本發(fā)明涉及一種薄膜晶體管陣列基板以及薄膜晶體管陣列基板的制備方法。
背景技術(shù)：
：現(xiàn)有的平面顯示裝置通常包括：作為開關(guān)元件的薄膜晶體管、傳導(dǎo)掃描信號以控制薄膜晶體管的掃描線、傳導(dǎo)信號給像素電極的數(shù)據(jù)線等。薄膜晶體管的性能對平面顯示裝置有重要影響。技術(shù)實現(xiàn)要素：鑒于以上內(nèi)容，有必要提供一種性能良好的薄膜晶體管陣列基板及其制備方法。一種薄膜晶體管陣列基板，其包括絕緣基板、形成于絕緣基板上的半導(dǎo)體層及形成于半導(dǎo)體層上的第二導(dǎo)電層，所述第二導(dǎo)電層形成間隔設(shè)置的源極與漏極，所述第二導(dǎo)電層至少包括：第一子層，其形成于半導(dǎo)體層上，其材質(zhì)為金屬氧化物；第二子層，其形成于第一子層上，其材質(zhì)為鋁或鋁合金。一種薄膜晶體管陣列基板的制備方法：提供一絕緣基板，在所述絕緣基板上形成一半導(dǎo)體層；在半導(dǎo)體層上形成一第一子層，第一子層的材質(zhì)為金屬氧化物；在第一子層上形成一第二子層，第二子層的材質(zhì)為鋁或鋁合金；對所述第一子層及所述第二子層進(jìn)行蝕刻形成一溝道貫穿所述第一子層及所述第二子層，從而使第一子層與第二子層配合形成通過溝道得以間隔設(shè)置的源極與漏極。一種薄膜晶體管陣列基板的制備方法：提供一絕緣基板，在所述絕緣基板上形成一半導(dǎo)體層；在半導(dǎo)體層上形成一第一子層，第一子層的材質(zhì)為金屬氧化物；在第一子層上形成一第二子層，第二子層的材質(zhì)為鋁或鋁合金；在第二子層上形成一第三子層，所述第三子層的材質(zhì)為金屬氧化物；對所述第一子層、所述第二子層及所述第三子層進(jìn)行蝕刻形成一溝道貫穿所述第一子層、所述第二子層及所述第三子層，從而使第一子層、第二子層與第三子層配合形成通過溝道得以間隔設(shè)置的源極與漏極。所述薄膜晶體管陣列基板，其包括至少二層結(jié)構(gòu)的第二導(dǎo)電層，所述第二導(dǎo)電層至少包括金屬氧化物材質(zhì)的第一子層，鋁或鋁合金材質(zhì)的第二子層，所述第一子層可作為所述半導(dǎo)體層與第二子層之間的歐姆接觸層；且蝕刻所述第二導(dǎo)電層形成溝道時，有利于使溝道的尺寸逐漸變小；另外還可避免使用銅作為第二子層，進(jìn)而此外避免銅原子擴(kuò)散污染薄膜晶體管陣列基板的其他層。附圖說明圖1是本發(fā)明一較佳實施例的薄膜晶體管陣列基板的平面俯視示意圖。圖2是圖1的薄膜晶體管陣列基板的剖面示意圖。主要元件符號說明薄膜晶體管陣列基板100絕緣基板110掃描線121柵極101柵極絕緣層102半導(dǎo)體層103數(shù)據(jù)線104源極105漏極106鈍化層107第一鈍化層107a第二鈍化層107b第一子層104a、105a、106a第二子層104b、105b、106b第三子層104c、105c、106c像素電極108接觸孔185溝道120側(cè)壁122如下具體實施方式將結(jié)合上述附圖進(jìn)一步說明本發(fā)明。具體實施方式請一并參閱圖1及圖2，本發(fā)明具體實施方式提供一種薄膜晶體管陣列基板100。所述薄膜晶體管陣列基板100包括一絕緣基板110、形成于所述絕緣基板110上的第一導(dǎo)電層，第一導(dǎo)電層定義形成為多條掃描線121及與掃描線121連接的多個柵極101。圖1-2僅呈現(xiàn)一個柵極101、兩條掃描線121。本實施例中，所述絕緣基板110的材質(zhì)為透明的玻璃、透明的石英、或透明的塑料。在其他的實施例中，所述絕緣基板110的材質(zhì)可為陶瓷或硅。在其他的實施例中，所述絕緣基板110可以為一柔性材料制成。適合制作所述絕緣基板110的柔性材料可選自聚醚砜（PES)、聚萘二甲酸乙二酯（PEN）、聚乙烯（PE）、聚酰亞胺（PI）、聚氯乙烯（PVC）、聚對苯二甲酸乙二醇酯（PET）中的一種或一種以上。每條掃描線121用以傳遞掃描信號并沿圖1中的橫向方向延伸。所述第一導(dǎo)電層（即所述掃描線121與所述柵極101上）的材料可選自鋁(Al)、銀(Ag)、金(Au)、鈷(Co)、鉻(Cr)、銅(Cu)、銦(In)、錳(Mn)、鉬(Mo)、鎳(鎳)、釹(Nd)、(pd)鈀、鉑(Pt)、鈦(Ti)、鎢(W)、和鋅(Zn)中的至少一種。在其他實施例中，所述掃描線121與所述柵極101的材料可為透明導(dǎo)電材料，如選自氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、和摻鋁氧化鋅(AZO)中的一種或一種以上。所述薄膜晶體管陣列基板100還包括形成在所述第一導(dǎo)電層（即所述掃描線121與所述柵極101上）的一柵極絕緣層102。該柵極絕緣層102的材質(zhì)為電絕緣材料，該電絕緣材料可選自氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)、氧氮化硅(SiOxNy)、氧化鋁(AlOx)、氧化釔(Y2O3)、氧化鉿(HfOx)、氧化鋯(ZrOx)、氮化鋁(AlN)、鋁氮氧化物(AINO)、氧化鈦(TiOx)、鈦酸鋇(BaTiO3)、鈦酸鉛(PbTiO3)中的一種或一種以上。本實施例中，所述柵極絕緣層102可為單層結(jié)構(gòu)，但不限于單層結(jié)構(gòu)。在其他的實施中，所述柵極絕緣層102可為雙層或雙層以上的結(jié)構(gòu)。所述薄膜晶體管陣列基板100還包括形成在所述柵極絕緣層102上的一半導(dǎo)體層103。該半導(dǎo)體層103包含合適的半導(dǎo)體材料，如氧化物、單質(zhì)半導(dǎo)體、化合物半導(dǎo)體、和合金半導(dǎo)體材料中的至少一種，所述氧化物半導(dǎo)體、單質(zhì)半導(dǎo)體、化合物半導(dǎo)體、和合金半導(dǎo)體材料呈非晶狀、晶體狀、或多晶狀。本實施例中，該半導(dǎo)體層103包含鋅、銦、錫、鎵、鉿中的至少一種的金屬氧化物，如銦-鎵-鋅氧化物（IGZO）、銦-鋅-錫氧化物（IZTO）、銦-鎵-錫氧化物（IGTO）和銦-鋁-鋅氧化物（IAZO）。所述薄膜晶體管陣列基板100還包括形成在所述柵極絕緣層102及所述半導(dǎo)體層103上的第二導(dǎo)電層，所述第二導(dǎo)電層定義形成為多條數(shù)據(jù)線104、多個源極105、及多個漏極106。所述數(shù)據(jù)線104連接所述源極105，所述源極105與所述漏極106間隔設(shè)置。圖1-2僅呈現(xiàn)一個源極105、一個漏極106、及兩條數(shù)據(jù)線104。每條數(shù)據(jù)線104用以傳遞數(shù)據(jù)信號并沿圖1中的縱向方向延伸從而與所述掃描線121絕緣相交。所述源極105由一數(shù)據(jù)線104延伸形成。所述第二導(dǎo)電層為多層結(jié)構(gòu)，優(yōu)選地，每一條數(shù)據(jù)線104、每一個源極105、每一個漏極106均為多層結(jié)構(gòu)。本實施例為三層結(jié)構(gòu)，每一條數(shù)據(jù)線104、每一個源極105、每一個漏極106均為三層結(jié)構(gòu)。每一條數(shù)據(jù)線104可包括一第一子層104a、一第二子層104b及一第三子層104c。每一個源極105可包括一第一子層105a、一第二子層105b及一第三子層105c，且所述第一子層105a、所述第二子層105b及所述第三子層105c依次層疊于所述半導(dǎo)體層103上。每一個漏極106可包括一第一子層106a、一第二子層106b及一第三子層106c，且所述第一子層106a、所述第二子層106b及所述第三子層106c依次層疊于所述半導(dǎo)體層103上。所述第一子層104a、第一子層105a、及第一子層106a的材質(zhì)為金屬氧化物導(dǎo)電材料。所述第二子層104b、第二子層105b及第二子層106b的材質(zhì)為導(dǎo)電金屬材料，具體為鋁或鋁合金。所述第三子層104c、第三子層105c及第三子層106c的材質(zhì)與所述第一子層104a、第一子層105a、及第一子層106a的材質(zhì)相同，也為金屬氧化物導(dǎo)電材料。如，所述第一子層104a、第一子層105a、及第一子層106a的材質(zhì)可選自銦-鋅氧化物、銦-鋅氧化物、鋁-鋅氧化物中的至少一種。所述第三子層104c、第三子層105c及第三子層106c的材質(zhì)可選自銦-鋅氧化物、銦-鋅氧化物、鋁-鋅氧化物中的至少一種。每對源極105與漏極106之間形成有一溝道120，溝道120使得源極105與漏極106得以間隔不連通。所述溝道120通過干法蝕刻多層結(jié)構(gòu)的第二導(dǎo)電層得以形成，所述溝道120貫穿第三子層、第二子層及第一子層。所述第三子層與所述第一子層的材質(zhì)相同，均為含鋅的金屬氧化物，但二者中鋅的含量不同（第三子層的鋅含量高于第一子層的鋅含量），導(dǎo)致所述第三子層的蝕刻速率大于第一子層的蝕刻速率。同時鋁或鋁合金材質(zhì)的第二子層的蝕刻速率大于金屬氧化物材質(zhì)的第一子層的蝕刻速率。另外，所述第三子層的蝕刻速率大于第二子層的蝕刻速率，而第二子層的蝕刻速率大于第一子層的蝕刻速率，使得蝕刻形成的所述溝道120，且所述溝道120的側(cè)壁122相對所述所述半導(dǎo)體層103傾斜，沿第三子層指向第一子層的方向，溝道120的尺寸逐漸變小。本發(fā)明蝕刻速率的大小比較均為使用相同蝕刻液或蝕刻氣體的情況下進(jìn)行的比較。所述第一子層105a可作為所述半導(dǎo)體層103與第二子層105b之間的歐姆接觸層；所述第一子層106a可作為所述半導(dǎo)體層103與第二子層106b之間的歐姆接觸層。所述第二子層104b、第二子層105b及第二子層106b采用鋁或鋁合金制成，有利于蝕刻形成溝道120并使溝道120的尺寸逐漸變??；且蝕刻形成溝道120可采用濕法蝕刻或是干法蝕刻；另外還可避免使用銅作為第二子層，進(jìn)而此外避免銅原子擴(kuò)散污染薄膜晶體管陣列基板100的其他層?？梢岳斫獾模谄渌膶嵤├?，所述第三子層104c、第三子層105c及第三子層106c還可省略去除，即每一條數(shù)據(jù)線104、每一個源極105、每一個漏極106均包括雙層結(jié)構(gòu)。每一條數(shù)據(jù)線104可包括一第一子層104a及一第二子層104b。每一個源極105可包括一第一子層105a及一第二子層105b。每一個漏極106可包括一第一子層106a及一第二子層106b。此種情況下，所述溝道120貫穿第二子層及第一子層，沿第二子層指向第一子層的方向，溝道120的尺寸逐漸變小。所述的一個柵極101、一個源極105、一個漏極106、及一個半導(dǎo)體層103配合構(gòu)成一個薄膜晶體管。另外，所述半導(dǎo)體層103位于源極105與漏極106之間的區(qū)域形成為薄膜晶體管的通道區(qū)域。所述薄膜晶體管陣列基板100還包括一鈍化層107。所述鈍化層107覆蓋所述源極105、所述漏極106、所述數(shù)據(jù)線104及所述半導(dǎo)體層103。所述鈍化層107的材質(zhì)可為無機(jī)絕緣材料、有機(jī)絕緣材料。無機(jī)絕緣材料可為氮化硅或氧化硅。有機(jī)絕緣材料可為聚酰亞胺、聚酰胺、丙烯酸（類）樹脂、環(huán)氧樹脂、環(huán)烯烴樹脂或苯并環(huán)丁烯。在本實施例中，所述鈍化層107包括層疊設(shè)置的一第一鈍化層107a和一第二鈍化層107b。本實施例中，所述第一鈍化層107a的材質(zhì)為氧化硅，而所述第二鈍化層107b的材質(zhì)為氮化硅。所述鈍化層107還開設(shè)有貫穿鈍化層107的多個接觸孔185。每一個接觸孔185對應(yīng)一個漏極106設(shè)置，使漏極106的一端得以露出。圖2僅示出一個接觸孔185及一個漏極106。所述薄膜晶體管陣列基板100還包括形成在所述鈍化層107上的多個像素電極108（圖2僅示出一個像素電極108）。所述像素電極108延伸到接觸孔185中與所述漏極106電性連接，從而接收漏極106的數(shù)據(jù)電壓。所述像素電極108的材質(zhì)可為透明導(dǎo)電材料或反射性導(dǎo)電材料。所述透明導(dǎo)電材料，如可選自氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化鋅鋁(AZO)、氧化錫鎘（CTO）中的一種或一種以上。所述反射性導(dǎo)電材料，如可選自鋁、金、銀、銅、鉄、鈦、鉭、鉬、銣、鎢中的一種或一種以上。另外，所述像素電極108的材質(zhì)還可為上述透明導(dǎo)電材料與上述反射性導(dǎo)電材料的混合物。在其他的實施例中，像素電極108可為有機(jī)發(fā)光二極管的電極。一種薄膜晶體管陣列基板100的制備方法：提供一絕緣基板110，在所述絕緣基板110上形成一柵極101；在所述絕緣基板110上形成一柵極絕緣層102覆蓋所述柵極101；在所述柵極絕緣層102上形成一半導(dǎo)體層；在半導(dǎo)體層上形成一第一子層，第一子層的材質(zhì)為金屬氧化物；在第一子層上形成一第二子層，第二子層的材質(zhì)為鋁或鋁合金；在第二子層上形成一第三子層，所述第三子層的材質(zhì)為金屬氧化物；對所述第一子層、所述第二子層及所述第三子層進(jìn)行蝕刻形成一溝道貫穿所述第一子層、所述第二子層及所述第三子層，從而使第一子層、第二子層與第三子層配合形成通過溝道得以間隔設(shè)置的源極與漏極；形成一鈍化層107覆蓋所述源極105、所述漏極106、所述半導(dǎo)體層103；在所述鈍化層107還開設(shè)貫穿鈍化層107的接觸孔185，每一個接觸孔185對應(yīng)一個漏極106設(shè)置；在所述鈍化層107上形成像素電極108，所述像素電極108延伸到接觸孔185中與所述漏極106電性連接。以上實施方式僅用以說明本發(fā)明的技術(shù)方案而非限制，盡管參照較佳實施方式對本發(fā)明進(jìn)行了詳細(xì)說明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，可以對本發(fā)明的技術(shù)方案進(jìn)行修改或等同替換，而不脫離本發(fā)明技術(shù)方案的精神和范圍。當(dāng)前第1頁1 2 3