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外延片生產(chǎn)方法與流程技術(shù)資料下載

技術(shù)編號(hào):12129275

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本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體器件的生產(chǎn)方法,特別是一種外延片生產(chǎn)方法。背景技術(shù)對(duì)于半導(dǎo)體器件來(lái)說(shuō),譬如絕緣柵雙極型晶體管(InsulatedGateBipolarTransistor,簡(jiǎn)稱IGBT),需要外延層具有較高質(zhì)量的晶體結(jié)構(gòu),而且對(duì)外延層的厚度、導(dǎo)電類型、電阻率及電阻均勻性等方面均有一定的要求。而半導(dǎo)體的電阻率一般隨著溫度、摻雜濃度、磁場(chǎng)強(qiáng)度及光照強(qiáng)度等因素的變化而改變。在半導(dǎo)體領(lǐng)域,電路與電子元件需要在外延片上制作完成,不同的應(yīng)用如MOS型中PMOS、NMOS、CMOS和雙極型中飽和型和非飽和...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。

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