本發(fā)明一般涉及在器件中使用來自元素周期表中第III及V族半導(dǎo)體材料。更具體地說，本發(fā)明涉及在源極/漏極區(qū)中使用III-V族材料異質(zhì)結(jié)構(gòu)，使得寬的能帶隙(bandgap)的III-V族層組合或向上漸變到具有相對(duì)窄的能帶隙的另一III-V族材料。

背景技術(shù)：

當(dāng)半導(dǎo)體器件不斷縮小，通過晶體管的溝道的有效電流將面臨幾個(gè)瓶頸。其中最關(guān)鍵的瓶頸之一是非本征電阻(extrinsic resistance)，當(dāng)驅(qū)動(dòng)電流通過器件的溝道以外的連接區(qū)(access region)時(shí)會(huì)顯著降低。為了最大限度地提高驅(qū)動(dòng)電流，晶體管同時(shí)需要低電阻的源極/漏極區(qū)及低的接觸電阻。盡管使用低有效質(zhì)量(low effective mass)的半導(dǎo)體材料(包括III-V材料，例如In(x)Ga(1-x)As，或硅鍺合金)的溝道可通過引入低載流子有效質(zhì)量(low carrier effective mass)可減少溝道電阻，但這些材料很容易危壞斷態(tài)泄漏(off-state leakage)及不良的熱載流子效應(yīng)，如碰撞電離。這些影響的根源在于例如能帶間隧穿(band-to-band tunneling)的現(xiàn)象，此結(jié)果來自通常比硅小的能帶隙以及高電場密度，該高電場密度是由器件的幾何形狀所決定。此外，縮小器件同時(shí)實(shí)現(xiàn)接觸電阻的要求已被證明是極具挑戰(zhàn)性的，但對(duì)于最終器件性能為日益重要的關(guān)鍵。具有最小有效質(zhì)量(例如，砷化銦、鍺)的材料同時(shí)改善了接觸電阻，并提高遷移率，但是這是以增加斷態(tài)泄漏為代價(jià)的。

因此需要一種持續(xù)存在的方式，來同時(shí)實(shí)現(xiàn)低的源極/漏極電阻及低的接觸電阻，并且不會(huì)產(chǎn)生不必要的溝道泄漏。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

在一態(tài)樣中，通過一種方法的提供，能克服現(xiàn)有技術(shù)的缺點(diǎn)，并提供額外的優(yōu)點(diǎn)。該方法包括，在前柵極(gate first)或取代柵極(replacement gate)制造過程的部分中，提供起始半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，該起始結(jié)構(gòu)包括半導(dǎo)體襯底、包括源極區(qū)、漏極區(qū)及在其間的溝道區(qū)的主動(dòng)區(qū)，以及在該溝道區(qū)上方的柵極結(jié)構(gòu)。該方法還包括，在各該源極區(qū)及漏極區(qū)中，形成第一化合物半導(dǎo)體材料的底部阻擋層，及在該底部阻擋層上方形成第二化合物半導(dǎo)體材料的籽晶層，該籽晶層具有第一能帶隙。該方法進(jìn)一步包括在該籽晶層上方形成第三化合物半導(dǎo)體材料的頂層，該頂層具有比第一能帶隙窄的第二能帶隙，并且在該籽晶層及頂層之間形成該第二及第三化合物半導(dǎo)體材料的成分漸變層(compositionally graded layer)，該成分漸變層逐漸從其在底部的該第二化合物半導(dǎo)體材料轉(zhuǎn)變成在其頂部的該第三化合物半導(dǎo)體材料。各化合物半導(dǎo)體材料包括來自元素周期表中第III及V族各者的至少一半導(dǎo)體材料。

根據(jù)另一態(tài)樣，本發(fā)明提供一種晶體管。該晶體管包括溝道區(qū)及相對(duì)鄰近該溝道區(qū)的源極區(qū)及漏極區(qū)。各該源極區(qū)及漏極區(qū)包括第一化合物半導(dǎo)體材料的底部阻擋層，在該底部阻擋層上方的第二化合物半導(dǎo)體材料的籽晶層，該籽晶層具有第一能帶隙，在該籽晶層上方的第三化合物半導(dǎo)體材料的頂層，該頂層具有第二能帶隙，該第二能帶隙比該第一能帶隙窄，各化合物半導(dǎo)體材料包括來自元素周期表中第III及V族各者的至少一半導(dǎo)體材料，以及在該籽晶層及該頂層之間的成分漸變層，該成分漸變層逐漸從該第二化合物半導(dǎo)體材料轉(zhuǎn)變到該第三化合物半導(dǎo)體材料。

本發(fā)明的這些以及其它的目的、特征及優(yōu)點(diǎn)將從以下結(jié)合附圖所進(jìn)行的本發(fā)明的各個(gè)態(tài)樣的詳細(xì)描述變得顯而易見。

附圖說明

圖1是三維的起始半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的一實(shí)例的橫截面圖，根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)或多個(gè)態(tài)樣，該起始結(jié)構(gòu)包括襯底及耦合到該襯底的鰭片(fin)，以及在該鰭片上方的偽(dummy)柵極結(jié)構(gòu)，該鰭片包括與襯底相同半導(dǎo)體材料的第一層、在該第一層上方的緩沖層、第一半導(dǎo)體材料的阻擋層、具有跨過源極區(qū)、漏極區(qū)以及位于源極區(qū)及漏極區(qū)之間的溝道區(qū)的主動(dòng)層，該源極及漏極中至少一個(gè)可以包括來自元素周期表中第III及V族各者的至少一元素的化合物半導(dǎo)體材料。

圖2是根據(jù)如下所述的本發(fā)明的一個(gè)或多個(gè)態(tài)樣所描繪在各源極區(qū)及漏極區(qū)中形成具有相對(duì)于隨后層較寬的能帶隙的底部阻擋層之后的圖1的起始結(jié)構(gòu)的一個(gè)實(shí)例。

圖3是根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)或多個(gè)態(tài)樣所描繪在各源極區(qū)及漏極區(qū)中的底部阻擋層上方形成籽晶層之后的圖2的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的一個(gè)實(shí)例。

圖4是根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)或多個(gè)態(tài)樣所描繪在籽晶層上方形成成分漸變層以及在該成分漸變層上方形成頂層之后的圖3的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的一個(gè)實(shí)例，該成分漸變層逐漸從該籽晶層的材料轉(zhuǎn)變到該頂層的材料，該頂層具有比籽晶層的能帶隙窄的能帶隙。

圖5是根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)或多個(gè)態(tài)樣所描繪在各源極區(qū)及漏極區(qū)中的窄的能帶隙材料的頂層上方形成介電層并平坦化該介電層之后的圖4的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的一個(gè)實(shí)例。

圖6是根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)或多個(gè)態(tài)樣所描繪用柵極電介質(zhì)及金屬柵極替換偽柵極并且在各源極區(qū)及漏極區(qū)中的窄的能帶隙材料的頂層上方形成接觸之后的圖5的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的一個(gè)實(shí)例。

具體實(shí)施方式

本發(fā)明的態(tài)樣與某些特征、優(yōu)點(diǎn)以及其細(xì)節(jié)，下面將參照在附圖中示出的非限制性實(shí)施例來更充分地說明。省略公知的材料、制造工具、工藝技術(shù)等詳細(xì)描述以免不必要地模糊本發(fā)明。然而，應(yīng)當(dāng)理解的是，詳細(xì)描述及具體實(shí)施例雖然指出了本發(fā)明的各態(tài)樣，但只是以說明的方式給出，而不是以限制的方式。在本公開的基本發(fā)明概念的精神及/或范圍內(nèi)做各種替換、修改、添加及/或布置，對(duì)本領(lǐng)域技術(shù)人員將是顯而易見的。

如本文整個(gè)說明書及權(quán)利要求書中使用的近似語言，可以用于允許的改變以修飾任何定量表示，而不會(huì)導(dǎo)致改變其所涉及的基本功能。因此，通過一個(gè)或多個(gè)術(shù)語，諸如“約”修飾的值不限于指定的精確值。在一些情況下，近似語言可對(duì)應(yīng)用于測量該值的儀器的精確度。

本文所用的術(shù)語僅是為了描述特定實(shí)施例的目的，并非意圖限制本發(fā)明。如本文中所使用的單數(shù)形式“一”、“一個(gè)”及“該”意圖包括復(fù)數(shù)形式，除非上下文另外明確指出。請(qǐng)進(jìn)一步理解，術(shù)語“包括”(以及任何形式的包括，例如“含有”及“包含”)，“具有”(以及任何形式的具有，例如“具有”及“擁有”)，“包含”(以及任何形式的包括，例如“包括”及“含有”)，以及“含有”(以及任何形式的包含，例如“包含”及“包括”)是開放式系動(dòng)詞。其結(jié)果是，一種方法或器件“包括”、“具有”、“包含”或“含有”一個(gè)或多個(gè)步驟或組件即擁有這一個(gè)或多個(gè)步驟或組件，但不限于僅擁有這一個(gè)或更多個(gè)步驟或組件而已。同樣地，一種方法的一個(gè)步驟或一個(gè)器件的一個(gè)組件“包括”、“具有”、“包含”或“含有”一個(gè)或多個(gè)特征即擁有那一個(gè)或多個(gè)特征，但并不限于僅擁有那一個(gè)或更多的特征而已。此外，以某種方式配置的器件或結(jié)構(gòu)是以至少那種方式來配置，但是也可以以未列出的方式來配置。

如本文用于指兩個(gè)物理元素時(shí)所使用的術(shù)語“連接”，是指兩個(gè)物理組件之間的直接連接。然而，術(shù)語“耦合”可以指直接連接或通過一個(gè)或多個(gè)中間組件的連接。

如本文所使用的術(shù)語“可”及“可以是”表明一組情況內(nèi)發(fā)生的可能性；具有某種屬性、特性或功能；及/或通過與限定動(dòng)詞相關(guān)連的表達(dá)一種或多種的能力、性能或可能性的限定另一個(gè)動(dòng)詞。因此，使用“可”及“可以是”表示修飾的術(shù)語明顯適合、能夠或適合指定的能力、功能或使用，在某些情況下，盡管考慮到修飾的術(shù)語可能有時(shí)是不適合、能夠或適合的。例如，在某些情況下，可以預(yù)期的事件或能力，而在不能發(fā)生所述事件或能力的其他情況-此差別由術(shù)語“可”及“可以是”捕獲。

參考以下的附圖，其中沒有畫出比例以便于理解，其中相同的附圖標(biāo)記在不同的附圖用于表示相同或相似的組件。

本發(fā)明的解決方案，無論是作為全I(xiàn)II-V器件的一部分，或只在硅基器件的源極/漏極區(qū)，在源極/漏極區(qū)使用多層III-V族異質(zhì)結(jié)構(gòu)，同時(shí)解決低源極/漏極電阻及低源極/漏極接觸電阻的需求，并避免不必要的溝道泄漏。此外，雖然示例顯示三維半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，但可以理解的是，本發(fā)明也可以用于平面器件。

圖1是三維的起始半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)100的一個(gè)實(shí)例的橫截面圖，該起始結(jié)構(gòu)包括襯底102及耦接至該襯底的至少一鰭片104，以及在該鰭片上方的偽柵極結(jié)構(gòu)106，例如，該偽柵極結(jié)構(gòu)包括偽柵極材料107(例如，多晶硅)及具有間隔件111(例如，如氮化硅的硬掩模材料)的帽蓋109，各鰭片包括可選擇的半導(dǎo)體材料的第一層108、在第一層上方的緩沖層110、阻擋層112、具有跨過源極區(qū)116、漏極區(qū)118及在源極區(qū)及漏極區(qū)之間的溝道區(qū)120的主動(dòng)層114。層108、110及112可以各包括例如硅、例如硅鍺的化合物半導(dǎo)體或是包括來自元素周期表中第III及V族各者的至少一元素的III-V族化合物半導(dǎo)體?？商娲?，任何或所有的層108、110及112可以是介電層，諸如例如二氧化硅。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)或多個(gè)態(tài)樣，主動(dòng)區(qū)114包括至少部分的一個(gè)或多個(gè)化合物半導(dǎo)體材料，其包括來自元素周期表中第III及V族各者的至少一種元素。

在一個(gè)實(shí)例中，其中的溝道是硅基，緩沖層及阻擋層可以是例如硅、硅鍺、氧化物層，或者可以通過不同的摻雜區(qū)來區(qū)分。

在另一個(gè)實(shí)例中，其中的溝道包括III-V族材料(例如，砷化銦鎵)，緩沖層可以包括例如砷化鎵、磷化銦、砷化銦鎵或砷化銦鋁，而阻擋層可以包括例如磷化銦或砷化銦鋁。

起始結(jié)構(gòu)可以傳統(tǒng)方法制造，例如使用已知的工藝及技術(shù)。此外，除非另有說明，可使用傳統(tǒng)工藝及技術(shù)以實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的制造工藝的各個(gè)步驟。然而，盡管為簡單起見僅示出單個(gè)晶體管，但應(yīng)該理解的是，在實(shí)踐中，通常同一塊襯底上會(huì)包括許多這樣的結(jié)構(gòu)。

在一個(gè)實(shí)例中，襯底102可以包括任何適合于半導(dǎo)體器件的材料或任何含硅的襯底，包括但不限于，硅、單晶硅、多晶硅、非晶硅、懸空硅(silicon-on-nothing,SON)、絕緣體上硅(silicon-on-insulator,SOI)或替換絕緣體上硅(silicon-on-replacement insulator,SRI)或硅鍺(SiGe)襯底等。襯底102可另外或替代地包括各種隔離、摻雜及/或器件的特征。該襯底可以包括其他合適的元素半導(dǎo)體，諸如例如結(jié)晶鍺(Ge)、化合物半導(dǎo)體(如碳化硅(SiC)、砷化鎵(GaAs)、磷化鎵(GaP)、磷化銦(InP)、砷化銦(InAs)及/或銻化銦(InSb)或其組合)；半導(dǎo)體材料合金包括磷砷化鎵(GaAsP)、砷化銦鋁(AlInAs)、砷化銦鎵(GaInAs)、磷化銦鎵(GaInP)、磷砷化銦鎵(GaInAsP)、砷銻化鋁(AlAsSb)或其組合。

本發(fā)明可適用于平面或非平面的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。在一個(gè)實(shí)例中，可使用于非平面結(jié)構(gòu)，其還包括至少一“鰭片”或凸起的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)104(相對(duì)于襯底的凸起)。例如，該凸起結(jié)構(gòu)可以自塊襯底蝕刻，還可以包括例如相對(duì)于該襯底上方列出的任何材料。另外，一些或所有的凸起結(jié)構(gòu)可以包括添加雜質(zhì)(例如，通過摻雜)，使它們成為n型或p型。在本實(shí)例中，該結(jié)構(gòu)還包括在溝道區(qū)上方的至少一柵極結(jié)構(gòu)，柵極結(jié)構(gòu)106包圍一或多個(gè)該凸起結(jié)構(gòu)的一部分。

圖2是根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)或多個(gè)態(tài)樣所描繪在各源極區(qū)(116，圖1)及漏極區(qū)(118，圖1)中形成優(yōu)選地與溝道區(qū)120晶格匹配的化合物半導(dǎo)體材料的第二阻擋層122之后的圖1的起始結(jié)構(gòu)的一個(gè)實(shí)例。如本文所使用的“化合物半導(dǎo)體材料”包括來自元素周期表中第III及V族各者的一種或多種半導(dǎo)體材料。

在一個(gè)實(shí)例中，第二阻擋層122包括具有相對(duì)寬的能帶隙的半導(dǎo)體材料，并且可以與溝道區(qū)晶格匹配。底部阻擋層的材料可以包括例如磷化銦(其具有約1.34電子伏特(eV)的能帶隙)或砷化銦鋁(其具有約1.5eV的能帶隙)，并且可以使用一個(gè)或多個(gè)傳統(tǒng)的制造方法及工藝形成。

圖3是根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)或多個(gè)態(tài)樣所描繪在各源極區(qū)及漏極區(qū)中的第二阻擋層122上方形成化合物半導(dǎo)體材料的籽晶層124之后的圖2的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的一個(gè)實(shí)例。

籽晶層124優(yōu)選地與第二阻擋層122晶格匹配，可以摻雜與溝道相同的極性，并且可以使用一個(gè)或多個(gè)傳統(tǒng)的制造工藝及技術(shù)形成。在一個(gè)實(shí)例中，該籽晶層材料包括砷化銦鎵，并在阻擋層上通過外延生長形成。在另一實(shí)例中，該籽晶層被摻雜。

圖4是根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)或多個(gè)態(tài)樣所描繪在籽晶層124上方形成一成分漸變層126以及在該成分漸變層上方形成頂層128之后的圖3的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的一個(gè)實(shí)例，該成分漸變層逐漸從該籽晶層的材料向上轉(zhuǎn)變到該頂層的材料，該頂層具有比該籽晶層的能帶隙窄的能帶隙。該漸變層可具有用于漸變轉(zhuǎn)變的任何數(shù)量的成分層。然而，在許多情況下，更多數(shù)量的層是優(yōu)選的。此外，雖然為了容易理解，本實(shí)例包括籽晶層及頂層，應(yīng)被理解的是，成分漸變層實(shí)際上可以是籽晶層、頂層及成分漸變層。

成分漸變層126包括多個(gè)層，逐漸從籽晶層124的化合物半導(dǎo)體材料轉(zhuǎn)變成頂層128的化合物半導(dǎo)體材料，而且可以使用一種或多種傳統(tǒng)的制造工藝及技術(shù)形成。在一個(gè)實(shí)例中，能帶隙轉(zhuǎn)變跨越范圍為約0.36eV(砷化銦)至約1.42eV(砷化鎵)。在另一實(shí)例中，籽晶層的化合物材料包括砷化銦鎵(InGaAs)，頂層的化合物材料包括具有約0.36eV的能帶隙的砷化銦(InAs)，而成分漸變層利用兩者之間的漸變混合物從全I(xiàn)nGaAs轉(zhuǎn)變到全I(xiàn)nAs。在另一實(shí)例中，籽晶層可以包括磷化銦(InP)，具有成分漸變層從53％的砷化銦鎵(InGaAs)開始，朝頂層的方向逐漸增加InGaAs中銦的百分比到100％(InAs)。

圖5是根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)或多個(gè)態(tài)樣所描繪在各源極區(qū)及漏極區(qū)中的窄的能帶隙材料的頂層128上方，使用例如一種或多種傳統(tǒng)工藝及技術(shù)形成介電層130(例如，層間介電材料)之后的圖4的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的一個(gè)實(shí)例。

圖6是根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)或多個(gè)態(tài)樣所描繪用金屬柵極132替換偽柵極并在各源極區(qū)及漏極區(qū)中的窄的能帶隙材料的頂層128上方形成接觸134之后的圖5的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的一個(gè)實(shí)例。

在第一態(tài)樣中，上述公開的是一種方法。該方法包括提供起始半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，該起始結(jié)構(gòu)包括半導(dǎo)體襯底、包括源極區(qū)、漏極區(qū)以及在其間的溝道區(qū)的主動(dòng)區(qū)，以及溝道區(qū)上方的柵極結(jié)構(gòu)。該方法還包括，在各源極區(qū)及漏極區(qū)中，形成第一化合物半導(dǎo)體材料的底部阻擋層，并在該底部阻擋層上方形成第二化合物半導(dǎo)體材料的籽晶層，該籽晶層具有第一能帶隙。該方法進(jìn)一步包括在該籽晶層上方形成第三化合物半導(dǎo)體材料的頂層，該頂層具有比第一能帶隙窄的第二能帶隙，且各化合物半導(dǎo)體材料包括來自元素周期表中第III及V族各者的半導(dǎo)體材料。該方法還包括在籽晶層及頂層之間形成第二及第三化合物半導(dǎo)體材料的成分漸變層，該成分漸變層逐漸從在其底部的該第二化合物半導(dǎo)體材料轉(zhuǎn)變成在其頂部的該第三化合物半導(dǎo)體材料。

在一個(gè)實(shí)例中，該底部阻擋層具有例如相對(duì)于該頂層的能帶隙寬的能帶隙。

在一個(gè)實(shí)例中，在第一態(tài)樣的方法中的起始半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)中的溝道區(qū)可包括例如來自元素周期表中第IV族或是第III及V族各者的半導(dǎo)體材料的第四半導(dǎo)體材料。在一個(gè)實(shí)例中，該第四半導(dǎo)體材料可包括例如硅、砷化銦鎵及硅鍺中的任一個(gè)。

在一個(gè)實(shí)例中，在第一態(tài)樣的方法中的起始半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的各源極區(qū)及漏極區(qū)中的第一化合物半導(dǎo)體材料可以是例如與溝道區(qū)晶格匹配。

在一個(gè)實(shí)例中，在第一態(tài)樣的方法中的起始半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)還可以包括，例如連接到該襯底的鰭片，以及可以位于該鰭片的頂部的該主動(dòng)區(qū)。

在一個(gè)實(shí)例中，在第一態(tài)樣的方法中的起始半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的底部阻擋層的第一化合物半導(dǎo)體材料可以包括，例如磷化銦。

在一個(gè)實(shí)例中，在第一態(tài)樣的方法中的起始半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的籽晶層的第二化合物半導(dǎo)體材料可以包括，例如與底部阻擋層晶格匹配的砷化銦鎵。

在一個(gè)實(shí)例中，在第一態(tài)樣的方法中的起始半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的頂層的第三化合物半導(dǎo)體材料可以包括，例如砷化銦，以及籽晶層的第二化合物半導(dǎo)體材料可以包括，例如砷化銦鎵。

在第二態(tài)樣中，上述公開的是一種晶體管。該晶體管包括溝道區(qū)及相對(duì)鄰近溝道區(qū)的源極區(qū)及漏極區(qū)，各源極區(qū)及漏極區(qū)包括：第一化合物半導(dǎo)體材料的底部阻擋層；在該底部阻擋層上方的第二化合物半導(dǎo)體的籽晶層，該籽晶層具有第一能帶隙；在該籽晶層上方的第三化合物半導(dǎo)體材料的頂層，該頂層具有第二能帶隙，該第二能帶隙比該第一能帶隙窄，各化合物半導(dǎo)體材料包括來自元素周期表中第III及V族各者的半導(dǎo)體材料。晶體管進(jìn)一步包括在籽晶層及頂層之間的成分漸變層，該成分漸變層逐漸從該第二化合物半導(dǎo)體材料轉(zhuǎn)變到該第三化合物半導(dǎo)體材料。

在一個(gè)實(shí)例中，第二態(tài)樣的晶體管的第一化合物半導(dǎo)體材料可以是例如與溝道區(qū)晶格匹配。

在一個(gè)實(shí)例中，第二態(tài)樣的晶體管還可以包括例如襯底及耦合到該襯底的鰭片，及位于該鰭片的頂部的源極區(qū)，溝道區(qū)及漏極區(qū)。

在一個(gè)實(shí)例中，第二態(tài)樣的晶體管的底部阻擋層可以具有例如比頂層的能帶隙寬的能帶隙。

在一個(gè)實(shí)例中，第二態(tài)樣的晶體管的溝道區(qū)可以包括例如來自元素周期表中第IV族或是第III及V族各者的半導(dǎo)體材料。

在一個(gè)實(shí)例中，第二態(tài)樣的晶體管的溝道區(qū)可以包括例如硅、砷化銦鎵及硅鍺中的任一個(gè)。

在一個(gè)實(shí)例中，第二態(tài)樣的晶體管的底部阻擋層的第一化合物半導(dǎo)體材料可以包括例如磷化銦。

在一個(gè)實(shí)例中，第二態(tài)樣的晶體管的籽晶層的第二化合物半導(dǎo)體材料可以包括例如與底部阻擋層晶格匹配的n型半導(dǎo)體材料。在一個(gè)實(shí)例中，該n型半導(dǎo)體材料可以包括例如砷化銦鎵。

在一個(gè)實(shí)例中，第二態(tài)樣的晶體管的頂層的第三化合物半導(dǎo)體材料可以包括例如砷化銦。在一個(gè)實(shí)例中，籽晶層的第二化合物半導(dǎo)體材料可以包括例如砷化銦鎵。

雖然本文已描述及示出本發(fā)明的若干態(tài)樣，本領(lǐng)域的技術(shù)人員能夠通過替代態(tài)樣達(dá)到同樣的目的。因此，所附的權(quán)利要求旨在覆蓋落在本發(fā)明的真實(shí)精神及范圍內(nèi)的所有替代態(tài)樣。