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技術(shù)編號：12129291

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本發(fā)明主要涉及功率半導(dǎo)體器件技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種大電流絕緣體上硅橫向絕緣柵雙極型晶體管器件，特別適用于單片集成功率芯片，智能功率模塊中。背景技術(shù)絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)是MOS柵器件結(jié)構(gòu)與雙極型晶體管結(jié)構(gòu)相結(jié)合進(jìn)化而成的復(fù)合型功率器件，同時具備MOS管與雙極型晶體管的特點，具有良好的通態(tài)電流和開關(guān)損耗之間的折中關(guān)系。絕緣體上硅橫向絕緣柵雙極型晶體管(SOI-LateralInsulatedGateBipolarTransistor，SOI-LIGBT)是一種典型的基于SOI工藝的器件，具...
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