1.一種高遷移率金屬氧化物薄膜晶體管的制作方法，其特征在于：包括如下步驟：
步驟一、在襯底層(1)上采用物理氣相沉積工藝沉積形成柵極層(2)，在進行物理氣相沉積時通入惰性氣體，流量為30～200毫升/分鐘然后依次采用黃光工藝和刻蝕工藝制得具有圖形的柵極；
步驟二、在具有圖形的柵極上通過等離子增強化學(xué)氣相沉積工藝沉積柵極絕緣層(3)，沉積厚度為1500～4000埃，采用物理氣相沉積工藝在柵極絕緣層上沉積N次，形成半導(dǎo)體金屬氧化物層(4)；
步驟三、沉積完成后，再進行高溫退火處理，對步驟二利用物理氣相沉積形成的半導(dǎo)體金屬氧化物層(4)進行活化，高溫退火處理采用退火爐，退火溫度為200～450℃，在退火的同時利用紫外線光管對半導(dǎo)體金屬氧化物層(4)進行光照或在退火后對半導(dǎo)體金屬氧化物層進行冷卻時利用紫外光照射，照射時間為1～6小時，最后依次采用黃光工藝和刻蝕工藝制得具有圖形的半導(dǎo)體金屬氧化物層；
步驟四、在具有圖形的半導(dǎo)體金屬氧化物層上采用物理氣相沉積工藝沉積源漏極(5)，再依次采用黃光工藝和刻蝕工藝制得具有圖形的源漏極并在半導(dǎo)體氧化物層上與源漏極之間形成刻蝕后的背溝道；
步驟五、通過等離子增強化學(xué)氣相沉積工藝在步驟四形成的具有圖形的源漏電極(5)上沉積PV層(6)，再依次采用黃光工藝和刻蝕工藝制作過孔；
步驟六、在步驟五沉積保護層(6)完成后，再通過高溫退火工藝，使保護層(6)對源漏極刻蝕后形成的背溝道的溝道表面的缺陷進行修復(fù)，退火溫度為200～450℃；
步驟七、在步驟六完成后利用物理氣相沉積工藝沉積像素電極層(7)，像素電極層(7)通過過孔與源漏極(5)相連，再依次采用黃光工藝和刻蝕工藝得到像素電極。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的所述的高遷移率金屬氧化物薄膜晶體管的制作方法，其特征在于：步驟二中每次物理氣相沉積時通入水，流量為0～20毫升/分鐘。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高遷移率金屬氧化物薄膜晶體管的制作方法，其特征在于：步驟一中柵極層(2)的厚度為2000～5500埃。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高遷移率金屬氧化物薄膜晶體管的制作方法，其特征在于：步驟一中物理氣相沉積所采用的沉積設(shè)備的功率是10～70KW。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高遷移率金屬氧化物薄膜晶體管的制作方法，其特征在于：所述惰性氣體為氬氣。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的高遷移率金屬氧化物薄膜晶體管的制作方法，其特征在于：步驟二中在半導(dǎo)體金屬氧化物層(4)的沉積過程中，每次物理氣相沉積通入的水的流量由高逐步降低。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的高遷移率金屬氧化物薄膜晶體管的制作方法，其特征在于：所述物理氣相沉積的沉積次數(shù)為3次，半導(dǎo)體金屬氧化物層(5)的厚度為400～1500埃。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高遷移率金屬氧化物薄膜晶體管的制作方法，其特征在于：步驟三中源漏極(5)的厚度為200～6000埃。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高遷移率金屬氧化物薄膜晶體管的制作方法，其特征在于：步驟五中PV層的沉積厚度為1500～4000埃。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高遷移率金屬氧化物薄膜晶體管的制作方法，其特征在于：步驟七中像素電極層(7)為銦錫氧化物半導(dǎo)體透明導(dǎo)電膜，沉積厚度為300～1000埃。