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技術(shù)編號：12274780

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具有多層III-V族異質(zhì)結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)技術(shù)領(lǐng)域本發(fā)明一般涉及在器件中使用來自元素周期表中第III及V族半導(dǎo)體材料。更具體地說，本發(fā)明涉及在源極/漏極區(qū)中使用III-V族材料異質(zhì)結(jié)構(gòu)，使得寬的能帶隙(bandgap)的III-V族層組合或向上漸變到具有相對窄的能帶隙的另一III-V族材料。背景技術(shù)當(dāng)半導(dǎo)體器件不斷縮小，通過晶體管的溝道的有效電流將面臨幾個瓶頸。其中最關(guān)鍵的瓶頸之一是非本征電阻(extrinsicresistance)，當(dāng)驅(qū)動電流通過器件的溝道以外的連接區(qū)(accessregion...
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