1.一種獲得清潔溝槽側(cè)壁的方法，其特征在于，包括
S1、使用方向性弱的沉積工藝在溝槽表面形成保護(hù)層；
S2、使用方向性強(qiáng)的刻蝕工藝，去除溝槽頂部和底部上的保護(hù)層，溝槽側(cè)壁上仍覆蓋有保護(hù)層；
S3、使用方向性強(qiáng)的沉積工藝在溝槽表面形成金屬；以及
S4、剝離保護(hù)層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在S3和S4之間還包括
S5、在形成有金屬的溝槽表面上使用方向性強(qiáng)的沉積工藝形成介質(zhì)，使得溝槽底部和頂部上的介質(zhì)比側(cè)壁上的介質(zhì)厚；
S6、使用方向性弱的刻蝕工藝去除溝槽側(cè)壁上的介質(zhì)；
S7、使用方向性弱的刻蝕工藝去除溝槽側(cè)壁上露出的金屬；以及
S8、去除溝槽頂部和底部殘留的介質(zhì)，露出頂部和底部的金屬。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，
在S1中，所述方向性弱的工藝是原子層沉積工藝。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，
在S2中，使用高能粒子垂直轟擊工藝或反應(yīng)離子刻蝕工藝去除溝槽頂部和底部上的保護(hù)層。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，
在S3中，使用準(zhǔn)直濺射工藝形成所述金屬。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，
在S5中，使用有顯著下電極功率的PECVD和準(zhǔn)直濺射中的一個形成所述介質(zhì)。
7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，
在S6中，使用濕法刻蝕工藝去除所述溝槽側(cè)壁上的介質(zhì)。
8.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，
在S7中，使用傾斜反應(yīng)離子刻蝕去除露出的金屬。
9.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，
在S8中，使用緩沖氧化物刻蝕液去除所述殘留的介質(zhì)。
10.如權(quán)利要求1-9中任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，
所述溝槽是由SiC材料形成的。