1.一種低溫多晶硅薄膜的制備方法，其特征在于，所述低溫多晶硅薄膜的制備方法包括：
提供基板；
在所述基板上形成過渡層；
在所述過渡層中形成多個間隔開的功能區(qū)，每個功能區(qū)較其周圍的過渡層導(dǎo)熱性能差；
在所述過渡層上形成非晶硅薄膜；
采用準(zhǔn)分子激光退火工藝對所述非晶硅薄膜進(jìn)行晶化，得到低溫多晶硅薄膜。
2.如權(quán)利要求1所述的低溫多晶硅薄膜的制備方法，其特征在于，每個功能區(qū)包括致密區(qū)及位于所述致密區(qū)內(nèi)的空洞，其中，所述致密區(qū)的物質(zhì)密度較其周圍的過渡層的物質(zhì)密度高。
3.如權(quán)利要求2所述的低溫多晶硅薄膜的制備方法，其特征在于，多個功能區(qū)均勻的分布于所述過渡層中。
4.如權(quán)利要求2所述的低溫多晶硅薄膜的制備方法，其特征在于，每個功能區(qū)為球形結(jié)構(gòu)，每個功能區(qū)的直徑為200nm～400nm。
5.如權(quán)利要求4所述的低溫多晶硅薄膜的制備方法，其特征在于，相鄰兩個功能區(qū)的球心距離為1μm～5μm。
6.如權(quán)利要求1～5中任一項(xiàng)所述的低溫多晶硅薄膜的制備方法，其特征在于，通過如下方法在所述過渡層中形成多個間隔開的功能區(qū)：
將激光聚焦至所述過渡層中；
在所述過渡層中形成爆炸，得到多個功能區(qū)。
7.如權(quán)利要求6所述的低溫多晶硅薄膜的制備方法，其特征在于，將激光聚焦至所述過渡層中包括：
在所述過渡層上空設(shè)置微透鏡；
使飛秒激光穿過所述微透鏡至所述過渡層中。
8.如權(quán)利要求1～5中任一項(xiàng)所述的低溫多晶硅薄膜的制備方法，其特征在于，所述過渡層為氧化硅層；所述過渡層的厚度為400nm～600nm。
9.如權(quán)利要求8所述的低溫多晶硅薄膜的制備方法，其特征在于，在所述基板上形成過渡層之前，所述低溫多晶硅薄膜的制備方法還包括：
在所述基板上形成氮化硅層；其中，所述過渡層位于所述氮化硅層上。
10.一種采用如權(quán)利要求1～9中任一項(xiàng)所述的低溫多晶硅薄膜的制備方法所形成的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括：基板；形成于所述基板上的過渡層；形成于所述過渡層中的多個間隔開的功能區(qū)，每個功能區(qū)較其周圍的過渡層導(dǎo)熱性能差；及形成于所述過渡層上的低溫多晶硅薄膜。