計(jì)要求，因而可適用于高分辨率的產(chǎn)品中。此外，將鈍化層161的厚度設(shè)置為還可避免公共電極與像素電極發(fā)生短路。

第二種情況：如圖5(c)和圖5(d)所示，有機(jī)絕緣層171可以與數(shù)據(jù)線131、源極1321和漏極1322、以及溝道區(qū)對應(yīng)，即有機(jī)絕緣層171不僅與數(shù)據(jù)線131對應(yīng)，還與薄膜晶體管對應(yīng)?；诖耍瑑?yōu)選的，鈍化層161的厚度為有機(jī)絕緣層171的厚度為1.5～2.2μm。

在此情況下，所述陣列基板可應(yīng)用在高Cst的產(chǎn)品中。

第三種情況：如圖6(a)和圖6(b)所示，有機(jī)絕緣層171平鋪于襯底01上。此時(shí)，有機(jī)絕緣層171可以包括第一部分和第二部分；第一部分與數(shù)據(jù)線131、源極1321和漏極1322、以及溝道區(qū)對應(yīng)；第二部分對應(yīng)其他區(qū)域。其中，第一部分的厚度大于第二部分的厚度，這是因?yàn)榈诙糠值暮穸热籼?，則會導(dǎo)致陣列基板的存儲電容Cst太小。

基于此，優(yōu)選的，所述第一部分的厚度為1.8～2.7μm，所述第二部分的厚度為所述鈍化層的厚度為

在此情況下，所述陣列基板可應(yīng)用在減少Cst的產(chǎn)品中。例如，在低分辨率的產(chǎn)品例如TV(Television，電視機(jī))產(chǎn)品中，像素面積變大，Cst變的過大，因而，本發(fā)明實(shí)施例通過在像素區(qū)域形成有機(jī)絕緣層171且使鈍化層161的厚度為可降低Cst。此外，在像素區(qū)域也形成有機(jī)絕緣層171，可使陣列基板整體更趨于平坦。

其中，針對圖5(c)和5(d)所示的情況，如圖7(a)所示，可以先在形成有第一電極141和保留圖案142的基板上，形成鈍化薄膜16，并形成感光樹脂薄膜17。之后，采用半色調(diào)掩模板03對感光樹脂薄膜17進(jìn)行曝光，顯影后，如圖7(b)所示，形成感光樹脂完全保留部分172、感光樹脂半保留部分173和完全去除部分174；感光樹脂完全保留部分172與數(shù)據(jù)線131、源極1321和漏極1322、以及所述溝道區(qū)對應(yīng)；完全去除部分174與待形成的露出漏極1322的過孔對應(yīng)；所述感光樹脂半保留部分與其他區(qū)域?qū)?yīng)。如圖7(c)所示，采用刻蝕工藝對鈍化薄膜16進(jìn)行刻蝕，形成包括過孔162的鈍化層161。然后，可采用灰化工藝將感光樹脂半保留部分173去除，由于感光樹脂完全保留部分172的厚度大于感光樹脂半保留部分173的厚度，因而感光樹脂完全保留部分172的部分厚度被保留，形成如圖5(d)所示的有機(jī)絕緣層171。

優(yōu)選的，感光樹脂完全保留部分172的厚度為2.0～3.0μm；感光樹脂半保留部分173的厚度為這樣，一方面，可使有機(jī)絕緣層171與數(shù)據(jù)線131對應(yīng)的部分滿足產(chǎn)品設(shè)計(jì)要求，另一方面，當(dāng)感光樹脂半保留部分173的部分厚度保留下來時(shí)，也可滿足產(chǎn)品設(shè)計(jì)要求。

針對圖5(a)和5(b)所示的情況，與上述過程類似，只是感光樹脂完全保留部分172僅與數(shù)據(jù)線131對應(yīng)。

針對如圖6(a)和圖6(b)所示的情況，與上述過程類似，只是在灰化工藝時(shí)，可不將感光樹脂完全保留部分172去除，而僅去除部分厚度，從而形成如圖6(b)所示的有機(jī)絕緣層171。

S15、如圖8(a)和圖8(b)以及圖8(c)所示，在S14的基礎(chǔ)上，形成第二電極18，第二電極18為像素電極，第二電極18通過露出漏極1322的過孔162與漏極1322電連接。

具體的，可以在形成有有機(jī)絕緣層171的基板上形成透明導(dǎo)電薄膜，然后，用普通掩膜板通過曝光、顯影、刻蝕、剝離等構(gòu)圖工藝處理，形成所述第二電極18。

實(shí)施例二，如圖1(b)所示，提供一種陣列基板的制備方法，包括如下步驟：

S20、如圖2(a)和圖2(b)所示，在襯底01上通過一次構(gòu)圖工藝形成包括柵極101和柵線102的柵金屬層10。

S21、如圖2(b)所示，在S10的基礎(chǔ)上，形成柵絕緣層11。

S22、如圖2(a)和圖2(b)所示，在S11的基礎(chǔ)上，通過一次構(gòu)圖工藝形成半導(dǎo)體層12和源漏金屬層13；半導(dǎo)體層12和源漏金屬層13的圖案形狀相同；源漏金屬層13包括數(shù)據(jù)線131和與數(shù)據(jù)線131連接的金屬電極132。

S23、如圖9(a)和圖9(b)所示，在S22的基礎(chǔ)上，通過一次構(gòu)圖工藝形成第一電極141，并形成溝道區(qū)，所述溝道區(qū)使金屬電極132形成源極1321和漏極1322；第一電極141為像素電極。

此處，在形成第一電極141的同時(shí)，還形成位于數(shù)據(jù)線131、源極1321和漏極1322上方的保留圖案142，位于漏極1322上方的保留圖案142與第一電極141相連。

如圖9(b)所示，在半導(dǎo)體層12包括a-si層121和n+a-si層的情況下，可在刻蝕形成源極1321和漏極1322的同時(shí)，繼續(xù)對n+a-si層進(jìn)行刻蝕，使n+a-si層形成歐姆接觸層122。

其中，在形成歐姆接觸層122時(shí)，可適當(dāng)?shù)膶-si層121進(jìn)行過刻，以避免a-si層121表面附著的導(dǎo)電離子滲入溝道中，影響薄膜晶體管的性能。此時(shí)，薄膜晶體管包括：柵極101、柵絕緣層11、a-si層121、歐姆接觸層122、源極1321和漏極1322。

S24、如圖10(a)～10(c)所示，在S23的基礎(chǔ)上，通過一次構(gòu)圖工藝形成鈍化層161和有機(jī)絕緣層171；有機(jī)絕緣層171至少與數(shù)據(jù)線131對應(yīng)。

此處，有機(jī)絕緣層171優(yōu)選為有機(jī)樹脂層。進(jìn)一步優(yōu)選的，有機(jī)絕緣層171的材料為感光樹脂材料。

具體的，分如下三種情況具體進(jìn)行說明：

第一種情況：如圖10(a)所示，有機(jī)絕緣層171可以僅與數(shù)據(jù)線131對應(yīng)?；诖?，優(yōu)選的，鈍化層161的厚度為有機(jī)絕緣層171的厚度為1.5～2.2μm。

在此情況下，所述陣列基板可應(yīng)用在高Cst的產(chǎn)品中。例如，在高分辨率的產(chǎn)品中，像素面積變小，導(dǎo)致Cst變小，而Vop與Cst有相關(guān)性，需要符合產(chǎn)品規(guī)格進(jìn)行最佳設(shè)計(jì)，而本發(fā)明實(shí)施例通過在像素區(qū)域不形成有機(jī)絕緣層且使鈍化層161的厚度為可提高Cst，從而使Vop也滿足設(shè)計(jì)要求，因而可適用于高分辨率的產(chǎn)品中。此外，將鈍化層161的厚度設(shè)置為還可避免公共電極與像素電極發(fā)生短路。

第二種情況：如圖10(b)所示，有機(jī)絕緣層171可以與數(shù)據(jù)線131、源極1321和漏極1322、以及溝道區(qū)對應(yīng)，即有機(jī)絕緣層171不僅與數(shù)據(jù)線131對應(yīng)，還與薄膜晶體管對應(yīng)?；诖耍瑑?yōu)選的，鈍化層161的厚度為有機(jī)絕緣層171的厚度為1.5～2.2μm。

在此情況下，所述陣列基板可應(yīng)用在高Cst的產(chǎn)品中。

第三種情況：如圖10(c)所示，有機(jī)絕緣層171平鋪于襯底01上。此時(shí)，有機(jī)絕緣層171可以包括第一部分和第二部分；第一部分與數(shù)據(jù)線131、源極1321和漏極1322、以及溝道區(qū)對應(yīng)；第二部分對應(yīng)其他區(qū)域。其中，第一部分的厚度大于第二部分的厚度，這是因?yàn)榈诙糠值暮穸热籼?，則會導(dǎo)致陣列基板的存儲電容Cst太小。

基于此，優(yōu)選的，第一部分的厚度為1.8～2.7μm，第二部分的厚度為鈍化層161的厚度為

在此情況下，所述陣列基板可應(yīng)用在減少Cst的產(chǎn)品中。例如，在低分辨率的產(chǎn)品例如TV產(chǎn)品中，像素面積變大，Cst變的過大，因而，本發(fā)明實(shí)施例通過在像素區(qū)域形成有機(jī)絕緣層171且使鈍化層161的厚度為可降低Cst。此外，在像素區(qū)域也形成有機(jī)絕緣層171，可使陣列基板整體更趨于平坦。

S25、如圖11所示，在S24的基礎(chǔ)上，形成第二電極18，第二電極18為公共電極。

本發(fā)明實(shí)施還提供一種顯示面板的制備方法，包括上述陣列基板的制備方法。

本發(fā)明實(shí)施例提供一種顯示面板的制備方法，其中在制備陣列基板時(shí)，可通過第一次構(gòu)圖工藝形成包括柵極的柵金屬層，通過第二次構(gòu)圖工藝形成半導(dǎo)體層和包括數(shù)據(jù)線和金屬電極的源漏金屬層，通過第三次構(gòu)圖工藝形成第一電極，并形成溝道區(qū)；通過第四次構(gòu)圖工藝形成鈍化層和有機(jī)絕緣層；通過第五次構(gòu)圖工藝形成第二電極，相對現(xiàn)有技術(shù)中的六次構(gòu)圖工藝可減少一次構(gòu)圖工藝次數(shù)，因而可以降低成本。

本發(fā)明實(shí)施例還提供一種陣列基板，如圖8(b)、圖8(c)和圖11所示，包括：襯底01、依次設(shè)置在襯底01上的包括柵極101的柵金屬層、柵絕緣層11、半導(dǎo)體層、源極1321、漏極1322和數(shù)據(jù)線131，源極1321和漏極1322之間形成溝道區(qū)，所述陣列基板還包括與源極1321和漏極1322分別對應(yīng)且接觸的保留圖案142、與所述保留圖案142同層的第一電極141、依次設(shè)置在所述第一電極141遠(yuǎn)離襯底01一側(cè)的鈍化層161、有機(jī)絕緣層171和第二電極18；其中，有機(jī)絕緣層171至少與數(shù)據(jù)線131對應(yīng)。

可選的，所述半導(dǎo)體層包括a-si層121和歐姆接觸層122。

此時(shí)，薄膜晶體管包括：柵極101、柵絕緣層11、a-si層121、歐姆接觸層122、源極1321和漏極1322。

可選的，所述第一電極141和所述第二電極18均為透明電極。

進(jìn)一步可選的，如圖8(b)和圖8(c)所示，第一電極141為公共電極；第二電極18為像素電極；像素電極至少通過設(shè)置在鈍化層161上的過孔162與漏極1322電連接。

或者，如圖11所示，第一電極141為像素電極；像素電極與漏極1322直接相連；第二電極18為公共電極。

基于上述，可選的，如圖8(c)所示，有機(jī)絕緣層171與數(shù)據(jù)線131、源極1321和漏極1322、以及所述溝道區(qū)對應(yīng)。此時(shí)，像素電極通過設(shè)置在鈍化層161上的過孔162與漏極1322電連接。

基于此，優(yōu)選的，鈍化層161的厚度為有機(jī)絕緣層171的厚度為1.5～2.2μm。

在此情況下，所述陣列基板可應(yīng)用在高Cst的產(chǎn)品中。例如，在高分辨率的產(chǎn)品中，像素面積變小，導(dǎo)致Cst變小，而Vop與Cst有相關(guān)性，需要符合產(chǎn)品規(guī)格進(jìn)行最佳設(shè)計(jì)，而本發(fā)明實(shí)施例通過在像素區(qū)域不形成有機(jī)絕緣層且使鈍化層161的厚度為可提高Cst，從而使Vop也滿足設(shè)計(jì)要求，因而可適用于高分辨率的產(chǎn)品中。此外，將鈍化層161的厚度設(shè)置為還可避免公共電極與像素電極發(fā)生短路。

當(dāng)然，參考圖5(a)和圖5(b)所示，有機(jī)絕緣層171可以僅與數(shù)據(jù)線131對應(yīng)。

如圖8(b)所示，有機(jī)絕緣層171平鋪于襯底01上。有機(jī)絕緣層171可以包括第一部分和第二部分；第一部分與數(shù)據(jù)線131、源極1321和漏極1322、以及溝道區(qū)對應(yīng)；第二部分對應(yīng)其他區(qū)域。此時(shí)，像素電極通過設(shè)置在鈍化層161和有機(jī)絕緣層171上的過孔162與漏極1322電連接。

基于此，優(yōu)選的，所述第一部分的厚度為1.8～2.7μm，所述第二部分的厚度為所述鈍化層的厚度為

在此情況下，所述陣列基板可應(yīng)用在減少Cst的產(chǎn)品中。例如，在低分辨率的產(chǎn)品例如TV產(chǎn)品中，像素面積變大，Cst變的過大，因而，本發(fā)明實(shí)施例通過在像素區(qū)域形成有機(jī)絕緣層171且使鈍化層161的厚度為可降低Cst。此外，在像素區(qū)域也形成有機(jī)絕緣層171，可使陣列基板整體更趨于平坦。

本發(fā)明實(shí)施例提供一種陣列基板，可通過第一次構(gòu)圖工藝形成包括柵極的柵金屬層，通過第二次構(gòu)圖工藝形成半導(dǎo)體層和包括數(shù)據(jù)線和金屬電極的源漏金屬層，通過第三次構(gòu)圖工藝形成第一電極，并形成溝道區(qū)；通過第四次構(gòu)圖工藝形成鈍化層和有機(jī)絕緣層；通過第五次構(gòu)圖工藝形成第二電極，相對現(xiàn)有技術(shù)中的六次構(gòu)圖工藝可減少一次構(gòu)圖工藝次數(shù)，因而可以降低成本。

本發(fā)明實(shí)施例還提供一種顯示面板，其包括上述的陣列基板。

所述顯示面板具體可以為液晶顯示面板。

進(jìn)一步的，本發(fā)明實(shí)施例還提供一種顯示裝置，所述顯示裝置可以為手機(jī)、平板電腦、電視機(jī)、顯示器、筆記本電腦、數(shù)碼相框、導(dǎo)航儀等任何具有顯示功能的產(chǎn)品或部件。

以上所述，僅為本發(fā)明的具體實(shí)施方式，但本發(fā)明的保護(hù)范圍并不局限于此，任何熟悉本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員在本發(fā)明揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到變化或替換，都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。因此，本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)以所述權(quán)利要求的保護(hù)范圍為準(zhǔn)。