技術(shù)總結(jié)
公開了一種存儲器件及其制造方法及包括該存儲器件的電子設(shè)備。存儲器件可以包括：襯底上向上延伸的多個第一柱狀有源區(qū)和多個第二柱狀有源區(qū)，分別排列為第一、第二陣列，每一第一柱狀有源區(qū)包括源/漏層和溝道層的交替堆疊，各第一柱狀有源區(qū)中相應的溝道層處于實質(zhì)上相同的平面上，且相應的源/漏層處于實質(zhì)上相同的平面上，每一第二柱狀有源區(qū)包括一體延伸的有源半導體層；位于各第二柱狀有源區(qū)下部的柱狀導電接觸部；繞各柱狀導電接觸部的外周形成的絕緣層；分別與溝道層所在的各平面處于實質(zhì)上相同的平面中且分別環(huán)繞相應平面上各溝道層的外周的多層第一存儲柵堆疊；環(huán)繞各第二柱狀有源區(qū)外周的多層第二存儲柵堆疊。

技術(shù)研發(fā)人員：朱慧瓏
受保護的技術(shù)使用者：中國科學院微電子研究所
文檔號碼：201610872345
技術(shù)研發(fā)日：2016.09.30
技術(shù)公布日：2016.11.23