技術(shù)總結(jié)
一種大電流絕緣體上硅橫向絕緣柵雙極型晶體管器件，包括：P型襯底，P型襯底上設(shè)埋氧，再設(shè)N型外延層且被隔離氧化層分隔成第一、二、三N型外延層，第三N型外延層上部設(shè)第二P型體區(qū)與N型緩沖層，第二P型體區(qū)內(nèi)設(shè)N型發(fā)射極與叉指型第二重?fù)诫sP區(qū)，第二P型體區(qū)上設(shè)柵氧化層、多晶硅柵極，N型緩沖層內(nèi)設(shè)P型集電極且作為器件的陽極，上方設(shè)陽極金屬層；第二N型外延層上部至少設(shè)2個(gè)第一P型體區(qū)并在其中分別設(shè)N型MOS管；第一N型外延層上部至少設(shè)2個(gè)串聯(lián)的二極管且相鄰二極管間設(shè)隔離氧化層；N型發(fā)射極與所有N型漏極連接，第二重?fù)诫sP區(qū)與串聯(lián)二極管的陽極連接，N型源極、第一重?fù)诫sP區(qū)及串聯(lián)二極管的陰極連接作為器件的陰極。

技術(shù)研發(fā)人員：祝靖;卞方娟;楊卓;吳汪然;宋慧濱;孫偉鋒;陸生禮;時(shí)龍興
受保護(hù)的技術(shù)使用者：東南大學(xué)
文檔號(hào)碼：201610911892
技術(shù)研發(fā)日：2016.10.19
技術(shù)公布日：2017.03.15