技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開了一種外延片生產(chǎn)方法。所述外延片生產(chǎn)方法包括步驟：提供襯底本體；提供本征硅層，將所述本征硅層鋪設(shè)在所述襯底本體的上表面上；提供外延層，將所述外延層鋪設(shè)在所述本征硅層的上表面。本發(fā)明襯底通過在襯底本體的上表面設(shè)置本征硅層，可將襯底本體與外延層隔開，從而避免襯底本體與外延層之間產(chǎn)生自摻雜問題。因而，所述襯底能夠防止襯底本體中的摻雜劑進入外延層，可提高外延層平坦區(qū)以改善電阻率均勻性。

技術(shù)研發(fā)人員：顧廣安
受保護的技術(shù)使用者：上海晶盟硅材料有限公司
文檔號碼：201610917878
技術(shù)研發(fā)日：2016.10.21
技術(shù)公布日：2017.03.15