1.一種大電流絕緣體上硅橫向絕緣柵雙極型晶體管器件，包括：P型襯底(1)，在P型襯底(1)上設(shè)有埋氧(21)，在埋氧(21)上方設(shè)有N型外延層(3)，其特征在于，在N型外延層(3)內(nèi)設(shè)有隔離氧化層(22)且所述隔離氧化層(22)將N型外延層(3)分隔成第一N型外延層(31)、第二N型外延層(32)及第三N型外延層(33)，在第三N型外延層(33)上部設(shè)有第二P型體區(qū)(42)與N型緩沖層(7)，在所述第二P型體區(qū)(42)的上部設(shè)有，N型發(fā)射極(55)與第二重?fù)诫sP區(qū)(64)且所述第二重?fù)诫sP區(qū)(64)叉指延展并將N型發(fā)射極(55)分割成塊狀，在所述第二P型體區(qū)(42)上方設(shè)有柵氧化層(8)，并且柵氧化層(8)的一個(gè)邊界延伸至N型發(fā)射極(55)的上方，柵氧化層(8)的另一個(gè)邊界延伸至第三N型外延層(33)的上方，在柵氧化層(8)上方設(shè)有多晶硅柵極(9)，在所述N型緩沖層(7)的上部設(shè)有P型集電極(65)且所述P型集電極(65)作為器件的陽極，在P型集電極(65)上連接有陽極金屬層(103)；在第二N型外延層(32)的上部至少設(shè)有2個(gè)相互獨(dú)立的第一P型體區(qū)(41)，在各個(gè)第一P型體區(qū)(41)上分別設(shè)有N型MOS管，所述N型MOS管包括N型漏極(54)、N型源極(53)和第一重?fù)诫sP區(qū)(63)；在第一N型外延層(31)的上部至少設(shè)有2個(gè)串聯(lián)連接的二極管，相鄰二極管之間設(shè)有用于隔離二極管的隔離氧化層(22)且所述隔離氧化層(22)向下延伸至埋氧(21)；第二P型體區(qū)(42)內(nèi)的N型發(fā)射極(55)與第一P型體區(qū)(41)內(nèi)所有N型MOS管的N型漏極(54)連接；第二P型體區(qū)(42)內(nèi)的第二重?fù)诫sP區(qū)(64)與串聯(lián)連接的二極管中的首個(gè)二極管的陽極連接；N型MOS管的N型源極(53)及第一重?fù)诫sP區(qū)(63)與串聯(lián)連接的二極管中的末端二極管的陰極連接且末端二極管的陰極作為器件的陰極。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的大電流絕緣體上硅橫向絕緣柵雙極型晶體管器件，其特征在于，N型MOS管的N型漏極(54)位于第一P型體區(qū)(41)一側(cè)，N型源極(53)和第一重?fù)诫sP區(qū)(63)位于第一P型體區(qū)(41)另一側(cè)，在第一P型體區(qū)(41)的上表面上設(shè)有N型MOS管的柵氧化層，并且N型MOS管的柵氧化層的一端延伸至N型源極(53)的上表面，N型MOS管的柵氧化層的另一端延伸至N型漏極(54)的上表面，在N型MOS管的柵氧化層上設(shè)有N型MOS管的多晶硅柵極，在N型源極(53)和第一重?fù)诫sP區(qū)(63)上連接有金屬層(102)。