技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供了一種高遷移率金屬氧化物薄膜晶體管的制作方法，包括如下步驟：一、在襯底層上沉積柵極層，然后依次黃光和刻蝕制得具有圖形的柵極；二、在柵極上沉積柵極絕緣層，在柵極絕緣層上沉積N次，形成半導(dǎo)體金屬氧化物層；三、高溫退火，依次采用黃光和刻蝕制得具有圖形的半導(dǎo)體金屬氧化物層；四、在沉積源漏極，再依次黃光和刻蝕制得具有圖形的源漏極；五、沉積PV層，再依次黃光和刻蝕制作過孔；六、高溫退火；七、在沉積像素電極層，采用黃光和刻蝕得到像素電極。與現(xiàn)有技術(shù)相比，提高其載流子的濃度，保證產(chǎn)生較少的漏電流，從而提高薄膜晶體管的遷移率。

技術(shù)研發(fā)人員：李金明
受保護(hù)的技術(shù)使用者：深圳市華星光電技術(shù)有限公司
文檔號(hào)碼：201610794552
技術(shù)研發(fā)日：2016.08.31
技術(shù)公布日：2016.12.07