本發(fā)明涉及顯示技術(shù)，尤指一種氧化物薄膜晶體管及其制造方法、陣列基板、顯示裝置。

背景技術(shù)：

隨著顯示器件的越發(fā)成熟，氧化物有源層的需求越來(lái)越高。氧化物半導(dǎo)體作為有源層材料，相比傳統(tǒng)的非晶硅(a-Si)材料具有載流子遷移率高、制備溫度低、大面積均勻性?xún)?yōu)良、光學(xué)透過(guò)率高等優(yōu)勢(shì)，這些優(yōu)勢(shì)也決定了氧化物薄膜晶體管(Oxide TFT)適用于制備高分辨率的薄膜晶體管液晶顯示器(TFT-LCD)、有源矩陣有機(jī)發(fā)光二極體面板(AM-OLED)、柔性顯示、透明顯示等新型顯示器件。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

為了解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明至少一實(shí)施例提供了一種氧化物薄膜晶體管及其制造方法、陣列基板、顯示裝置，提高了氧化物薄膜晶體管的電學(xué)性能。

本發(fā)明一實(shí)施例提供了一種種氧化物薄膜晶體管的制造方法，包括：

提供襯底基板；

在所述襯底基板上依次形成柵極金屬層、柵極絕緣層、有源層、源/漏電極層；

從所述襯底基板背面進(jìn)行激光退火工藝處理，以使所述有源層未與所述柵極金屬層重疊的部分的電阻率低于所述有源層與所述柵極金屬層重疊的部分的電阻率，其中，所述有源層未與所述柵極金屬層重疊的部分與所述源/漏電極層電連接。

在本發(fā)明一可選實(shí)施例中，所述方法還包括：

在形成所述源漏極電極層之前，在所述有源層上形成刻蝕阻擋層。

在本發(fā)明一可選實(shí)施例中，所述激光退火工藝為準(zhǔn)分子激光退火工藝。

在本發(fā)明一可選實(shí)施例中，所述從所述襯底基板背面進(jìn)行激光退火工藝處理在形成所述源/漏電極層上的絕緣層后執(zhí)行。

在本發(fā)明一可選實(shí)施例中，所述從所述襯底基板背面進(jìn)行激光退火工藝處理在形成所述有源層后且形成所述源/漏電極層前執(zhí)行。

在本發(fā)明一可選實(shí)施例中，所述從所述襯底基板背面進(jìn)行激光退火工藝處理在形成所述刻蝕阻擋層后且形成所述源/漏電極層前執(zhí)行。

在本發(fā)明一可選實(shí)施例中，所述從所述襯底基板背面進(jìn)行激光退火工藝處理在形成所述源/漏電極層后執(zhí)行。

本發(fā)明一實(shí)施例提供一種氧化物薄膜晶體管，包括：依次設(shè)置在襯底基板上的柵極金屬層、柵極絕緣層、有源層、源/漏電極層，其中：

所述有源層包括被從所述襯底基板背面進(jìn)行的激光退火工藝處理形成的兩個(gè)部分：與所述柵極金屬層重疊的第一部分，未與所述柵極金屬層重疊的第二部分，且所述第二部分的電阻率低于所述第一部分的電阻率，且所述第二部分與所述源/漏電極層電連接。

在本發(fā)明一可選實(shí)施例中，所述氧化物薄膜晶體管還包括：設(shè)置在所述有源層上的刻蝕阻擋層。

本發(fā)明一實(shí)施例提供一種陣列基板，包括上述氧化物薄膜晶體管。

本發(fā)明一實(shí)施例提供一種顯示裝置，包括上述陣列基板。

本發(fā)明實(shí)施例中，對(duì)氧化物半導(dǎo)體形成的有源層進(jìn)行激光退火處理，提升了氧化物薄膜晶體管的開(kāi)態(tài)電流，遷移率和開(kāi)關(guān)比。

本發(fā)明的其它特征和優(yōu)點(diǎn)將在隨后的說(shuō)明書(shū)中闡述，并且，部分地從說(shuō)明書(shū)中變得顯而易見(jiàn)，或者通過(guò)實(shí)施本發(fā)明而了解。本發(fā)明的目的和其他優(yōu)點(diǎn)可通過(guò)在說(shuō)明書(shū)、權(quán)利要求書(shū)以及附圖中所特別指出的結(jié)構(gòu)來(lái)實(shí)現(xiàn)和獲得。

附圖說(shuō)明

附圖用來(lái)提供對(duì)本發(fā)明技術(shù)方案的進(jìn)一步理解，并且構(gòu)成說(shuō)明書(shū)的一部分，與本申請(qǐng)的實(shí)施例一起用于解釋本發(fā)明的技術(shù)方案，并不構(gòu)成對(duì)本發(fā)明技術(shù)方案的限制。

圖1(a)～1(h)為本發(fā)明一實(shí)施例提供的氧化物薄膜晶體管的制造方法過(guò)程圖；

圖2為本發(fā)明一實(shí)施例提供的氧化物薄膜晶體管的制造方法示意圖；

圖3為本發(fā)明一實(shí)施例提供的氧化物薄膜晶體管的制造方法示意圖；

圖4(a)～4(h)為本發(fā)明一實(shí)施例提供的氧化物薄膜晶體管的制造方法過(guò)程圖；

圖5為本發(fā)明一實(shí)施例提供的氧化物薄膜晶體管的制造方法示意圖；

圖6為本發(fā)明一實(shí)施例提供的氧化物薄膜晶體管的制造方法示意圖；

圖7為本發(fā)明一實(shí)施例提供的氧化物薄膜晶體管示意圖；

圖8為本發(fā)明一實(shí)施例提供的氧化物薄膜晶體管示意圖；

圖9為本發(fā)明一實(shí)施例提供的陣列基板示意圖；

圖10為本發(fā)明一實(shí)施例提供的陣列基板示意圖。

具體實(shí)施方式

為使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚明白，下文中將結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。需要說(shuō)明的是，在不沖突的情況下，本申請(qǐng)中的實(shí)施例及實(shí)施例中的特征可以相互任意組合。

本文中使用的“第一”、“第二”以及類(lèi)似的詞語(yǔ)并不表示任何順序、數(shù)量或者重要性，而只是用來(lái)區(qū)分不同的組成部分?！鞍ā被蛘摺鞍钡阮?lèi)似的詞語(yǔ)意指出現(xiàn)該詞前面的元件或者物件涵蓋出現(xiàn)在該詞后面列舉的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“連接”或者“相連”等類(lèi)似的詞語(yǔ)并非限定于物理的或者機(jī)械的連接，而是可以包括電性的連接，不管是直接的還是間接的?！吧稀薄ⅰ跋隆?、“左”、“右”等僅用于表示相對(duì)位置關(guān)系，當(dāng)被描述對(duì)象的絕對(duì)位置改變后，則該相對(duì)位置關(guān)系也可能相應(yīng)地改變。

在用于描述本發(fā)明的實(shí)施例的附圖中，層或區(qū)域的厚度被放大或縮小，即這些附圖并非按照實(shí)際的比例繪制。本發(fā)明實(shí)施例附圖只涉及到與本發(fā)明實(shí)施例相關(guān)的結(jié)構(gòu)，其他結(jié)構(gòu)可參考通常設(shè)計(jì)。

本發(fā)明一實(shí)施例提供一種氧化物薄膜晶體管，包括依次在襯底基板上形成的柵極金屬層，柵極絕緣層，有源層(由氧化物半導(dǎo)體形成)，源/漏電極層。其中，在襯底基板背面進(jìn)行激光退火工藝處理，使得有源層的結(jié)構(gòu)發(fā)生變化，有源層與源/漏極電極層相連的區(qū)域的電阻變低，趨于導(dǎo)體化，減少有源層和源/漏電極層間的搭接電阻，從而達(dá)到提升氧化物薄膜晶體管的開(kāi)態(tài)電流，遷移率和開(kāi)關(guān)比的技術(shù)效果。

下面通過(guò)幾個(gè)實(shí)施例進(jìn)一步說(shuō)明本發(fā)明。

實(shí)施例一

本實(shí)施例提供一種氧化物薄膜晶體管的制造方法，包括：

提供襯底基板；

在所述襯底基板上依次形成柵極金屬層、柵極絕緣層、有源層、源/漏電極層；

從所述襯底基板背面進(jìn)行激光退火工藝處理，以使所述有源層未與所述柵極金屬層重疊的部分的電阻率低于所述有源層與所述柵極金屬層重疊的部分的電阻率，其中，所述有源層未與所述柵極金屬層重疊的部分與所述源/漏電極層電連接。

在本發(fā)明的一可選實(shí)施例中，所述激光退火工藝為ELA(Excimer Laser Annealing，準(zhǔn)分子激光退火)工藝。當(dāng)然，也可使用其他激光退火工藝。

在本發(fā)明的一可選實(shí)施例中，所述從所述襯底基板背面進(jìn)行激光退火工藝處理在形成所述源/漏電極層上的絕緣層后執(zhí)行；或者，在形成所述有源層后且形成所述源/漏電極層前執(zhí)行，或者，在形成所述源/漏電極層后執(zhí)行。

在本發(fā)明的一可選實(shí)施例中，在形成所述源漏極電極層之前，在所述有源層上形成刻蝕阻擋層。所述從所述襯底基板背面進(jìn)行激光退火工藝處理在形成所述刻蝕阻擋層后且形成所述源/漏電極層前執(zhí)行，或者，在在形成所述源/漏電極層后執(zhí)行；或者，在形成所述源/漏電極層上的絕緣層后執(zhí)行；或者，在形成所述有源層后，所述刻蝕阻擋層之前執(zhí)行。

下面通過(guò)如圖1(a)至圖1(g)進(jìn)一步說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例提供的氧化物薄膜晶體管的制造方法。

如圖1(a)所示，在襯底基板1上沉積柵極金屬層薄膜并對(duì)該柵極金屬層薄膜進(jìn)行構(gòu)圖工藝以形成柵極金屬層2。該襯底基板1可以是一個(gè)玻璃基板。該柵極金屬層2的材料可以為銅基金屬，例如，銅(Cu)、銅鉬合金(Cu/Mo)、銅鈦合金(Cu/Ti)、銅鉬鈦合金(Cu/Mo/Ti)、銅鉬鎢合金(Cu/Mo/W)、銅鉬鈮合金(Cu/Mo/Nb)等；該柵極金屬層2的材料也可以為鉻基金屬，例如，鉻鉬合金(Cr/Mo)、鉻鈦合金(Cr/Ti)、鉻鉬鈦合金(Cr/Mo/Ti)等。

在本實(shí)施例中，構(gòu)圖工藝?yán)鐬楣饪虡?gòu)圖工藝，其例如包括：在需要被構(gòu)圖的結(jié)構(gòu)層上涂覆光刻膠層，使用掩膜板對(duì)光刻膠層進(jìn)行曝光，對(duì)曝光的光刻膠層進(jìn)行顯影以得到光刻膠圖案，使用光刻膠圖案對(duì)結(jié)構(gòu)層進(jìn)行蝕刻，然后可選地去除光刻膠圖案。根據(jù)需要，構(gòu)圖工藝還可以是絲網(wǎng)印刷、噴墨打印方法等。

如圖1(b)所示，在所述柵極金屬層2上沉積柵極絕緣層薄膜并對(duì)該柵極絕緣層薄膜進(jìn)行構(gòu)圖工藝以形成柵極絕緣層3，在柵極絕緣層3上沉積一層有源層薄膜并對(duì)該有源層薄膜進(jìn)行構(gòu)圖工藝形成有源層4。所述有源層4與所述柵極金屬層2存在重疊區(qū)域，所述有源層4的大小大于所述柵極金屬層2。其中，柵極絕緣層3材料包括氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiOx)、氧化鋁(Al2O3)、氮化鋁(AlN)或其他適合的材料。所述有源層4采用氧化物半導(dǎo)體材料制備，具體可以是氧化銦鎵鋅(IGZO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化鋅(ZnO)、氧化鎵鋅(GZO)等金屬氧化物。

如圖1(c)所示，在所述有源層4上沉積源/漏電極層薄膜并對(duì)該源/漏電極層薄膜進(jìn)行構(gòu)圖工藝以形成源/漏電極層5；

如圖1(d)所示，在所述有源/漏電極層5上沉積絕緣層薄膜并對(duì)該絕緣層薄膜進(jìn)行構(gòu)圖工藝以形成絕緣層6；所述絕緣層6的材料包括如下之一或其組合：硅的氧化物、硅的氮化物、硅的氮氧化物等。

如圖1(e)所示，在所述絕緣層6形成后，從所述襯底基板1背面進(jìn)行激光退火工藝，有源層4中未被柵極金屬層2遮擋的區(qū)域42在高能激光的照射下電阻率急劇降低，趨于導(dǎo)體化，從而使得有源層4與源/漏電極層5間的搭接電阻可顯著降低；而被柵極金屬層2遮擋的區(qū)域41受柵極金屬層2的保護(hù)，電阻率變化不大，不影響其作為高遷移率的有源層使用。其中，進(jìn)行激光退火時(shí)，所使用的激光的波長(zhǎng)可以為200-350nm，激光能量可以為100-300mj/cm2。比如，當(dāng)有源層使用氧化銦鎵鋅(IGZO)實(shí)現(xiàn)時(shí)，使用能量為100-300mj/cm2的激光進(jìn)行激光退火后，所述有源層未與所述柵極金屬層重疊的部分的電阻降低約5個(gè)數(shù)量級(jí)。IGZO電阻隨激光能量不同變化的曲線如圖1(f)所示，隨著激光能量在0-150mj/cm2增加，IGZO電阻下降，激光能量在150～300mj/cm2之間時(shí)，對(duì)IGZO電阻的下降效果差不多。需要說(shuō)明的是，此處激光工藝參數(shù)僅為示例，可以根據(jù)需要使用其他參數(shù)。

在形成絕緣層6后進(jìn)行激光退火有如下優(yōu)勢(shì)：

1、柵極金屬層2對(duì)高能激光有一定的反射作用，使得照射到有源層4的光強(qiáng)增加，更有利于降低區(qū)域42的電阻。

2、絕緣層6具有保溫作用，也更有利于有源層4對(duì)激光能量的吸收。

如圖1(g)所示，在絕緣層6上形成過(guò)孔7；該過(guò)孔7暴露漏/源漏電極層5。

如圖1(h)所示，在所述過(guò)孔7和所述絕緣層6上沉積像素電極層薄膜并對(duì)所述像素電極層薄膜進(jìn)行構(gòu)圖工藝以形成像素電極層8。

需要說(shuō)明的是，從所述襯底基板1背面進(jìn)行激光退火工藝不僅可以在絕緣層6形成后進(jìn)行。也可以在形成有源層4之后，形成源/漏電極層5之前進(jìn)行，如圖2所示；或者，在形成源/漏電極層5之后，絕緣層6之前進(jìn)行，如圖3所示。

實(shí)施例二

實(shí)施例一以BCE型oxide TFT為例進(jìn)行說(shuō)明。本發(fā)明實(shí)施例提供的方法也適用于ESL(刻蝕阻擋層)型oxide TFT。以圖4(a)至4(h)說(shuō)明本實(shí)施例提供的氧化物薄膜晶體管的制造方法。

如圖4(a)所示，在襯底基板1上沉積柵極金屬層薄膜并對(duì)該柵極金屬層薄膜進(jìn)行構(gòu)圖工藝以形成柵極金屬層2。該襯底基板1可以是一個(gè)玻璃基板。該柵極金屬層2的材料可以為銅基金屬，例如，銅(Cu)、銅鉬合金(Cu/Mo)、銅鈦合金(Cu/Ti)、銅鉬鈦合金(Cu/Mo/Ti)、銅鉬鎢合金(Cu/Mo/W)、銅鉬鈮合金(Cu/Mo/Nb)等；該柵極金屬層2的材料也可以為鉻基金屬，例如，鉻鉬合金(Cr/Mo)、鉻鈦合金(Cr/Ti)、鉻鉬鈦合金(Cr/Mo/Ti)等。

如圖4(b)所示，在所述柵極金屬層2上沉積柵極絕緣層薄膜并對(duì)該柵極絕緣層薄膜進(jìn)行構(gòu)圖工藝以形成柵極絕緣層3，在柵極絕緣層3上沉積一層有源層薄膜并對(duì)該有源層薄膜進(jìn)行構(gòu)圖工藝形成有源層4，。所述有源層4與所述柵極金屬層2存在重疊區(qū)域，所述有源層4的大小大于所述柵極金屬層2。其中，柵極絕緣層3材料包括氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiOx)、氧化鋁(Al2O3)、氮化鋁(AlN)或其他適合的材料。所述有源層4采用氧化物半導(dǎo)體材料制備，具體可以是氧化銦鎵鋅(IGZO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化鋅(ZnO)、氧化鎵鋅(GZO)等金屬氧化物。

如圖4(c)所示，在所述有源層4上沉積刻蝕阻擋層薄膜并對(duì)該刻蝕阻擋層薄膜進(jìn)行構(gòu)圖工藝以形成刻蝕阻擋層9。所述刻蝕阻擋層9為金屬層，比如可以為金屬鈦、或其他通過(guò)氧等離子體氧化處理后能轉(zhuǎn)變形成非導(dǎo)電性介質(zhì)薄膜的金屬。

如圖4(d)所示，在所述有源層4和刻蝕阻擋層9上沉積源/漏電極層薄膜并對(duì)該源/漏電極層薄膜進(jìn)行構(gòu)圖工藝以形成源/漏電極層5；

如圖4(e)所示，在所述有源/漏電極層5上沉積絕緣層薄膜并對(duì)該絕緣層薄膜進(jìn)行構(gòu)圖工藝以形成絕緣層6；所述絕緣層6的材料包括硅的氧化物，或者，硅的氮化物等。

如圖4(f)所示，在所述絕緣層6形成后，從所述襯底基板1背面進(jìn)行激光退火工藝，有源層4中未被柵極金屬層2遮擋的區(qū)域42在高能激光的照射下電阻率急劇降低，趨于導(dǎo)體化，從而使得有源層4與源/漏電極層5間的搭接電阻可顯著降低；而被柵極金屬層2遮擋的區(qū)域41受柵極金屬層2的保護(hù)，電阻率變化不大，不影響其作為高遷移率的有源層使用。

在形成絕緣層6后進(jìn)行激光退火有如下優(yōu)勢(shì)：1、SD金屬對(duì)高能激光有一定的反射作用，使得照射到有源層4的光強(qiáng)增加，更有利于降低區(qū)域42的電阻。2，絕緣層6具有保溫作用，也更有利于有源層4對(duì)激光能量的吸收。

如圖4(g)所示，在所示絕緣層6上形成過(guò)孔7；該過(guò)孔7暴露漏/源漏電極層5。

如圖4(h)所示，在所述過(guò)孔7和所述絕緣層6上沉積像素電極層薄膜并對(duì)所述像素電極層薄膜進(jìn)行構(gòu)圖工藝以形成像素電極層8。

需要說(shuō)明的是，從所述襯底基板1背面進(jìn)行激光退火工藝不僅可以在絕緣層6形成后進(jìn)行。也可以在形成有源層4和刻蝕阻擋層9之后，形成源/漏電極層5之前進(jìn)行，如圖5所示；或者，在形成源/漏電極層5之后，絕緣層6之前進(jìn)行，如圖6所示。

實(shí)施例三

本實(shí)施例提供一種氧化物薄膜晶體管，如圖7所示，包括：依次設(shè)置在襯底基板1上的柵極金屬層2、柵極絕緣層3、有源層4、源/漏電極層5，其中：

所述有源層4包括被從所述襯底基板1背面進(jìn)行的激光退火工藝處理形成的兩個(gè)部分：與所述柵極金屬層重疊的第一部分41，未與所述柵極金屬層重疊的第二部分42，且所述第二部分42的電阻率低于所述第一部分41的電阻率，且所述第二部分42與所述源/漏電極層5電連接。

有源層4采用氧化物半導(dǎo)體材料制備，并通過(guò)激光退火工藝處理后使其與源/漏電極層5連接的區(qū)域電阻降低，達(dá)到提升氧化物薄膜晶體管的開(kāi)態(tài)電流，遷移率和開(kāi)關(guān)比的技術(shù)效果。

該氧化物薄膜晶體管具體細(xì)節(jié)請(qǐng)參考實(shí)施例一，此處不再贅述。

實(shí)施例四

本實(shí)施例提供一種氧化物薄膜晶體管，如圖8所示，包括：依次設(shè)置在襯底基板上的柵極金屬層2、柵極絕緣層3、有源層4、刻蝕阻擋層9、源/漏電極層5，其中：

所述有源層4包括被從所述襯底基板1背面進(jìn)行的激光退火工藝處理形成的兩個(gè)部分：與所述柵極金屬層重疊的第一部分41，未與所述柵極金屬層重疊的第二部分42，且所述第二部分42的電阻率低于所述第一部分41的電阻率，且所述第二部分與所述源/漏電極層5電連接。

該氧化物薄膜晶體管具體細(xì)節(jié)請(qǐng)參考實(shí)施例二，此處不再贅述。

實(shí)施例五

本實(shí)施例提供一種陣列基板，圖9為本發(fā)明一實(shí)施例提供的一種陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖9所示，該陣列基板包括實(shí)施例三中的氧化物薄膜晶體管，該陣列基板還包括絕緣層6和像素電極層8，像素電極層8通過(guò)形成在絕緣層6中的過(guò)孔7與薄膜晶體管的源漏電極層5電連接(更具體的說(shuō)，與漏極電極層5中的漏極電連接)。該氧化物薄膜晶體管作為該陣列基板上子像素的開(kāi)關(guān)元件。例如，像素電極層8采用透明導(dǎo)電材料形成或金屬材料形成，例如，形成該像素電極層8的材料包括氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化銦鎵(IGO)、氧化鎵鋅(GZO)氧化鋅(ZnO)、氧化銦(In2O3)、氧化鋁鋅(AZO)和碳納米管等。

例如，該陣列基板可應(yīng)用于例如液晶顯示面板、有機(jī)發(fā)光二極管顯示面板、電子紙顯示面板等。

實(shí)施例六

本實(shí)施例提供一種陣列基板，如圖10所示，包括實(shí)施例四中的氧化物薄膜晶體管，該陣列基板還包括絕緣層6和像素電極層8，像素電極層8通過(guò)形成在絕緣層6中的過(guò)孔7與薄膜晶體管的源漏電極層5電連接(更具體的說(shuō)，與漏極電連接)。該薄膜晶體管作為該陣列基板上子像素的開(kāi)關(guān)元件。例如，像素電極層8采用透明導(dǎo)電材料形成或金屬材料形成，例如，形成該像素電極層8的材料包括氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化銦鎵(IGO)、氧化鎵鋅(GZO)氧化鋅(ZnO)、氧化銦(In2O3)、氧化鋁鋅(AZO)和碳納米管等。

例如，該陣列基板可應(yīng)用于例如液晶顯示面板、有機(jī)發(fā)光二極管顯示面板、電子紙顯示面板等。

實(shí)施例七

本實(shí)施例還提供了一種顯示裝置，其包括上述實(shí)施例的陣列基板。

該顯示裝置的一個(gè)示例為液晶顯示裝置，其中，陣列基板與對(duì)置基板彼此對(duì)置以形成液晶盒，在液晶盒中填充有液晶材料。該對(duì)置基板例如為彩膜基板。陣列基板的每個(gè)子像素的像素電極用于施加電場(chǎng)對(duì)液晶材料的旋轉(zhuǎn)的程度進(jìn)行控制從而進(jìn)行顯示操作。在一些示例中，該顯示裝置還包括為陣列基板提供背光的背光源。

該顯示裝置的另一個(gè)示例為有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置(OLED)，其中，陣列基板上形成有有機(jī)發(fā)光材料疊層，每個(gè)像素單元的像素電極作為陽(yáng)極或陰極用于驅(qū)動(dòng)有機(jī)發(fā)光材料發(fā)光以進(jìn)行顯示操作。

該顯示裝置的再一個(gè)示例為電子紙顯示裝置，其中，陣列基板上形成有電子墨水層，每個(gè)像素單元的像素電極作為用于施加驅(qū)動(dòng)電子墨水中的帶電微顆粒移動(dòng)以進(jìn)行顯示操作的電壓。

雖然本發(fā)明所揭露的實(shí)施方式如上，但所述的內(nèi)容僅為便于理解本發(fā)明而采用的實(shí)施方式，并非用以限定本發(fā)明。任何本發(fā)明所屬領(lǐng)域內(nèi)的技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明所揭露的精神和范圍的前提下，可以在實(shí)施的形式及細(xì)節(jié)上進(jìn)行任何的修改與變化，但本發(fā)明的專(zhuān)利保護(hù)范圍，仍須以所附的權(quán)利要求書(shū)所界定的范圍為準(zhǔn)。