技術(shù)總結(jié)
一種薄膜晶體管陣列基板，其包括絕緣基板、形成于絕緣基板上的半導體層及形成于半導體層上的第二導電層，所述第二導電層形成間隔設(shè)置的源極與漏極，所述第二導電層至少包括：第一子層，其形成于半導體層上，其材質(zhì)為金屬氧化物；第二子層，其形成于第一子層上，其材質(zhì)為鋁或鋁合金。本發(fā)明還提供該種薄膜晶體管陣列基板的制備方法。所述第一子層可作為所述半導體層與第二子層之間的歐姆接觸層；另外還避免使用銅作為第二子層。

技術(shù)研發(fā)人員：高逸群;施博理;張煒熾;吳逸蔚
受保護的技術(shù)使用者：鴻富錦精密工業(yè)（深圳）有限公司;鴻海精密工業(yè)股份有限公司
文檔號碼：201610749723
技術(shù)研發(fā)日：2016.08.30
技術(shù)公布日：2017.06.23